公开(公告)号：KR101785503B1

公开(公告)日：2017-10-16

申请号：KR1020147008065

申请日：2012-08-30

申请人： 와틀로 일렉트릭 매뉴팩츄어링 컴파니

发明人： 프타시엔스키케빈 ,  스미스케빈로버트 ,  스완슨칼토마스 ,  슈미트필립스티븐 ,  노스라티모하메드 ,  린들리제이콥로버트 ,  볼트알렌노먼 ,  장산홍 ,  스테인하우저루이스피 ,  그리마드데니스스텐리

IPC分类号： H05B3/26 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L21/67103 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/6833 ,  H05B1/00 ,  H05B1/02 ,  H05B1/0202 ,  H05B1/0227 ,  H05B1/0233 ,  H05B3/02 ,  H05B3/06 ,  H05B3/20 ,  H05B2203/005 ,  H05B2203/013 ,  H05B2213/03 ,  Y10T156/10

摘要： 장치, 그예로써, 적어도하나의기능영역을구비한베이스기능층을포함하는, 반도체공정장비(equiment)용(用) 히터가제시된다. 기판은그 베이스기능층에고정되고, 튜닝층은그 베이스기능층의반대측에서그 기판에고정된다. 그튜닝층은복수개의영역들을포함하는데, 그영역들은그 베이스기능층의영역들보다수가많으며, 그튜닝층은그 베이스기능층보다낮은파워를갖는다. 게다가, 예컨대척과같은구성요소는그 기판의반대측에서그 튜닝층에고정된다. 그기판은그 베이스기능층으로부터필요파워량을분산시키는열전도율을갖는다.

摘要翻译： 作为装置，提出了一种用于半导体工艺设备的加热器，其包括具有至少一个功能区的基础功能层。 衬底被固定在基座层的功能，调谐层是在基体层的功能的相反侧固定到基板。 所述调谐层包括多个区域，这些区域常常是基函数层的不多个区域，并且所述调谐层具有比所述基层函数较低的功率。 另外，诸如卡盘的部件被固定到基板的相对侧上的调谐层。 衬底具有导热性，其从基础功能层分散所需量的功率。

公开(公告)号：KR101914731B1

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：KR1020147008067

申请日：2012-08-30

申请人： 와틀로 일렉트릭 매뉴팩츄어링 컴파니

发明人： 프타시엔스키케빈 ,  볼트알렌노먼 ,  스미스자넷리 ,  스완슨칼토마스

IPC分类号： H05B3/26 ,  H05B1/02 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L21/67103 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/6833 ,  H05B1/00 ,  H05B1/02 ,  H05B1/0202 ,  H05B1/0227 ,  H05B1/0233 ,  H05B3/02 ,  H05B3/06 ,  H05B3/20 ,  H05B2203/005 ,  H05B2203/013 ,  H05B2213/03 ,  Y10T156/10

摘要： 유전층, 제1 양면접착성유전층및 전도층을구비한래미네이트를형성하는것을일반적으로포함하는, 히터의제조방법들이제공된다. 그다음, 회로패턴이그 전도층에생성되며, 그리고나서그 회로패턴은제2 양면접착성유전층에의해커버된다. 그제2 양면접착성유전층은희생층으로커버되며, 그리고나서위 히터가형성되는데, 그히터는위 유전층, 위제1 양면접착성유전층, 위전도층, 위제2 양면접착성유전층을포함한다. 그후에, 위희생층이제거된다.

公开(公告)号：KR1020140076556A

公开(公告)日：2014-06-20

申请号：KR1020147008066

申请日：2012-08-30

申请人： 와틀로 일렉트릭 매뉴팩츄어링 컴파니

发明人： 스미스케빈로버트 ,  프타시엔스키케빈 ,  더어러레이알란 ,  스완슨칼토마스 ,  슈미트필립스티븐 ,  노스라티모하메드 ,  린들리제이콥로버트 ,  볼트알렌노먼 ,  장산홍 ,  스테인하우저루이스피 ,  그리마드데니스스텐리

IPC分类号： H05B1/02 ,  H05B3/26 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L21/67103 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/6833 ,  H05B1/00 ,  H05B1/02 ,  H05B1/0202 ,  H05B1/0227 ,  H05B1/0233 ,  H05B3/02 ,  H05B3/06 ,  H05B3/20 ,  H05B2203/005 ,  H05B2203/013 ,  H05B2213/03 ,  Y10T156/10

摘要： 히터와 같은, 적어도 하나의 유체 통로를 구비한 베이스 멤버를 포함하는, 장치가 제공된다. 2상유체가 그 유체 통로 이내에 배치되며, 그 2상유체의 압력은 그 2상유체가 가열 및 냉각 중 적어도 하나를 그 베이스 멤버에 제공하도록 제어된다. 튜닝층은 그 베이스 멤버에 고정되며, 그 튜닝층은 복수 개의 영역들을 포함한다. 게다가, 구성요소가, 예컨대 척과 같은 것이 그 튜닝층에 고정된다.

公开(公告)号：KR101941245B1

公开(公告)日：2019-01-22

申请号：KR1020177027998

申请日：2012-08-30

申请人： 와틀로 일렉트릭 매뉴팩츄어링 컴파니

发明人： 프타시엔스키케빈 ,  스미스케빈로버트 ,  스완슨칼토마스 ,  슈미트필립스티븐 ,  노스라티모하메드 ,  린들리제이콥로버트 ,  볼트알렌노먼 ,  장산홍 ,  스테인하우저루이스피 ,  그리마드데니스스텐리

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H05B3/06 ,  H05B3/20

公开(公告)号：KR1020170118954A

公开(公告)日：2017-10-25

申请号：KR1020177027998

申请日：2012-08-30

申请人： 와틀로 일렉트릭 매뉴팩츄어링 컴파니

发明人： 프타시엔스키케빈 ,  스미스케빈로버트 ,  스완슨칼토마스 ,  슈미트필립스티븐 ,  노스라티모하메드 ,  린들리제이콥로버트 ,  볼트알렌노먼 ,  장산홍 ,  스테인하우저루이스피 ,  그리마드데니스스텐리

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H05B3/06 ,  H05B3/20

CPC分类号： H01L21/67103 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/6833 ,  H05B1/00 ,  H05B1/02 ,  H05B1/0202 ,  H05B1/0227 ,  H05B1/0233 ,  H05B3/02 ,  H05B3/06 ,  H05B3/20 ,  H05B2203/005 ,  H05B2203/013 ,  H05B2213/03 ,  Y10T156/10

摘要： 장치, 그예로써, 적어도하나의기능영역을구비한베이스기능층을포함하는, 반도체공정장비(equiment)용(用) 히터가제시된다. 기판은그 베이스기능층에고정되고, 튜닝층은그 베이스기능층의반대측에서그 기판에고정된다. 그튜닝층은복수개의영역들을포함하는데, 그영역들은그 베이스기능층의영역들보다수가많으며, 그튜닝층은그 베이스기능층보다낮은파워를갖는다. 게다가, 예컨대척과같은구성요소는그 기판의반대측에서그 튜닝층에고정된다. 그기판은그 베이스기능층으로부터필요파워량을분산시키는열전도율을갖는다.

公开(公告)号：KR101731566B1

公开(公告)日：2017-04-28

申请号：KR1020147008066

申请日：2012-08-30

申请人： 와틀로 일렉트릭 매뉴팩츄어링 컴파니

发明人： 스미스케빈로버트 ,  프타시엔스키케빈 ,  더어러레이알란 ,  스완슨칼토마스 ,  슈미트필립스티븐 ,  노스라티모하메드 ,  린들리제이콥로버트 ,  볼트알렌노먼 ,  장산홍 ,  스테인하우저루이스피 ,  그리마드데니스스텐리

IPC分类号： H05B1/02 ,  H05B3/26 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L21/67103 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/6833 ,  H05B1/00 ,  H05B1/02 ,  H05B1/0202 ,  H05B1/0227 ,  H05B1/0233 ,  H05B3/02 ,  H05B3/06 ,  H05B3/20 ,  H05B2203/005 ,  H05B2203/013 ,  H05B2213/03 ,  Y10T156/10

摘要： 히터와같은, 적어도하나의유체통로를구비한베이스멤버를포함하는, 장치가제공된다. 2상유체가그 유체통로이내에배치되며, 그 2상유체의압력은그 2상유체가가열및 냉각중 적어도하나를그 베이스멤버에제공하도록제어된다. 튜닝층은그 베이스멤버에고정되며, 그튜닝층은복수개의영역들을포함한다. 게다가, 구성요소가, 예컨대척과같은것이그 튜닝층에고정된다.

公开(公告)号：KR1020140098053A

公开(公告)日：2014-08-07

申请号：KR1020147008067

申请日：2012-08-30

申请人： 와틀로 일렉트릭 매뉴팩츄어링 컴파니

发明人： 프타시엔스키케빈 ,  볼트알렌노먼 ,  스미스자넷리 ,  스완슨칼토마스

IPC分类号： H05B3/26 ,  H05B1/02 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L21/67103 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/6833 ,  H05B1/00 ,  H05B1/02 ,  H05B1/0202 ,  H05B1/0227 ,  H05B1/0233 ,  H05B3/02 ,  H05B3/06 ,  H05B3/20 ,  H05B2203/005 ,  H05B2203/013 ,  H05B2213/03 ,  Y10T156/10

摘要： 유전층, 제1 양면 접착성 유전층 및 전도층을 구비한 래미네이트를 형성하는 것을 일반적으로 포함하는, 히터의 제조 방법들이 제공된다. 그 다음, 회로 패턴이 그 전도층에 생성되며, 그리고 나서 그 회로 패턴은 제2 양면 접착성 유전층에 의해 커버된다. 그 제2 양면 접착성 유전층은 희생층으로 커버되며, 그리고 나서 위 히터가 형성되는데, 그 히터는 위 유전층, 위 제1 양면 접착성 유전층, 위 전도층, 위 제2 양면 접착성 유전층을 포함한다. 그 후에, 위 희생층이 제거된다.

公开(公告)号：KR1020140054370A

公开(公告)日：2014-05-08

申请号：KR1020147008065

申请日：2012-08-30

申请人： 와틀로 일렉트릭 매뉴팩츄어링 컴파니

发明人： 프타시엔스키케빈 ,  스미스케빈로버트 ,  스완슨칼토마스 ,  슈미트필립스티븐 ,  노스라티모하메드 ,  린들리제이콥로버트 ,  볼트알렌노먼 ,  장산홍 ,  스테인하우저루이스피 ,  그리마드데니스스텐리

IPC分类号： H05B3/26 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L21/67103 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/6833 ,  H05B1/00 ,  H05B1/02 ,  H05B1/0202 ,  H05B1/0227 ,  H05B1/0233 ,  H05B3/02 ,  H05B3/06 ,  H05B3/20 ,  H05B2203/005 ,  H05B2203/013 ,  H05B2213/03 ,  Y10T156/10

摘要： 장치, 그 예로써, 적어도 하나의 기능 영역을 구비한 베이스 기능층을 포함하는, 반도체 공정 장비(equiment)용(用) 히터가 제시된다. 기판은 그 베이스 기능층에 고정되고, 튜닝층은 그 베이스 기능층의 반대측에서 그 기판에 고정된다. 그 튜닝층은 복수 개의 영역들을 포함하는데, 그 영역들은 그 베이스 기능층의 영역들보다 수가 많으며, 그 튜닝층은 그 베이스 기능층보다 낮은 전력을 갖는다. 게다가, 예컨대 척과 같은 구성요소는 그 기판의 반대측에서 그 튜닝층에 고정된다. 그 기판은 그 베이스 기능층으로부터 필요 전력량을 분산시키는 열전도율을 한정한다.