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    정전척 및 웨이퍼 처리 장치
    4.
    发明授权
    정전척 및 웨이퍼 처리 장치 有权

    公开(公告)号：KR101855228B1

    公开(公告)日：2018-05-09

    申请号：KR20177019576

    申请日：2015-04-28

    IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/687

    CPC分类号： H01L21/6833 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/68735

    摘要： 본발명에따른정전척은처리대상물을적재하는제 1 주면과, 상기제 1 주면과는반대측의제 2 주면과, 둘레단부에설치되어상기제 1 주면의일부를형성하는시일링을갖고, 다결정세라믹소결체인세라믹유전체기판과, 상기세라믹유전체기판의상기제 1 주면과상기제 2 주면사이에형성되며상기세라믹유전체기판에일체소결된전극층을구비하고, 제 1 주면과직교하는방향으로보아상기세라믹유전체기판의외주와상기전극층의외주의간격이균일해지도록상기세라믹유전체기판의외주가가공되고, 상기시일링의폭은 0.3밀리미터이상 3밀리미터이하이고, 제 1 주면과직교하는방향으로봤을때에상기전극층이상기시일링과중복되는폭은 -0.7밀리미터이상 2밀리미터이하인것을특징으로한다. 전극의외주를세라믹유전체기판의외주에가까운위치까지정확하고균일하게배치하여, 절연내압을유지하면서세라믹유전체기판외주부에크고또한일정한흡착력을얻을수 있고, 또한처리대상물의온도분포를균일화할수 있다.

    정전 척을 위한 배리어 실
    5.
    发明授权
    정전 척을 위한 배리어 실 有权

    公开(公告)号：KR101854973B1

    公开(公告)日：2018-05-04

    申请号：KR1020160016506

    申请日：2016-02-12

    申请人： 엠에프씨 실링 테크놀로지 코., 엘티디.

    发明人： 창,요-위 ,  황,춘-야오

    IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/67 ,  H01L21/687

    CPC分类号： H01L21/6833 ,  F16J15/106 ,  H01J37/32513 ,  H01J37/32697 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/3288

    摘要： 본발명은플라즈마에칭과정중에있는정전척을위한배리어실을제공한다. 배리어실은정전척의연결층과플라즈마가스를차단하도록다수의실링부를포함한다. 정전척의그루브는배리어실로완전히채워질수 있다. 다수의실링부중 하나가플라즈마에칭과중중에플라즈마가스에의해파괴되더라도, 배리어실은여전히정전척의누출을효과적으로방지한다. 배리어실은누출이발생하기전에, 엔지니어가손상된배리어실을교체하기위한버퍼주기를제공한다. 배리어실의갑작스러운파괴에의한누출의위험이감소된다. 게다가, 배리어실은플라즈마에칭과정의안정성과안전성을용이하게한다. 정전척에의해제조된제품의수익은향상될수 있다.

    정전 척 및 기판 고정 장치
    6.
    发明公开
    정전 척 및 기판 고정 장치 审中-公开
    静电卡盘和基板固定装置

    公开(公告)号：KR20180036554A

    公开(公告)日：2018-04-09

    申请号：KR20170123165

    申请日：2017-09-25

    IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/67

    CPC分类号： H01L21/67248 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/6833

    摘要： 본발명은정전척 표면온도의검출정밀도를향상시킨다. 본발명의정전척은, 발열부와, 상기발열부상에구비되는기체를포함하는정전척으로서, 상기기체는, 흡착대상물이흡착유지되는제1 면과, 상기제1 면의반대쪽에위치하며상기발열부에접하는제2 면과, 서로연통하도록기체의두께방향으로정렬되며, 상기제2 면에서개구되어있는제1 구멍및 제2 구멍을포함하고, 상기제2 구멍은, 상기제1 구멍보다상기발열부에가깝게설치되고, 기체의두께방향에서보았을때 상기제1 구멍보다크며, 상기정전척은, 상기제1 구멍의바닥면에구비되는온도센서와, 상기온도센서와의사이에공간이형성되며상기제2 구멍안에구비되는금속재를더 포함한다.

    摘要翻译： 静电卡盘包括加热部件，加热部件上的基板，温度传感器和金属材料。 基板包括：第一表面，物体将被吸附并保持在该第一表面上;第二表面，与第一表面相对并与加热部分接触;以及第一孔和第二孔，沿基板的厚度方向排列， 彼此。 第二孔比第一孔更靠近加热部件，并且在基板的第二表面处开口。 当在基板的厚度方向上观察时，第二孔比第一孔大。 温度传感器位于第一个孔的底部。 金属材料位于温度传感器和金属材料之间的第二个孔中。

    산화 실리콘 및 질화 실리콘을 서로 선택적으로 에칭하는 방법
    7.
    发明公开
    산화 실리콘 및 질화 실리콘을 서로 선택적으로 에칭하는 방법 审中-公开
    选择性地刻蚀氧化硅和氮化硅的方法

    公开(公告)号：KR20180030430A

    公开(公告)日：2018-03-23

    申请号：KR20170113175

    申请日：2017-09-05

    申请人： TOKYO ELECTRON LTD

    发明人： GOHIRA TAKU ,  TOMINAGA SHO

    IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213

    CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32724 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6833 ,  H01L22/26

    摘要： 산화실리콘및 질화실리콘을서로선택적으로또한효율적으로에칭하는것을가능하게한다. 일실시형태의방법은, 챔버내에피가공물을준비하는공정과, 피가공물의온도가제 1 온도로설정된상태에서, 챔버내에서탄소, 수소및 불소를함유하는처리가스의플라즈마를생성함으로써, 피가공물의산화실리콘을에칭하는공정과, 피가공물의온도가제 1 온도보다높은제 2 온도로설정된상태에서, 챔버내에서탄소, 수소및 불소를함유하는처리가스의플라즈마를생성함으로써, 피가공물의질화실리콘을에칭하는공정을포함한다.

    摘要翻译： 氧化硅和氮化硅可以选择性地相互高效蚀刻。 一种方法包括：在腔室内制备处理目标物体; 在处理对象物的温度被设定为第一温度的状态下，通过在腔内产生包含碳，氢和氟的处理气体的等离子体来蚀刻处理目标物的氧化硅; 在处理对象物的温度被设定为比第一温度高的第二温度的状态下，通过在腔室内产生包含碳，氢和氟的处理气体的等离子体来对处理对象物的氮化硅进行蚀刻。

    정전 척 및 웨이퍼 처리장치
    8.
    发明授权
    정전 척 및 웨이퍼 처리장치 有权
    静电吸盘和晶圆加工设备

    公开(公告)号：KR101826695B1

    公开(公告)日：2018-02-07

    申请号：KR1020177012449

    申请日：2015-12-10

    申请人： 토토 가부시키가이샤

    发明人： 아나다카즈키 ,  요시이유이치

    IPC分类号： H01L21/683 ,  H02N13/00 ,  B23Q3/15

    CPC分类号： H01L21/6833 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/6831

    摘要： 처리대상물을적재하는제 1 주면과, 제 1 주면과는반대측의제 2 주면을갖고, 다결정세라믹소결체인세라믹유전체기판과, 세라믹유전체기판에형성된전극층과, 제 2 주면의측에설치되어세라믹유전체기판을지지하는베이스플레이트와, 전극층과베이스플레이트의사이에설치된히터를구비하고, 베이스플레이트는베이스플레이트를관통하는관통구멍과, 처리대상물의온도를조정하는매체를통과시키는연통로를갖고, 제 1 주면에대하여수직인방향으로보았을때에히터중 적어도일부는관통구멍에가장근접한연통로의제 1 부분으로부터보아서관통구멍의측에존재하는것을특징으로하는정전척이제공된다.

    摘要翻译： 和与第一主表面打算进行处置的对象，所述第一主表面，并且具有在相对侧的第二主表面，陶瓷电介质基板的多晶陶瓷烧结体中，并且被安装在电极层的一侧上，和形成在陶瓷电介体基板的陶瓷电介质的第二主表面 所述基板和所述电极层和用于支撑衬底的基座板之间的加热器，所述基板具有用于使所述介质用于调节通孔的温度，并且通过底板穿过一个处理对象物的连通路，该 相对于垂直于所述加热器的至少一部分上设置有静电卡盘，通过从与所述通孔连通所述第一部分到最近看到的孔，其特征在于存在于的侧观察的方向上的第一主表面。

    정전 척 테이블, 레이저 가공 장치 및 피가공물의 가공 방법
    9.
    发明公开
    정전 척 테이블, 레이저 가공 장치 및 피가공물의 가공 방법 审中-公开
    静电卡盘台激光加工设备和加工工件的方法

    公开(公告)号：KR20180007305A

    公开(公告)日：2018-01-22

    申请号：KR20170079667

    申请日：2017-06-23

    申请人： DISCO CORP

    发明人： MATSUZAKI SAKAE ,  ITO NORIKO ,  TOGASHI KEN ,  FURUTA KENJI

    IPC分类号： H01L21/683 ,  B23K26/38 ,  B23K37/04 ,  H01L21/67 ,  H01L21/78

    CPC分类号： H01L21/78 ,  B23K26/0087 ,  H01L21/268 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/6833

    摘要： 본발명은금속층이나디바이스가형성된피가공물의표면측을노출시키고이면측을유지면으로유지한상태에서유지면측으로부터의레이저가공을가능하게하는정전척 테이블을제공하는것을목적으로한다. 정전척 테이블(1)은, 피가공물에대해투과성을갖는미리정해진파장의레이저광선(L)에대해투과성을갖고제1 면(2a)과상기제1 면(2a)의반대측의제2 면(2b)을갖는판형의베이스부(2)와, 미리정해진파장의레이저광선(L)에대해투과성을갖고베이스부(2)의제1 면(2a)에적층된정전흡착용의전극부(3)와, 미리정해진파장의레이저광선(L)에대해투과성을갖고전극부(3)를덮으며피가공물(W)을유지하는유지면(1a)을구성하는 PET 필름(4)을포함한다. 정전척 테이블(1)은, 베이스부(2)의제2 면(2b)측으로부터레이저광선(L)을조사하여, 유지면(1a)에유지한피가공물(W)의내부에개질층(K)을형성할때에이용된다.

    摘要翻译： 一种用于保持工件的静电卡盘工作台，包括：可相对于具有预定波长的激光束透射的板形基座，所述激光束允许激光束透射通过工件，所述板形基座具有第一表面和第二表面 与第一面相对; 静电吸引电极组件，所述静电吸引电极组件可相对于具有预定波长的激光束传输，所述静电吸引电极组件形成在所述基座的第一表面上; 以及相对于具有预定波长的激光束可透射的树脂层，树脂层覆盖电极组件并提供用于保持工件的保持表面。 静电卡盘台用于在保持在保持表面上的工件内形成修改层，其中激光束从基座的第二表面侧施加到工件。

    베이스 플레이트 구조체 및 그 제조방법, 기판 고정 장치
    10.
    发明公开
    베이스 플레이트 구조체 및 그 제조방법, 기판 고정 장치 审中-公开
    基板结构的制造方法及基板固定装置

    公开(公告)号：KR20180001452A

    公开(公告)日：2018-01-04

    申请号：KR20170074678

    申请日：2017-06-14

    IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/02 ,  H02N13/00

    CPC分类号： H01L21/6833 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6831

    摘要： 본발명은알루미늄제베이스플레이트에신뢰성높은수로를형성한기판고정장치를제공한다. 본발명의기판고정장치는, 흡착대상물을흡착유지하는정전척과상기정전척을탑재하는베이스플레이트를구비한기판고정장치로서, 알루미늄제베이스플레이트와, 상기베이스플레이트에설치되며알루미늄보다내식성이높은금속제의수로형성부와, 상기수로형성부에설치되며상기수로형성부가벽면을구성하는수로를포함하고, 상기베이스플레이트와상기수로형성부가직접접합되어있다.

    摘要翻译： 本发明提供一种晶片保持装置，该晶片保持装置包括：夹持物体的静电吸盘;由铝构成且支承静电吸盘的底板;与底板接触或在底板内配置且由耐腐蚀性比铝高的金属构成的水路部 以及布置在水通道部分内并且其整个壁表面由水通道部分构成的水通道，其中底板和水通道部分彼此直接接合。