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公开(公告)号：KR101234195B1
公开(公告)日：2013-02-18
申请号：KR1020090121658
申请日：2009-12-09
Applicant: 쟈판 스파 쿼츠 가부시키가이샤
CPC classification number: C03B19/095 , C30B15/10 , Y02P40/57 , Y10S117/90 , Y10T117/10 , Y10T117/1032 , Y10T117/1052
Abstract: (과제) 실리콘 단결정 중에 SiO 가스의 기포가 취입되는 것에 따른 공동 결함(void defect)의 발생을 방지하는 것이 가능한 석영 유리 도가니를 제공한다.
(해결 수단) 본 발명에 따른 석영 유리 도가니는, 천연 석영 유리층으로 이루어지는 외층과, 합성 석영 유리층으로 이루어지는 내층을 구비하고, 합성 석영 유리층은, 도가니 저부(底部)의 중심으로부터 도가니 구경(口徑)의 50% 이내의 영역에 형성된 제1 합성 석영 유리층과, 제1 합성 석영 유리층의 형성 영역을 제외한 영역에 형성된 제2 합성 석영 유리층을 포함하고 있다. 상기 제1 합성 석영 유리층은 0.5mm 이상 1.5mm 이하의 두께를 갖고 있으며, 제1 합성 석영 유리층에 포함되는 OH기의 농도가 100ppm 이하이다. 이와 같이 제1 합성 석영 유리층을 가능한 한 얇고 그리고 높은 점도(粘度)로 구성한 경우에는, 도가니 저부의 내표면의 패임이 방지되어, 기포의 발생이 억제된다.
실리콘 단결정, 석영 유리 도가니, OH기 농도, 공동 결함, 천연 석영 유리층, 합성 석영 유리층Abstract translation: 本发明公开了一种石英玻璃坩埚，其能够防止由于将SiO气体的气泡引入硅单晶而出现空隙缺陷。
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公开(公告)号：KR1020100080410A
公开(公告)日：2010-07-08
申请号：KR1020090131546
申请日：2009-12-28
Applicant: 쟈판 스파 쿼츠 가부시키가이샤
CPC classification number: C30B15/10
Abstract: PURPOSE: A silica glass crucible for pulling a silicone single crystal is provided to prevent the generation of cavity defects due to the bubbles of SiO gas which is inserted into the silicone single crystal by controlling the generation of bubbles. CONSTITUTION: A silica glass crucible(10) for pulling a silicone single crystal has no bubble within a fixed range from the bottom center of the crucible and in a domain from the inner surface of the crucible to 0.5mm depth. The average concentration of Al, which is included in the fixed range from the bottom center of the crucible and a domain from the inner surface to depth 40μm is 30ppm-150ppm.
Abstract translation: 目的：提供一种用于拉伸硅树脂单晶的石英玻璃坩埚，以防止由于通过控制气泡的产生而插入硅树脂单晶中的SiO气体的气泡而产生空腔缺陷。 构成：用于拉伸硅树脂单晶的二氧化硅玻璃坩埚（10）在坩埚的底部中心和从坩埚的内表面到0.5mm深度的范围内没有气泡在一定范围内。 包含在从坩埚的底部中心的固定范围内的Al的平均浓度和从内表面到深度40μm的畴的平均浓度为30ppm-150ppm。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101275368B1
公开(公告)日：2013-06-17
申请号：KR1020107022219
申请日：2009-03-10
Applicant: 쟈판 스파 쿼츠 가부시키가이샤
CPC classification number: C03B19/095 , C30B15/10 , Y10T117/1032
Abstract: 실리콘 단결정 인상 시의 내표면의 결정화 촉진과 도가니의 강도 유지를 충분히 양립시킨 석영 유리 도가니 및 그 제조 방법을 제공한다.
석영 유리 도가니 (10) 는, 적어도 직동부 (10A) 에 있어서, 도가니 내표면으로부터 0.3mm ∼ 3mm 의 영역에 포함되는 OH기 농도 및 OH기 농도 구배가 내표면에 가까울수록 커지고, 내표면으로부터 멀어질수록 작아지는 것을 특징으로 한다. 이 석영 유리 도가니는, 회전하는 몰드의 내표면을 따라 퇴적한 석영 가루를 가열 용융하여 유리화하고, 유리 도가니를 제조하는 방법에 있어서, 용융시 또는 용융 종료 직후에 수증기를 포함하는 공기를 도입하고, 또는 용융 냉각후에 다시 수증기를 포함하는 환경하에서 열처리하여 제조할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020100066409A
公开(公告)日：2010-06-17
申请号：KR1020090121658
申请日：2009-12-09
Applicant: 쟈판 스파 쿼츠 가부시키가이샤
CPC classification number: C03B19/095 , C30B15/10 , Y02P40/57 , Y10S117/90 , Y10T117/10 , Y10T117/1032 , Y10T117/1052
Abstract: PURPOSE: A quartz glass crucible and a manufacturing method thereof are provided to suppress bubbles by preventing the inner side on the lower side of a crucible from being hollowed. CONSTITUTION: An outer layer is composed of a natural quartz glass layer(11). An inner layer is composed of a synthetic quartz glass layer(12). The synthetic quartz glass layer comprises a first synthetic quartz glass layer(12a) and a second synthetic quartz glass layer(12b). The first synthetic quartz glass layer is formed inside an area within a specific range from the center of the lower side(10B) of the crucible. The second synthetic quartz glass layer is formed in an area except the area where the first synthetic quartz glass layer is formed.
Abstract translation: 目的：提供一种石英玻璃坩埚及其制造方法，通过防止坩埚的下侧的内侧被镂空来抑制气泡。 构成：外层由天然石英玻璃层（11）组成。 内层由合成石英玻璃层（12）组成。 合成石英玻璃层包括第一合成石英玻璃层（12a）和第二合成石英玻璃层（12b）。 第一合成石英玻璃层形成在从坩埚的下侧（10B）的中心的特定范围内的区域内。 第二合成石英玻璃层形成在除了形成第一合成石英玻璃层的区域之外的区域中。
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公开(公告)号：KR1020100132025A
公开(公告)日：2010-12-16
申请号：KR1020107022303
申请日：2009-03-23
Applicant: 쟈판 스파 쿼츠 가부시키가이샤
CPC classification number: C30B15/10 , C03B19/095 , Y10T117/1032
Abstract: (과제) 실리콘 단결정의 인상에 사용되는 석영 유리 도가니에 있어서, 내면층의 균질성에 뛰어나고, 내면층의 기포함유율이 낮은 석영 유리 도가니와 그 제조 방법을 제공한다.
(해결 수단) 실리콘 단결정의 인상에 사용되는 석영 유리 도가니의 제조 방법에 있어서, 합성 석영 가루에 의해 내면층 (30) 을 형성할 때에, 이 내면층 (30) 의 내측부분 (31) 을 형성하는 제 1 의 합성 석영 가루보다도 작은 평균 입도를 갖는 제 2 의 합성 석영 가루에 의해 이 내면층 (30) 의 표면측 부분 (32) 을 형성한다. 내면층 (30) 의 내측부분 (31) 을 형성하는 제 1 의 합성 석영 가루의 평균 입경에 비하여, 이 내면층 (30) 의 표면측 부분 (32) 을 형성하는 제 2 의 합성 석영 가루의 평균 입경은 10㎛ 이상 작다.-
公开(公告)号：KR101165703B1
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：KR1020090131546
申请日：2009-12-28
Applicant: 쟈판 스파 쿼츠 가부시키가이샤
CPC classification number: C30B15/10
Abstract: (과제) 실리콘 단결정 중에 SiO 가스의 기포가 취입되는 것에 따른 공동 결함(void defects)의 발생을 방지하는 것이 가능한 석영 유리 도가니를 제공한다.
(해결 수단) 석영 유리 도가니는, 불투명 석영 유리층으로 이루어지는 외층과, 적어도 도가니 저부(底部)의 중심으로부터 일정 범위 내에 형성된 투명 석영 유리층을 포함하는 내층을 구비하고 있다. 도가니 저부에 있어서, 투명 석영 유리층의 내표면에서 적어도 깊이 40㎛까지의 영역에 포함되는 Al의 농도의 평균치는 30ppm 이상 150ppm 이하이며, 투명 석영 유리층의 내표면에서 적어도 깊이 40㎛까지의 영역에 포함되는 Na, K 및, Li의 3원소의 농도의 합계는 0.5ppm 이하이다. 도가니 저부의 내층을 이와 같이 구성한 경우에는, 내표면의 패임이 방지되어, 기포의 발생이 억제된다.
석영 유리 도가니, 석영 유리층, Al농도, 공동 결함-
公开(公告)号：KR1020100130209A
公开(公告)日：2010-12-10
申请号：KR1020107022219
申请日：2009-03-10
Applicant: 쟈판 스파 쿼츠 가부시키가이샤
CPC classification number: C03B19/095 , C30B15/10 , Y10T117/1032
Abstract: 실리콘 단결정 인상 시의 내표면의 결정화 촉진과 도가니의 강도 유지를 충분히 양립시킨 석영 유리 도가니 및 그 제조 방법을 제공한다.
석영 유리 도가니 (10) 는, 적어도 직동부 (10A) 에 있어서, 도가니 내표면으로부터 0.3mm ∼ 3mm 의 영역에 포함되는 OH기 농도 및 OH기 농도 구배가 내표면에 가까울수록 커지고, 내표면으로부터 멀어질수록 작아지는 것을 특징으로 한다. 이 석영 유리 도가니는, 회전하는 몰드의 내표면을 따라 퇴적한 석영 가루를 가열 용융하여 유리화하고, 유리 도가니를 제조하는 방법에 있어서, 용융시 또는 용융 종료 직후에 수증기를 포함하는 공기를 도입하고, 또는 용융 냉각후에 다시 수증기를 포함하는 환경하에서 열처리하여 제조할 수 있다.
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