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公开(公告)号：KR101868126B1
公开(公告)日：2018-07-23
申请号：KR1020157014196
申请日：2012-12-31
申请人： 카버 싸이언티픽, 아이엔씨.
IPC分类号： H01G13/00
摘要： 고상전기에너지상태저장장치는다수의유전층들또는통합불균질유전층을포함한다. 불균질층의부분들또는층들은완전한고상화이전유전체의형성동안유전물질을전기및/또는자기장들에노출시킴으로써증강된유전율을갖는다. 그러한노출은래디컬들및/또는규칙화된매트릭스를야기한다. 장치를위한유전체는, 1가산소와의반응을통해대기상태하에서형성되고기판상의응집또는고상화동안자기장및/또는전기장에폴리머를노출시킴으로써증강된유전율이제공되는, 새로운자일렌기반폴리머를함유할수 있다.
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公开(公告)号：KR102254754B1
公开(公告)日：2021-05-24
申请号：KR1020157030950
申请日：2014-04-04
申请人： 카버 싸이언티픽, 아이엔씨.
摘要： 에너지저장디바이스는커패시터를포함하며, 그커패시터는마주보는전극들사이의유전체그리고적어도하나의전극과상기유전체사이의비전도성코팅을구비한다. 상기비전도성코팅은통상적인 EDLC들에서보다아주더 높은전압들이사용되는것을가능하게하며, 이는커패시터내에저장된에너지를크게증가시킨다. 확장된시간구간들동안방전및 저장을제어하기위해서상기유전체물질의점성도는인가된외부자극에반응하는것처럼제어된방식으로증가하거나감소할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020150143536A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：KR1020157030950
申请日：2014-04-04
申请人： 카버 싸이언티픽, 아이엔씨.
摘要： 에너지저장디바이스는커패시터를포함하며, 그커패시터는마주보는전극들사이의유전체그리고적어도하나의전극과상기유전체사이의비전도성코팅을구비한다. 상기비전도성코팅은통상적인 EDLC들에서보다아주더 높은전압들이사용되는것을가능하게하며, 이는커패시터내에저장된에너지를크게증가시킨다. 확장된시간구간들동안방전및 저장을제어하기위해서상기유전체물질의점성도는인가된외부자극에반응하는것처럼제어된방식으로증가하거나감소할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020150082377A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：KR1020157014196
申请日：2012-12-31
申请人： 카버 싸이언티픽, 아이엔씨.
IPC分类号： H01G13/00
摘要： 고상전기에너지상태저장장치는다수의유전층들또는통합불균질유전층을포함한다. 불균질층의부분들또는층들은완전한고상화이전유전체의형성동안유전물질을전기및/또는자기장들에노출시킴으로써증강된유전율을갖는다. 그러한노출은래디컬들및/또는규칙화된매트릭스를야기한다. 장치를위한유전체는, 1가산소와의반응을통해대기상태하에서형성되고기판상의응집또는고상화동안자기장 및/또는전기장에폴리머를노출시킴으로써증강된유전율이제공되는, 새로운자일렌기반폴리머를함유할수 있다.
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