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公开(公告)号:KR101908775B1
公开(公告)日:2018-10-16
申请号:KR1020160040202
申请日:2016-04-01
申请人: 니뽄 도쿠슈 도교 가부시키가이샤
CPC分类号: C01G37/006 , C01P2006/40 , C04B35/12 , C04B2235/3205 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3241 , C04B2235/3262 , C04B2235/5436 , C04B2235/602 , C04B2235/604 , C04B2235/768 , G01K7/22 , G05D23/24 , H01B1/08 , H01C7/008
摘要: (과제) 종래기술에서는최근의고내열성요구를만족시킬수 없을우려가있다. (해결수단) 도전성산화물소결체는, M1M2MnAlCrO(M1 은 3 족원소의 1 종이상, M2 는 Mg, Ca, Sr, Ba 의 1 종이상) 로나타내는페로브스카이트형산화물결정구조를갖는다. 원소 M1 은 Nd, Pr, Sm 에서선택되는 1 종이상의원소를주로함유하고, a, b, c, d, e, f 가 0.600 ≤ a
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公开(公告)号:KR101868126B1
公开(公告)日:2018-07-23
申请号:KR1020157014196
申请日:2012-12-31
申请人: 카버 싸이언티픽, 아이엔씨.
IPC分类号: H01G13/00
摘要: 고상전기에너지상태저장장치는다수의유전층들또는통합불균질유전층을포함한다. 불균질층의부분들또는층들은완전한고상화이전유전체의형성동안유전물질을전기및/또는자기장들에노출시킴으로써증강된유전율을갖는다. 그러한노출은래디컬들및/또는규칙화된매트릭스를야기한다. 장치를위한유전체는, 1가산소와의반응을통해대기상태하에서형성되고기판상의응집또는고상화동안자기장및/또는전기장에폴리머를노출시킴으로써증강된유전율이제공되는, 새로운자일렌기반폴리머를함유할수 있다.
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公开(公告)号:KR1020170111121A
公开(公告)日:2017-10-12
申请号:KR1020160035963
申请日:2016-03-25
申请人: 프로텍코리아 주식회사
IPC分类号: H01L41/25 , H01L41/047 , H01C7/00
CPC分类号: H01L41/25 , F01N2560/06 , H01C7/008 , H01L41/047
摘要: 본발명은전극일체형서미스터열전소자성형장치에관한것으로, 이를위해자동차용서미스터에내장되는전극일체형열전소자를적어도 2개이상자동으로연속성형할수 있으며, 또한열전소자의형태나성형개수를손쉽게조절할수 있는특징이있다.
摘要翻译: 本发明可以是,电极集成热电模块内置于汽车赦免先生和来至少形成有两个自动和在用于此目的的连续的,并且容易地控制形状和电极整体的热敏电阻热元件成形装置的热电装置的成型数 有功能。
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公开(公告)号:KR1020170109782A
公开(公告)日:2017-10-10
申请号:KR1020160033791
申请日:2016-03-22
申请人: 삼성전기주식회사
发明人: 김호윤
CPC分类号: H01F27/402 , H01C1/06 , H01C1/148 , H01C7/008 , H01C7/18 , H01F17/0013 , H01F27/292 , H01G2/14 , H01G4/248 , H01G4/30
摘要: 본발명은외측에제1 및제2 외부전극이배치되고, 유전체를포함하는바디; 상기유전체의내측에배치되며, 상기제1 및제2 외부전극과각각전기적으로연결되는복수의제1 및제2 전극; 상기바디의상부에배치되며, 상기제1 외부전극과전기적으로연결되는제3 전극; 상기제3 전극의상부에배치되는 ESD 방전층; 및상기 ESD 방전층의상부에배치되며, 상기제2 외부전극과전기적으로연결되는제4 전극;을포함하는복합전자부품에관한것이다.
摘要翻译: 根据本发明,提供了一种等离子体显示面板,包括:主体,具有布置在其外部并包括电介质的第一和第二外部电极; 多个第一和第二电极,设置在所述电介质体内并分别电连接到所述第一和第二外部电极; 设置在主体上并电连接到第一外部电极的第三电极; ESD放电层,设置在第三电极上; 以及设置在ESD放电层上并电连接到第二外部电极的第四电极。
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5.NTC 써미스터 온도 센서용 세라믹 조성물, 이를 이용한 NTC 써미스터 온도 센서용 세라믹 소결체의 제조 방법 및 이를 포함하는 NTC 써미스터 소자 有权
标题翻译: 用于NTC热敏电阻温度传感器的陶瓷组合物,用于制造用于NTC热敏电阻温度传感器的陶瓷烧结体的方法以及使用该陶瓷组合物的NTC热敏电阻元件公开(公告)号:KR101782382B1
公开(公告)日:2017-09-27
申请号:KR1020160048729
申请日:2016-04-21
申请人: 주식회사 제임스텍
发明人: 박지홍
CPC分类号: C04B35/64 , C04B2235/3217 , C04B2235/3227 , C04B2235/3244 , C04B2235/3262 , H01C7/008 , H01C7/04
摘要: NTC 써미스터온도센서용세라믹조성물, 이를이용한 NTC 써미스터온도센서용세라믹소결체의제조방법및 이를포함하는 NTC 써미스터소자가개시된다. 본발명의일 실시예에따른 NTC 써미스터온도센서용세라믹조성물은 (a) LaO, (b) AlO, (c) ZrO및 (d) MnO를포함하며, 0.6 내지 0.9, (b) 0.1 내지 0.4, (c) 0.7 내지 0.8 및 (d) 0.2 내지 0.3의몰비율로혼합된다. 따라서, 이에따라제조된 NTC 써미스터소자는높은저항값대비낮은 B정수를만족하여고온영역에서안정적으로온도측정이가능할뿐만아니라, 저온영역에서도안정적으로온도측정이가능하여다양한온도범위에서의온도센서의활용도를향상시킬수 있다.
摘要翻译: 包括:用于产生用于热敏电阻NTC温度传感器和与用于热敏电阻温度传感器NTC陶瓷组合物的陶瓷烧结体相同的方法,NTC热敏电阻元件,它被公开。 根据本发明的实施例的用于NTC热敏电阻温度传感器陶瓷组合物包括:(a)LAO,(b)中的AlO,(c)包括一个的ZrO和(d)的MnO,0.6〜0.9,(B)0.1〜0.4, (c)0.7至0.8和(d)0.2至0.3。 因此,yiettara制造NTC热敏电阻元件是相对于所述温度传感器以满足低常数B不仅可靠地尽可能高的电阻值的利用率,在低温区域中的高温区域中测量的温度,并稳定地测量温度eseoui很宽的温度范围 可以改进。
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公开(公告)号:KR1020170085440A
公开(公告)日:2017-07-24
申请号:KR1020170003783
申请日:2017-01-10
申请人: 장 춘 페트로케미컬 컴퍼니 리미티드
CPC分类号: B32B15/01 , B32B37/10 , B32B37/1284 , B32B37/16 , B32B2311/12 , B32B2311/22 , B32B2457/00 , C25D1/04 , C25D3/12 , C25D3/38 , C25D5/14 , C25D7/0614 , C25D7/0621 , H01C1/1406 , H01C7/008 , H01C7/027 , H01C17/28 , H05K1/09 , H05K2201/0355 , H05K2203/0307 , C25D5/12 , C25D5/16 , H01C7/022
摘要: 본개시는니켈도금된동박에관한것이다. 상기도금된동박은 PTC (Positive Temperature Coefficient) 장치에서특히유용하다. 상기도금된동박은 50 내지 200의표면경도, 45 kg/mm보다큰 인장강도및 2.0 ㎛이하의광택면표면조도(Rz)를갖는다. 상기동박의무광택면표면조도(Rz)는 6 내지 10 ㎛범위이다. 구리노듈은상기동박과상기니켈도금사이의상기동박의무광택면에존재한다. 동박및 PTC 장치를제조하는방법또한개시되어있다.
摘要翻译: 本公开涉及镀镍铜箔。 镀铜箔在PTC(正温度系数)器件中特别有用。 电镀铜箔的表面硬度为50〜200,拉伸强度超过45kg / mm,光泽面粗糙度(Rz)为2.0μm以下。 铜箔的粗糙表面粗糙度Rz在6至10μm的范围内。 在铜箔和镀镍层之间的铜箔的无光泽表面上存在铜结节。 还公开了制造铜箔和PTC器件的方法。
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公开(公告)号:KR1020160048761A
公开(公告)日:2016-05-04
申请号:KR1020167001545
申请日:2014-08-15
申请人: 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤
摘要: 서미스터에사용되는금속질화물재료로서, 일반식 : M(AlSi)(NO)(단, M 은 Ti, V, Cr, Mn, Fe 및 Co 중적어도 1 종을나타낸다. 0.0
摘要翻译: 用于热敏电阻的金属氮化物材料是由通式M(AlSi)(NO)表示的金属氮化物材料,其中M表示Ti,V,Cr,Mn,Fe和Co中的至少一种, Y /(X + Y)≤0.98,0.45≤Z≤0.55,0
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公开(公告)号:KR1020160046788A
公开(公告)日:2016-04-29
申请号:KR1020167001264
申请日:2014-08-15
申请人: 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤
摘要: 서미스터에사용되는금속질화물재료로서, 일반식:M(AlSi)N(단, M 은 Ti, V, Cr, Mn, Fe 및 Co 중적어도 1 종을나타낸다. 0.0
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公开(公告)号:KR101587607B1
公开(公告)日:2016-01-21
申请号:KR1020140107705
申请日:2014-08-19
申请人: 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
CPC分类号: H01C7/008 , H01F27/2804 , H01F27/292 , H01G4/228 , H01G4/232 , H01G4/30 , H01L41/0472 , H01L41/0477 , H01L41/083
摘要: 전자부품본체에금속단자가장착된세라믹전자부품에있어서, 그세라믹전자부품을실장기판에리플로우처리에의해실장할때에, 금속단자로부터전자부품본체가탈락하는것을방지할수 있는세라믹전자부품을제공한다. 세라믹전자부품(1)은, 전자부품본체(10)와제1 및제2의금속단자(12,13)에의해구성된다. 전자부품본체(10)는세라믹소체(16)와제1 및제2의외부전극(18a,18b)을가진다. 그리고, 전자부품본체(10)의제1 및제2의외부전극(18a,18b)과제1 및제2의금속단자(12,13)가 Sn을주성분으로하는솔더(14)에의해접속되어형성되어있다. 제1 및제2의금속단자(12,13)와제1 및제2의외부전극(18a,18b)의접합계면에있어서의적어도일부에는 Ni-Sn을포함하는합금층(46)이형성되어있다.
摘要翻译: 在陶瓷电子部件是安装在电子部件主体的金属端子,提供的陶瓷电子部件的安装基板伊利在由流程处理安装时,能够防止电子部件主体从金属端子消除陶瓷电子部件 的。 陶瓷电子装置(1)由金属沃赫的电子部件主体10 1个mitje第二端子(12,13)构成。 电子部件主体10具有陶瓷基体16沃赫1 mitje 2意外子电极(18A,18B)。 然后,电子部件主体10议程1 mitje 2意外子电极(18A,18B)的任务1个mitje第二金属端子12和被形成13由主要由锡的焊料14相连接。 至少mitje沃赫的第1金属端子(12,13)2 1 2 mitje意外子电极之间的接合界面的部分(18A,18B)具有在合金层46是可释放的,包含Ni-Sn等。
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公开(公告)号:KR1020150103726A
公开(公告)日:2015-09-11
申请号:KR1020157021068
申请日:2014-02-17
申请人: 티디케이가부시기가이샤
IPC分类号: C04B35/468 , C04B35/64
CPC分类号: H01C7/025 , C04B35/4682 , C04B2235/3201 , C04B2235/3208 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3239 , C04B2235/3251 , C04B2235/3262 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , H01C1/1406 , H01C7/008 , H01C7/02
摘要: Pb를 사용하지 않고 퀴리점을 120℃보다 고온측으로 시프트시키고, 대기 중의 소성으로도 용이하게 반도체화되고, 상온 비저항이 작고, 또한 경시 변화가 작은 티탄산바륨계 PTC 서미스터 자기 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다. 하기 일반식 (1)로 표시되는 티탄산바륨계 화합물을 주성분으로 하는 소결체를 구비하고 있고; 상기 소결체는, Ti 사이트 1mol에 대해, Ca를 원소 환산으로 0.01mol 이상, 0.05mol 미만의 비율로 함유하는 것을 특징으로 한다.
(1)
(2)
(3)
(4)摘要翻译: 不使用Pb的钛酸钡基PTC热敏电阻陶瓷组合物。 其居里温度转移到高于120℃的温度。即使在空气中烧结,PTC热敏电阻也可以容易地转动半导体。 25℃时的电阻率较低,25℃时的电阻率随时间的变化率很小。 PTC热敏电阻陶瓷组合物包括具有由式(1)表示的钛酸钡系化合物作为主要成分的(Ba1-xy-wBixAyREw)α(Ti1-zTMz)O3(1)的烧结体,其中,1.02y≦̸ x& ; 1.5y(2),0.007≦̸ y≦̸ 0.125(3),0≦̸(w + z)≦̸ 0.01(4),0.97≦̸α≦̸ 1.06(5) 相对于元素换算的Ti部位为1摩尔,为0.01摩尔以上且小于0.05摩尔。
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