公开(公告)号：KR101879062B1

公开(公告)日：2018-07-16

申请号：KR1020160160740

申请日：2016-11-29

申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

发明人： 시에보웬 ,  로이춘 ,  시에웬지아

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/02 ,  H01L29/66 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/417

CPC分类号： H01L29/42376 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32139 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66492 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636

摘要： 게이트구조체는반도체기판위에게이트영역을규정하는적어도하나의스페이서, 반도체기판위에게이트영역상에배치된게이트유전층, 게이트유전층위에배치되고스페이서의내부측벽의하단표면을라이닝(lining)하는제1 일함수금속층과, 제1 일함수금속층에의해부분적으로둘러싸인충전금속을포함한다. 충전금속은제1 부분및 제2 부분을포함하고, 제1 부분은제2 부분과반도체기판사이에있으며, 제2 부분은제1 부분보다넓다.

公开(公告)号：KR1020170063398A

公开(公告)日：2017-06-08

申请号：KR1020160160740

申请日：2016-11-29

申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

发明人： 시에보웬 ,  로이춘 ,  시에웬지아

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/02 ,  H01L29/66 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/417

CPC分类号： H01L29/42376 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32139 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66492 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636

摘要： 게이트구조체는반도체기판위에게이트영역을규정하는적어도하나의스페이서, 반도체기판위에게이트영역상에배치된게이트유전층, 게이트유전층위에배치되고스페이서의내부측벽의하단표면을라이닝(lining)하는제1 일함수금속층과, 제1 일함수금속층에의해부분적으로둘러싸인충전금속을포함한다. 충전금속은제1 부분및 제2 부분을포함하고, 제1 부분은제2 부분과반도체기판사이에있으며, 제2 부분은제1 부분보다넓다.

摘要翻译： 栅极结构具有至少一个间隔物的第一功函数，衬设置在栅极电介质层和设置在栅极区的半导体衬底（衬里）上的间隔物，其限定一个半导体衬底上的栅极区域的内侧壁高于栅极介电层的底表面 金属层和部分被第一功函数金属层包围的填充金属。 带电金属包括第一部分和第二部分，所述第一部分是所述第二部分和所述半导体基板之间，所述第二部分比第一部分宽。