公开(公告)号：KR101910243B1

公开(公告)日：2018-10-19

申请号：KR1020160112624

申请日：2016-09-01

申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

发明人： 리포수에 ,  예치양 ,  샤오춘찬 ,  예쿠안린 ,  후앙위안쉥

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/823456 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823842 ,  H01L27/088 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66545

摘要： 반도체장치를제조하는방법에서, 더미게이트구조체가기판위에형성된다. 제1 절연층은제1 더미게이트구조체위에형성된다. 상기제1 절연층내에게이트공간을형성하도록상기더미게이트구조체가제거된다. 감소된게이트공간을형성하도록제1 전도층이상기게이트공간내에형성된다. 상기감소된게이트공간이상기제1 전도층과는상이한물질로제조된제2 전도층으로채워진다. 제1 게이트리세스를형성하도록상기채워진제1 전도층과상기제2 전도층이리세싱된다. 제3 전도층이, 상기제1 게이트리세스내의상기제2 전도층및 상기제1 전도층위에형성된다. 상기채워진제1 전도층과상기제2 전도층을리세싱한후에, 상기제2 전도층은상기제1 전도층으로부터돌출하는것인, 반도체장치를제조하기위한방법.

公开(公告)号：KR101901018B1

公开(公告)日：2018-09-20

申请号：KR1020160133507

申请日：2016-10-14

申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

发明人： 첸진다 ,  시에밍펭 ,  우한웨이 ,  린유시엔 ,  리우포천 ,  첸스탄

IPC分类号： H01L21/027 ,  H01L21/56 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/283 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/823456 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/78

摘要： 제1, 제2, 및제3 트렌치는기판위의층 내에형성된다. 제3 트렌치는제1 트렌치및 제2 트렌치보다실질적으로더 넓다. 제1, 제2 및제3 트렌치들은제1 도전성재료로부분적으로채워진다. 제1 반사방지재료는제1, 제2, 및제3 트렌치들위에코팅된다. 제1 반사방지재료는제1 표면토포그래피편차를갖는다. 제1 반사방지재료를부분적으로제거하기위하여제1 에치백 프로세스가수행된다. 그후, 제2 반사방지재료는제1 반사방지재료위에코팅된다. 제2 반사방지재료는제1 표면토포그래피편차보다더 작은제2 표면토포그래피편차를갖는다. 제1 및제2 트렌치들내에제2 반사방지재료를적어도부분적으로제거하기위하여제2 에치백 프로세스가수행된다. 그후, 제1 트렌치및 제2 트렌치내에제1 도전성재료가부분적으로제거된다.

公开(公告)号：KR101900202B1

公开(公告)日：2018-09-18

申请号：KR1020170119799

申请日：2017-09-18

申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

发明人： 린유헝 ,  쳉홍후에이 ,  리우치웬

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L29/78 ,  H01L29/66 ,  H01L29/49 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L23/535 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76889 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/823821 ,  H01L23/485 ,  H01L23/53266 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/78696

摘要： 반도체디바이스는콘택영역을포함하는반도체기판, 콘택영역상에존재하는실리사이드, 반도체기판상에존재하며콘택영역의일부분을노출시키기위해개구부를포함하는유전체층, 개구부내에존재하는도체, 도체와유전체층사이에존재하는장벽층, 및장벽층과유전체층사이에존재하는금속층을포함하고, 실리사이드의 Si 농도는실리사이드의높이를따라변화한다.

公开(公告)号：KR101879062B1

公开(公告)日：2018-07-16

申请号：KR1020160160740

申请日：2016-11-29

申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

发明人： 시에보웬 ,  로이춘 ,  시에웬지아

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/02 ,  H01L29/66 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/417

CPC分类号： H01L29/42376 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32139 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66492 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636

摘要： 게이트구조체는반도체기판위에게이트영역을규정하는적어도하나의스페이서, 반도체기판위에게이트영역상에배치된게이트유전층, 게이트유전층위에배치되고스페이서의내부측벽의하단표면을라이닝(lining)하는제1 일함수금속층과, 제1 일함수금속층에의해부분적으로둘러싸인충전금속을포함한다. 충전금속은제1 부분및 제2 부분을포함하고, 제1 부분은제2 부분과반도체기판사이에있으며, 제2 부분은제1 부분보다넓다.

公开(公告)号：KR101878114B1

公开(公告)日：2018-07-12

申请号：KR1020177022979

申请日：2016-01-21

申请人： 실리콘 스토리지 테크놀로지 인크

发明人： 양젱-웨이 ,  첸춘-밍 ,  우만-탕 ,  조우펭 ,  리우시안 ,  수치엔-쉥 ,  두난

IPC分类号： H01L27/11524 ,  H01L27/11536 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66 ,  H01L29/788 ,  H01L21/28 ,  H01L21/306

CPC分类号： H01L27/11524 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/30604 ,  H01L27/11536 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7881

摘要： 채널영역이사이에있는이격된제1 영역및 제2 영역을형성하고, 채널영역의제1 부분위에그로부터절연되는플로팅게이트를형성하고, 플로팅게이트위에그로부터절연되는제어게이트를형성하고, 제1 영역위에그로부터절연되는소거게이트를형성하고, 채널영역의제2 부분위에그로부터절연되는선택게이트를형성함으로써, 메모리디바이스를형성하는방법이기술된다. 플로팅게이트를형성하는것은기판상에제1 절연층을형성하는것, 제1 절연층 상에제1 전도성층을형성하는것, 및 2개의개별에칭들을수행하여제1 전도성층을통하는제1 및제2 트렌치들을형성하는것을포함한다. 제1 트렌치에있는제1 전도성층의측벽은네거티브기울기를갖고, 제2 트렌치에있는제1 전도성층의측벽은수직이다.

公开(公告)号：KR20180059650A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：KR20160158658

申请日：2016-11-25

IPC分类号： C11D1/00 ,  C11D3/48 ,  C11D11/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/321 ,  H01L21/67 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L21/67051 ,  C11D1/12 ,  C11D1/146 ,  C11D1/29 ,  C11D3/201 ,  C11D3/2017 ,  C11D3/2044 ,  C11D3/2068 ,  C11D3/28 ,  C11D3/32 ,  C11D3/3445 ,  C11D3/43 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02065 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/67017 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66803

摘要： 본발명은유기물세정조성물, 세정장치, 및그를이용한반도체소자의제조방법을개시한다. 그의조성물은계면활성제, 탈이온수, 및유기용매를포함한다. 상기계면활성제는 0.03 M 내지 0.003M의농도를가질수 있다.

公开(公告)号：KR101861713B1

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：KR1020137004045

申请日：2011-07-26

申请人： 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드

发明人： 시마다,켄지 ,  마츠나가,히로시 ,  아베,코지로 ,  야마다,켄지

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/401 ,  C09K13/06 ,  C09K13/08 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/66545

摘要： 실리콘자연산화막, 나아가실리콘으로이루어진더미게이트를선택적으로에칭함으로써, 고정도, 고품질의트랜지스터를수율좋게제조하는방법을제공한다. 기판상에, 적어도고유전재료막과그 표면에실리콘자연산화막을갖는실리콘으로이루어진더미게이트가적층된더미게이트적층체, 상기적층체의측면을덮도록마련되는사이드월, 및상기사이드월을덮도록마련되는층간절연막을갖는구조체를이용하고, 소정의에칭액을이용하는에칭공정을가지면서, 상기더미게이트를알루미늄금속게이트로교체하는것을특징으로하는트랜지스터의제조방법이다.

公开(公告)号：KR20180035014A

公开(公告)日：2018-04-05

申请号：KR20160124959

申请日：2016-09-28

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/3205 ,  H01L29/417 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L29/45 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/535 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7851

摘要： 본발명의일 실시예는, 활성영역을갖는기판과, 상기활성영역에배치된게이트구조물과, 상기게이트구조물의양측에위치한상기활성영역내에배치되며, 각각리세스가형성된상면을갖는소스및 드레인영역들과, 상기소스및 드레인영역들상부에배치되며상기리세스영역의내부로부터상기기판의상면에거의수직방향으로형성된콘택플러그와, 상기리세스의내부표면을따라배치되며, 상기리세스영역의저면과상기콘택플럭그의하면사이에위치한제1 부분과상기제1 부분에연결되며상기리세스의측벽과상기콘택플러그의측면사이에위치한제2 부분을포함하는금속실리사이드막과, 상기금속실리사이드막의상단에연결되며상기콘택플러그의측면의일부영역상에배치된금속층을포함하는반도체장치를제공한다.

摘要翻译： 一种半导体器件包括：衬底，包括有源区域，栅极结构，源极/漏极区域，源极/漏极区域中的具有形成有凹陷区域的上表面的源极/漏极区域，源极/漏极区域上的接触栓塞以及延伸 在从所述凹陷区域的内部基本上垂直于所述基板的上表面的方向上，在所述凹陷区域的内表面上的金属硅化物膜，并且所述金属硅化物膜包括在所述凹陷区域的底表面与所述凹陷区域的下表面之间的第一部分， 所述接触插塞以及位于所述凹陷区域的侧壁和所述接触插塞的侧表面之间的第二部分以及连接至所述金属硅化物膜的上部以及所述接触插塞的区域的侧表面上的金属层 。

公开(公告)号：KR20180032359A

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：KR20160121465

申请日：2016-09-22

申请人： SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD

发明人： KIM CHANG HWA ,  JUN HWI CHAN ,  CHOI KYUNG IN ,  HWANG IN CHAN

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/417 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L27/0886 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823481 ,  H01L23/5283 ,  H01L27/0207 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545

摘要： 집적회로소자는기판의소자활성영역상에서기판으로부터돌출된핀형활성영역과, 핀형활성영역의상면및 양측벽을덮는게이트라인과, 상기게이트라인의양 측벽을덮는절연스페이서와, 핀형활성영역상에서게이트라인의양 측에서형성된한 쌍의소스/드레인영역과, 한쌍의소스/드레인영역중 적어도하나의소스/드레인영역에연결된제1 도전성플러그와, 게이트라인의위에서상기게이트라인과평행하게연장되고서로다른조성을가지는적어도 2 개의층을포함하는복합캡핑층을포함한다.

摘要翻译： 一种集成电路器件，包括：衬底，包括器件有源区，在器件有源区上从衬底突出的鳍式有源区，与鳍式有源区交叉并且与鳍式有源区的表面和相对侧壁重叠的栅极线， 在所述栅极线的侧壁上设置的绝缘间隔物，在所述栅极线的相对侧处设置在所述鳍式有源区上的源极区和漏极区，连接所述源极或漏极区的第一导电插塞，以及 设置在栅极线上并平行于栅极线延伸的覆盖层。 覆盖层包括与栅极线重叠的第一部分以及与绝缘间隔物重叠的第二部分。 第一和第二部分相对于彼此具有不同的组成。 第二部分接触第一部分和第一导电插头。

公开(公告)号：KR101843227B1

公开(公告)日：2018-03-28

申请号：KR1020150026678

申请日：2015-02-25

申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

发明人： 장지안시우코 ,  왕팅춘 ,  젱치청 ,  리우치웬

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/02 ,  H01L29/10 ,  H01L29/51

CPC分类号： H01L29/6659 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823842 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/165 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66613 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848

摘要： 본발명의집적회로디바이스는반도체기판, 및반도체기판상부에배치된게이트스택을포함한다. 게이트스택은반도체기판상부에배치된게이트유전체층, 게이트유전체층상부에배치된다기능차단/습윤층으로서탄탈알루미늄탄소질화물(TaAlCN)을포함하는다기능차단/습윤층, 다기능차단/습윤층상부에배치된일함수층, 및일함수층상부에배치된도전성층을더 포함한다.

摘要翻译： 本发明的集成电路器件包括半导体衬底和设置在半导体衬底上的栅极叠层。 栅极堆叠是栅介电层，设置于上述功能块/含润湿层钽铝氮化碳（TaAlCN）多功能块/润湿层，所述一个放置在布置在半导体衬底上方的多功能块/润湿层的栅介电层 功能层和设置在功能层上的导电层。