公开(公告)号：KR101795875B1

公开(公告)日：2017-11-08

申请号：KR1020150179147

申请日：2015-12-15

申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

发明人： 차이천쉬엉 ,  유궈펭 ,  첸케이웨이

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/66 ,  H01L21/027

CPC分类号： H01L29/7834 ,  H01L21/2236 ,  H01L21/2254 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/324 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/66492 ,  H01L29/66803

摘要： 반도체구조물은, 기판, 제1 반도체핀, 제2 반도체핀, 및제1 저농도도핑된드레인(LDD) 영역을포함한다. 제1 반도체핀은기판상에배치된다. 제1 반도체핀은상부표면및 측벽을갖는다. 제2 반도체핀은기판상에배치된다. 제1 반도체핀과제2 반도체핀은나노스케일간격으로서로떨어져있다. 제1 저농도도핑된드레인(LDD) 영역은적어도제1 반도체핀의상부표면및 측벽에배치된다.

摘要翻译： 该半导体结构包括衬底，第一半导体鳍片，第二半导体鳍片以及轻掺杂漏极（LDD）区域。 第一半导体鳍片设置在基板上。 第一半导体鳍片具有上表面和侧壁。 第二半导体鳍片设置在基板上。 第一个半导体引脚任务2半导体引脚以纳米级间隔相互隔开。 第一轻掺杂漏极（LDD）区域至少设置在第一半导体鳍片的顶面和侧壁上。

公开(公告)号：KR1020160125870A

公开(公告)日：2016-11-01

申请号：KR1020150179147

申请日：2015-12-15

申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

发明人： 차이천쉬엉 ,  유궈펭 ,  첸케이웨이

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/66 ,  H01L21/027

CPC分类号： H01L29/7834 ,  H01L21/2236 ,  H01L21/2254 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/324 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/66492 ,  H01L29/66803

摘要： 반도체구조물은, 기판, 제1 반도체핀, 제2 반도체핀, 및제1 저농도도핑된드레인(LDD) 영역을포함한다. 제1 반도체핀은기판상에배치된다. 제1 반도체핀은상부표면및 측벽을갖는다. 제2 반도체핀은기판상에배치된다. 제1 반도체핀과제2 반도체핀은나노스케일간격으로서로떨어져있다. 제1 저농도도핑된드레인(LDD) 영역은적어도제1 반도체핀의상부표면및 측벽에배치된다.

摘要翻译： 半导体结构包括衬底，第一半导体鳍片，第二半导体鳍片和第一轻掺杂漏极（LDD）区域。 第一半导体鳍片设置在基板上。 第一半导体鳍具有顶表面和侧壁。 第二半导体翅片设置在基板上。 第一半导体鳍片和第二半导体鳍片以纳米级距离彼此分离。 第一轻掺杂漏极（LDD）区域至少设置在第一半导体鳍片的顶表面和侧壁中。