利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

70 条记录 (耗时 0.025 秒)

    구리 나노 와이어를 합성하기 위한 조성물 및 이를 사용한 구리 나노 와이어의 제조 방법
    3.
    发明公开
    구리 나노 와이어를 합성하기 위한 조성물 및 이를 사용한 구리 나노 와이어의 제조 방법 审中-实审
    用于制备铜纳米微粒的组合物和使用其制备铜纳米微粒的方法

    公开(公告)号：KR1020160076897A

    公开(公告)日：2016-07-01

    申请号：KR1020140187505

    申请日：2014-12-23

    申请人： 솔브레인 주식회사

    发明人： 이정호 ,  김석주

    IPC分类号： B22F9/24

    CPC分类号： B22F9/24 ,  B22F2009/245

    摘要： 본발명은구리나노와이어를합성하기위한조성물로서, 물을포함하는용매, 수용성구리염, 환원제, 포름아미드계화합물및 카르복실산화합물을포함하는조성물및 이를사용한구리나노와이어의제조방법을개시한다. 본발명에따르면, 수계에서균일한구리나노와이어를제조할수 있으며, 제조된구리나노와이어는높은분산안정성을가질수 있다.

    摘要翻译： 本发明涉及一种用于合成铜纳米线的组合物。 公开了使用该组合物制造铜纳米线的方法，该组合物包含：含有水的溶剂; 水溶性铜盐; 还原剂; 甲酰胺类化合物; 和羧酸化合物。 根据本发明，可以制造在水系统中具有均匀质量的铜纳米线，其中制造的铜纳米线可以具有高的分布稳定性。

    은 나노와이어 제조방법
    6.
    发明公开
    은 나노와이어 제조방법 无效
    银纳米粒的制备方法

    公开(公告)号：KR1020140104934A

    公开(公告)日：2014-08-29

    申请号：KR1020140062779

    申请日：2014-05-26

    申请人： 주식회사 씨스리나노코리아

    发明人： 왕태준 ,  이은욱

    IPC分类号： B22F9/24

    CPC分类号： B22F9/24 ,  B22F1/0025 ,  B22F2009/245 ,  B22F2304/05

    摘要： The present invention relates to a method of preparing a silver nanowire which satisfies the diameter and length required for a flexible transparent electrode material. According to the present invention, the method includes the steps of preparing a first solution containing silver halide and a polyol solvent and a second solution containing a capping reagent, a halogen catalyst, and a polyol solvent; heating the second solution; and mixing the second solution with the first solution to make the silver nanowire. The diameter, length, and aspect ratio of the silver nanowire are controlled through metal reducing power, thus having the diameter of average 30 nm or less, the length of 25 to 35 μm, and high aspect ratio required for a flexible transparent conductive film to improve the yield of the silver nanowire over 90 mol% of the silver halide injected.

    摘要翻译： 本发明涉及一种制备满足柔性透明电极材料所需的直径和长度的银纳米线的方法。 根据本发明，该方法包括以下步骤：制备含有卤化银和多元醇溶剂的第一溶液和含有封端剂，卤素催化剂和多元醇溶剂的第二溶液; 加热第二溶液; 并将第二溶液与第一溶液混合以制备银纳米线。 银纳米线的直径，长度和长宽比通过金属还原能力来控制，因此具有平均30nm或更小的直径，25至35μm的长度，以及柔性透明导电膜所需的高纵横比 提高银纳米线的产率超过90 mol％的卤化银注入。

    연속식 무전해 공침 나노입자 제조장치
    7.
    发明公开
    연속식 무전해 공침 나노입자 제조장치 有权
    电沉积纳米颗粒共沉淀的制备装置

    公开(公告)号：KR1020140098911A

    公开(公告)日：2014-08-11

    申请号：KR1020130010950

    申请日：2013-01-31

    申请人： 한국기계연구원

    发明人： 박희창 ,  윤동원

    IPC分类号： B22F9/24 ,  B82B3/00 ,  H01L31/042

    CPC分类号： Y02E10/50 ,  B22F9/24 ,  B22F2009/245

    摘要： The present invention relates to an apparatus for manufacturing a continuous electroless coprecipitation nanoparticle and, more specifically, to an apparatus for manufacturing a continuous electroless coprecipitation nanoparticle capable of easily and continuously precipitating CIGS, instead of once, through a chemical method such as reduction when a CIGS particle used for a thin film solar cell is manufactured. According to an embodiment of the present invention, the apparatus for manufacturing a continuous electroless coprecipitation nanoparticle is capable of precipitating CIGS particles in different sizes by controlling various conditions, and being used for precipitating Cu, In, Ga, and Se nanoparticles from a precipitating target metallic salt mixture.

    摘要翻译： 本发明涉及一种用于制造连续无电共沉淀纳米颗粒的装置，更具体地说，涉及一种能够容易且连续地沉淀CIGS的连续无电共沉淀纳米颗粒的制造装置，而不是一次通过化学方法如例如 制造用于薄膜太阳能电池的CIGS颗粒。 根据本发明的一个实施方案，连续无电共沉淀纳米颗粒的制造装置能够通过控制各种条件沉淀出不同尺寸的CIGS颗粒，并用于从沉淀目标沉淀Cu，In，Ga和Se纳米颗粒 金属盐混合物。

    금속입자, 이를 이용하는 도전입자 및 그 제조방법
    8.
    发明授权
    금속입자, 이를 이용하는 도전입자 및 그 제조방법 有权
    金属颗粒，导电颗粒及其制造方法

    公开(公告)号：KR101388604B1

    公开(公告)日：2014-04-23

    申请号：KR1020130143688

    申请日：2013-11-25

    申请人： 덕산하이메탈(주)

    发明人： 손원일 ,  김철희 ,  송재형 ,  오상진

    IPC分类号： B22F1/00 ,  B22F1/02 ,  B22F9/24 ,  H01B5/00

    CPC分类号： B22F1/007 ,  B22F1/025 ,  B22F9/24 ,  B22F2009/245 ,  B22F2301/15 ,  B22F2301/25 ,  B22F2304/10 ,  H05K1/092

    摘要： The present invention relates to a metallic particle having an average diameter of 1-20 μm and provided with a protrusion at an outer surface thereof. The protrusion is integrally formed in the metallic particle. The protrusion has three equal parts of a base part, an intermediate part, and a distal end part divided in height from the base part to the distal end part. When the base part, the intermediate part, and the distal end part have average diameters of A, B, and C, respectively, the relationship of A>B>C is made. [Reference numerals] (AA) Distal end part; (BB) Intermediate part; (CC) Base part; (DD) Height; (EE) Protrusion; (FF) Diameter

    摘要翻译： 本发明涉及平均直径为1-20μm并在其外表面设置有突起的金属颗粒。 突出部一体地形成在金属颗粒中。 突出部具有从基部到远端部的高度分割的基部，中间部和远端部的三个相等部分。 当基部，中间部分和远端部分别具有A，B和C的平均直径时，制成A> B> C的关系。 （附图标记）（AA）末端部; （BB）中间部分; （CC）基础部分; （DD）身高; （EE）突出; （FF）直径

    이온성 액체를 이용한 금속 나노구조체의 제조방법
    10.
    发明公开
    이온성 액체를 이용한 금속 나노구조체의 제조방법 有权
    使用离子液体生产金属纳米结构的方法

    公开(公告)号：KR1020100112049A

    公开(公告)日：2010-10-18

    申请号：KR1020090030599

    申请日：2009-04-08

    申请人： 인스콘테크(주) ,  솔로테크 주식회사

    发明人： 서광석 ,  김종은 ,  김태영

    IPC分类号： B82B3/00 ,  B82B1/00

    CPC分类号： B22F9/24 ,  B22F2009/245 ,  B22F2999/00 ,  B22F1/0025 ,  B22F2001/0037 ,  B22F2301/25 ,  B22F2301/35 ,  B22F2301/15 ,  B22F2301/30

    摘要： PURPOSE: A method for manufacturing metal nanostructure is provided to uniformly produce metal structure of various forms using ionic liquid. CONSTITUTION: A method for manufacturing metal nanostructure comprises a step of mixing ionic liquid, metal salt and reduction solvent and reacting to form metal nanostructure of various shapes. A method for determining the form of metal nanostructure comprises: a step of forming one-dimensional structure such as nanowire using ionic liquid with anion of sulfide having alkylsulfate(RSO_4^-) or akylsulfonate(RSO_3^-); a step of forming three dimensional structure using an ionic liquid with anion of halides; and a step of forming octahedron structure in case of bromine anion(Br^-).

    摘要翻译： 目的：提供一种制造金属纳米结构的方法，以均匀地生产使用离子液体的各种形式的金属结构。 构成：制造金属纳米结构的方法包括将离子液体，金属盐和还原溶剂混合并反应形成各种形状的金属纳米结构的步骤。 用于确定金属纳米结构形式的方法包括：使用具有硫酸烷基硫酸盐（RSO 4 - ）或烷基磺酸盐（RSO 3 3-）的阴离子的离子液体形成诸如纳米线的一维结构的步骤; 使用具有卤化物阴离子的离子液体形成三维结构的步骤; 在溴阴离子（Br - ）的情况下形成八面体结构的步骤。