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公开(公告)号:KR102480158B1
公开(公告)日:2022-12-21
申请号:KR1020207019236
申请日:2018-12-05
摘要: 20 nm 미만의평균직경및 직경의작은표준편차를갖는매우균일하고얇은은 나노와이어가기술된다. 은나노와이어는높은종횡비를갖는다. 은나노와이어는 18 nm 보다큰 직경을갖는적은수의나노와이어뿐만아니라희석용액중에서청색시프트된좁은흡수스펙트럼을특징으로한다. 좁은균일한은 나노와이어의합성을가능하게하는방법이기재된다. 얇은균일한은 나노와이어로부터형성된투명전도성필름은매우낮은수준의헤이즈및 낮은값의△L*를가질수 있어서, 투명전도성필름은흑색배경의외관의변화가거의없을수 있다.
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公开(公告)号:KR102474608B1
公开(公告)日:2022-12-06
申请号:KR1020170165264
申请日:2017-12-04
摘要: 본발명은적층구조를이용한파워모듈을확장시켜구현가능한전기차용 3상구동모듈에관한것으로, 본발명의일실시예에따른적층구조를이용한파워모듈은, 적층구조의중간기판으로서, 특정상의 AC 전원이출력되는금속기판; 상기금속기판의하부측에배치되어상기금속기판에전기적으로연결되고, 외부에있는 DC 전원의 (+) 단자가연결되는하이사이드회로; 및상기금속기판의상부측에배치되어상기금속기판에전기적으로연결되고, 상기 DC 전원의 (-) 단자가연결되는로우사이드회로;를포함한다.
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公开(公告)号:KR102471934B1
公开(公告)日:2022-11-30
申请号:KR1020217023883
申请日:2019-11-08
摘要: 금속분말의소결지연성을높이는데 유용한보다범용적인기술을제안한다. Si, Ti, Al 또는 Zr을함유하는커플링제의 1종이상으로표면처리된금속분말이며, Si, Ti, Al 및 Zr의합계부착량이당해표면처리된금속분말 1g에대하여 200∼10000μg이며, 상기커플링제는 1질량% 농도의수용액으로했을때의 pH가 7 이하이고, 소결개시온도가 500℃이상인, 표면처리된금속분말.
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公开(公告)号:KR102465351B1
公开(公告)日:2022-11-11
申请号:KR1020180032800
申请日:2018-03-21
摘要: 본발명의일 실시예에따른터치센서는감지영역및 상기감지영역의주변에배치되는주변영역을포함한베이스기판; 상기감지영역에제공된복수의센싱전극들; 및상기주변영역에제공되고, 상기센싱전극들에각각연결되며, 서로교번배치되는복수의제1 센싱라인들및 복수의제2 센싱라인들을포함하고, 상기제1 센싱라인들및 상기제2 센싱라인들은상기베이스기판상에제공된제1 금속층; 상기제1 금속층상에제공되고, 상기제1 금속층을노출시키는제1 컨택홀을구비하는제1 절연층; 및상기제1 절연층상에제공되고, 상기제1 컨택홀을통해상기제1 금속층에연결된제2 금속층을포함하며, 상기제1 센싱라인의상기제1 금속층의폭은인접하는제2 센싱라인의상기제1 금속층의폭과다르며, 상기제1 센싱라인의상기제2 금속층의폭은상기제2 센싱라인의상기제2 금속층의폭과다르다.
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公开(公告)号:KR102463361B1
公开(公告)日:2022-11-07
申请号:KR1020210039451
申请日:2021-03-26
摘要: 전극조성물이제공된다. 본발명의일 실시예에의한전극조성물은 XRD 패턴상에서 2θ 38.5 ± 0.1°에서피크를갖는결정상을포함하는은-니켈분말을도전성성분으로써포함한다. 이에의하면, 전극재료로많이사용되는 Ag-Pd 합금을이용했을때와동일하게일반대기분위기소결조건에서소결이가능하고, 구현된전극의비저항특성이동등또는그 이상으로발현하면서도원료단가를현저히낮출수 있다. 또한, 대기분위기로소결이가능하므로대기이외의분위기소결에필요한별도의설비투자나설비운영비용을절감할수 있어서제조비용을크게낮출수 있다. 나아가전극소결후에은의용출이방지또는최소화되어전극전체적으로균일한물성을발현시킬수 있는동시에전극표면품질을담보할수 있는이점이있다. 더불어전극의두께, 폭을목적하는수준으로쉽게구현할수 있어서각종전자부품의전극을구현하는데있어서널리응용될수 있다.
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公开(公告)号:KR102430694B1
公开(公告)日:2022-08-08
申请号:KR1020187009122
申请日:2016-10-12
摘要: 투명기재와, 상기투명기재의적어도한쪽면측에형성된적층체를포함하고, 상기적층체는, 산소와구리와니켈을함유하는흑화층과, 구리층을포함하고, 상기흑화층의막두께는 15㎚이상이며, 상기흑화층이함유하는산소원자와니켈원자의물질량비인 O/Ni가이하의식(1)을만족하는적층체기판을제공한다. 0.1≤O/Ni≤0.8 … (1)
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