公开(公告)号：KR1020150056748A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：KR1020147030499

申请日：2013-12-17

申请人： 창쩌우 스추앙 에너지 테크놀로지 리미티드 코포레이션

发明人： 후리밍 ,  첸페이링

IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0256

CPC分类号： H01L31/0236 ,  C30B19/00 ,  C30B19/12 ,  C30B29/06 ,  C30B29/54 ,  C30B33/10 ,  Y02E10/50

摘要： 본발명에서는단결정실리콘웨이퍼텍스처링첨가제를제공하는바, 이의성분에는폴리에틸렌글리콜, 벤조산나트륨, 시트르산, 가수분해폴리말레인산무수물, 초산나트륨및 여분의물이포함된다. 본발명에서는또한단결정실리콘웨이퍼텍스처링의텍스처링용액을제공하는바, 여기에는알칼리용액과상기텍스처링첨가제가포함되고, 상기텍스처링첨가제와알칼리용액의질량비는 0.2~5:100이며, 상기알칼리용액은무기알칼리또는유기알칼리의수용액이다. 본발명에서는또한단결정실리콘웨이퍼의텍스처링방법을제공하는바, 상기텍스처링용액을이용하여단결정실리콘웨이퍼에대하여표면텍스처링을진행하는것이다. 상기단결정실리콘웨이퍼텍스처링첨가제는단결정실리콘웨이퍼의텍스처링면 제작에이용되고, 대량의이소프로필알코올또는알코올을필요로하지않고, 텍스처링용액의화학적산소수요량을대폭줄이며, 또한균일하고미세하며밀집된텍스처링면 피라미트를취득할수 있기때문에, 텍스처링원가를낮추고환경오염을감소시킬수 있으며, 결정체실리콘태양전지의공정의안정에유리하고비교적훌륭한실용가치를갖는다.

摘要翻译： 本发明提供了一种用于在单晶硅芯片上制备麂皮的添加剂，其包括：聚乙二醇，苯甲酸钠，柠檬酸，水解聚马来酸酐，乙酸钠和水。 本发明还提供了一种用于在单晶硅芯片上制备麂皮的麂皮制备液，其含有上述用于在单晶硅芯片上制备麂皮的添加剂和质量比为0.2-5:100的碱水溶液，其中碱水溶液为 无机或有机碱的水溶液。 本发明还提供了在单晶硅芯片上制备绒面革的方法，通过使用在上述绒面革制备液体的单晶硅芯片的表面上可以制备麂皮绒。 当用于在单晶硅芯片上制备麂皮绒时，添加剂可以形成均匀，细小而致密的绒面金字塔，而不需要大量的异丙醇或乙醇，从而大大降低了麂皮制备液的化学需氧量，因此本发明 降低麂皮制备成本和环境污染，提高晶体硅太阳能电池的技术稳定性，具有很好的实用价值。

公开(公告)号：KR1020110014970A

公开(公告)日：2011-02-14

申请号：KR1020107018044

申请日：2009-05-27

申请人： 스미토모덴키고교가부시키가이샤

发明人： 다나카소 ,  미야하라겐이치 ,  기타바야시히로유키 ,  가타야마고지 ,  모리시타도모노리 ,  모리와케다츠야

IPC分类号： H01L33/02 ,  H01L21/20 ,  C30B19/12 ,  C30B29/42

CPC分类号： H01L33/02 ,  C30B19/00 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02628 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/0079

摘要： 본 발명은 높은 투과 특성을 유지하며, 또한 디바이스를 제작하였을 때에 높은 발광 출력 특성을 갖는 디바이스가 되는, Al
x Ga
(1-x) As(0≤x≤1) 기판, 적외 LED용의 에피택셜 웨이퍼, 적외 LED, Al
x Ga
(1-x) As 기판의 제조 방법, 적외 LED용의 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법 및 적외 LED의 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 Al
x Ga
(1-x) As 기판(10a)은, 주표면(11a)과, 이 주표면(11a)과 반대측의 이면(11b)을 갖는 Al
x Ga
(1-x) As층(11)을 구비한 Al
x Ga
(1-x) As 기판(10a)으로서, Al
x Ga
(1-x) As층(11)에서, 이면(11b)의 Al의 조성비(x)는, 주표면(11a)의 Al의 조성비(x)보다도 높은 것을 특징으로 하고 있다. 또한 Al
x Ga
(1-x) As 기판(10a)은, Al
x Ga
(1-x) As층(11)의 이면(11b)에 접하는 GaAs 기판(13)을 더 구비한다.

公开(公告)号：KR1020090004456A

公开(公告)日：2009-01-12

申请号：KR1020080036360

申请日：2008-04-18

申请人： 한국과학기술원

发明人： 김봉수 ,  유영동

IPC分类号： B82B3/00 ,  B82Y40/00

CPC分类号： C30B19/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01G7/00 ,  C01G55/00 ,  C01P2004/16 ,  C30B19/08 ,  C30B19/12 ,  C30B29/02 ,  C30B29/60

摘要： A noble metal monocrystal nanowire having direction property is provided to manufacture noble metal nanowire using a vapor phase transport process, to have a simple process and reproducibility and to be mass-produced. A noble metal monocrystal nanowire is manufactured is manufactured in a noncatalytic condition by using a precursor including noble metal oxide, precious metal material or halogenation noble metal, and has a direction property with a mono crystal substrate surface of semiconductor or the non-conductor. The direction property is perpendicularity or horizontal directionality. The noble metal oxide is selected from gold oxide or the palladium oxide. The precious metal material is selected from gold or palladium. The halogenation noble metal is selected from halogenation gold or halogenation palladium.

摘要翻译： 提供具有方向特性的贵金属单晶纳米线，以制造使用气相输送工艺的贵金属纳米线，具有简单的工艺和再现性并且可大批量生产。 通过使用包含贵金属氧化物，贵金属材料或卤化贵金属的前体，在非催化条件下制造贵金属单晶纳米线，并且具有与半导体的单晶衬底表面或非导体的方向性质。 方向属性是垂直度或水平方向性。 贵金属氧化物选自氧化金属或氧化钯。 贵金属材料选自金或钯。 卤化贵金属选自卤化金或卤化钯。

公开(公告)号：KR1020080009333A

公开(公告)日：2008-01-28

申请号：KR1020077029431

申请日：2006-06-16

申请人： 도요타 지도샤(주)

发明人： 사카모토히데미츠

IPC分类号： C30B29/36 ,  C30B17/00

CPC分类号： C30B29/36 ,  C30B17/00 ,  C30B19/00 ,  C30B19/04

摘要： A process for producing a silicon carbide single crystal which comprises bringing a silicon-carbide single-crystal substrate into contact with a melt obtained by melting a raw material comprising silicon and carbon to grow a silicon carbide single crystal on the substrate, characterized by conducting at least once a cycle comprising a) a step in which, after the seed crystal substrate is brought into contact with the melt surface to grow a single crystal, the seed crystal substrate is separated from the melt surface to stop the growth of the single crystal, and b) a step in which the seed crystal substrate is brought into contact with the melt surface again to grow the single crystal. This process is further characterized in that the seed crystal is a 6H-type silicon carbide single crystal or a 15R-type silicon carbide single crystal and the target single crystal to be obtained is a 4H-type silicon carbide single crystal.

摘要翻译： 一种碳化硅单晶的制造方法，其特征在于，使碳化硅单晶基板与通过熔融含有硅和碳的原料熔融而得到的熔融物接触，以在基板上生长碳化硅单晶，其特征在于，在 至少一次包括以下步骤：a）在使晶种衬底与熔融表面接触以生长单晶之后，将晶种衬底从熔体表面分离以停止单晶的生长， 以及b）使晶种基板再次与熔融表面接触以使单晶生长的步骤。 该方法的特征还在于晶种为6H型碳化硅单晶或15R型碳化硅单晶，所得到的目标单晶为4H型碳化硅单晶。

公开(公告)号：KR1020020062225A

公开(公告)日：2002-07-25

申请号：KR1020020003158

申请日：2002-01-19

申请人： 호야 가부시키가이샤

发明人： 야기,쿠니아키 ,  나가사와,히로유키

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： C30B19/00 ,  C30B25/00 ,  C30B29/36

摘要： PURPOSE: To obtain a single crystal SiC which has a low plane defect density of SiC and is capable of being produced with good productivity, and a method of producing the same, and to obtain a Sic semiconductor device and a SiC composite material. CONSTITUTION: The method of producing the single crystal SiC has a process of forming a single crystal SiC layer wherein a thin single crystal SiC layer 101a is formed on the surface of a substrate 101 by heating the substrate 101 in the presence of a raw material M containing C and, if necessary, C and Si, and a process of accumulating Sic wherein SiC 101b is accumulated on the single crystal SiC layer 101a formed in the former process, by a gas phase method or a liquid phase method. In the process of forming the single crystal Sic layer, the raw material is fed in the vicinity of the surface of the substrate and a partial pressure of the raw material therein is made higher than a prescribed pressure with respect to that of each impurity-substance, thus the impurity-substance is suppressed to reach the surface of the substrate, so that the process of forming the single crystal SiC is carried out while preventing the surface of the substrate from being etched with the impurity-substance.

摘要翻译： 目的：获得具有低平面缺陷密度的SiC并且能够以高生产率制造的单晶SiC及其制造方法，并获得Sic半导体器件和SiC复合材料。 构成：制造单晶SiC的方法具有形成单晶SiC层的工艺，其中通过在原料M的存在下加热衬底101，在衬底101的表面上形成薄单晶SiC层101a 含有C，如果需要，C和Si，以及通过气相法或液相法将SiC 101b累积在前一工艺形成的单晶SiC层101a上的Si的累积过程。 在形成单晶Sic层的过程中，将原料进料到基板表面附近，使原料的分压比每种杂质物质的规定压力高 因此抑制杂质物质到达基板的表面，从而在防止基板的表面被杂质物质蚀刻的同时进行形成单晶SiC的工序。

公开(公告)号：KR101807544B1

公开(公告)日：2017-12-11

申请号：KR1020150121117

申请日：2015-08-27

申请人： 가부시키가이샤 플로스피아

发明人： 오다마사야 ,  히토라토시미

IPC分类号： H01L51/00

CPC分类号： C30B19/00 ,  C03C17/10 ,  C03C2217/253 ,  C03C2218/112 ,  C23C16/18 ,  C23C16/4486 ,  C30B29/02 ,  H01L21/288 ,  H01L29/45

摘要： 과제: 밀착성이뛰어난금속막을공업적으로유리하게성막할수 있는금속막의형성방법및 그방법에의해형성된금속막을제공한다. 해결수단: 기체위에금속막을형성하는금속막형성방법으로서, 산화제, 킬레이트제또는프로톤산을포함하는유기용매중유기용매중 용해또는분산시켜이루어지는원료용액을안개화하여미스트를발생시키는안개화공정과, 캐리어가스를상기미스트에공급하는캐리어가스공급공정과, 상기캐리어가스에의해상기미스트를상기기체에공급하는미스트공급공정과, 상기미스트를열반응시켜서, 상기기체표면의일부또는전부에상기금속막을적층하는금속막형성공정을포함하는금속막형성방법.

摘要翻译： 挑战：提供形成其可以有利地在商业规模上的粘附方法以及通过该方法形成的金属膜形成的优良的金属膜的金属膜。 溶液是指：在屏幕上作为形成由溶解或在有机溶剂中含有氧化剂，螯合剂或质子酸产生雾分散在有机溶剂中所形成的原料溶液的气雾上形成金属膜的方法中的金属膜的雾状降低的过程，和 载气供应步骤中，通过载气供给雾对基板和，由雾的热反应的雾供给步骤，其中，所述金属至少用于供应载气给该雾的基底表面的部分 以及层压膜的金属膜形成步骤。

公开(公告)号：KR101419553B1

公开(公告)日：2014-07-14

申请号：KR1020087024610

申请日：2007-11-15

申请人： 스미토모덴키고교가부시키가이샤

发明人： 히로타류 ,  우에마츠고지 ,  가와세도모히로

IPC分类号： C30B19/12 ,  C30B29/38 ,  H01L21/205 ,  H01L21/208

CPC分类号： C30B29/403 ,  C30B9/00 ,  C30B19/00 ,  C30B33/10 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02625 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02639 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/08 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32

摘要： 본 발명은 적어도 표면의 전위 밀도가 전면적으로 낮은 대형 III족 질화물 결정의 제조 방법을 제공한다. 본 III족 질화물 결정의 제조 방법은, III족 질화물 종결정을 포함하며, III족 질화물 종결정은 주영역(1s)과 주영역(1s)에 대하여 방향의 극성이 반전하고 있는 극성 반전 영역(1t)을 갖는 하지 기판(1)을 준비하는 공정과, 하지 기판(1)의 주영역(1s) 및 극성 반전 영역(1t) 상에 액상법에 의해 III족 질화물 결정(10)을 성장시키는 공정을 포함하고, 주영역(1s) 상에 성장되는 III족 질화물 결정(10)의 성장 속도가 큰 제1 영역(10s)이, 극성 반전 영역(1t) 상에 성장되는 III족 질화물 결정(10)의 성장 속도가 작은 제2 영역(10t)을 덮는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1020140058515A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：KR1020147002142

申请日：2012-07-25

申请人： 소이텍

发明人： 브뤼엘미쉘

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/02

CPC分类号： C30B19/10 ,  C30B19/00 ,  C30B19/062 ,  C30B29/06 ,  C30B29/08 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02625

摘要： 본 발명은 반도체 물질로 된 기판을 제조하는 방법에 관한 것으로서, 초기 온도에서 제 1 반도체 물질로 된 도너 기판(30)으로부터 출발하는 단계; 상기 도너 기판(30)의 한 표면(31)을 상기 초기 온도보다 높은 온도에서 액체 상태로 유지된 제 2 반도체 물질의 배스(bath)(20)와 접촉시키는 단계; 상기 도너 기판(30)을 응고화된 층으로 더 두껍게 하기 위하여 상기 표면(31) 위에 상기 배스 물질을 응고화시키는 단계를 포함하고, 상기 제 2 반도체 물질은 그의 용융점이 상기 제 1 반도체 물질의 용융점보다 낮거나 같도록 선택되는 것을 특징으로 하는 기판의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명은 또한 상기 방법을 적용하기 위한 장치에도 관한 것이다.

公开(公告)号：KR1020110102743A

公开(公告)日：2011-09-19

申请号：KR1020100021907

申请日：2010-03-11

申请人： 주식회사 글로메탈

发明人： 김형용 ,  변중식 ,  윤정의

IPC分类号： C22C19/05 ,  B22D11/113

CPC分类号： H01L33/0062 ,  C30B19/00 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02628

摘要： 본 발명은 생산성이 향상되도록 이루어진 니켈 초내열 합금의 제조방법에 관한 것이다.
이를 위하여 본 발명은 챔버 내부가 대기압보다 낮은 압력을 갖도록 하는 단계, 상기 챔버내에 구비되는 용해로에서 금속을 녹이는 용해 단계, 상기 금속이 녹은 용융 금속이 수용되는 턴디쉬를 예열하기 위한 예열 단계, 상기 턴디쉬의 하부에 구비되는 스캐닝 유닛에서 가스 분사가 이루어지는 단계, 상기 용융 금속이 상기 용해로에서 출탕되어 상기 턴디쉬로 수용되도록 하는 단계, 상기 턴디쉬에서 배출되는 상기 용융 금속이 상기 스캐닝 유닛에 의해 분무되어 적층 챔버내에 구비되는 기판에 적층되어 성형체가 형성되는 단계, 상기 기판에 적층된 성형체의 형상에 따라 상기 기판의 회전 및 승하강이 이루어지는 단계, 그리고, 상기 기판에 적층 형성된 성형체를 상기 적층 챔버의 외부로 반출하는 단계가 포함되어 이루어지며, 상기 성형체는 중량 %로, 크롬(Cr): 18.0% ~ 21.0%, 티타늄(Ti): 1.8% ~ 2.8%, 알루미늄(Al): 1% ~ 1.8%, 철(Fe): 0% 초과 ~ 3.0% 이하, 탄소(C): 0% 초과 ~ 0.1% 이하, 규소(Si): 0% 초과 ~ 0.10% 이하, 인(P): 0% 초과 ~ 0.03% 이하, 황(S): 0% 초과 ~ 0.015% 이하, 코발트(Co): 0% 초과 ~ 2.0% 이하를 함유하고 나머지는 니켈(Ni)이 함유되어 이루어진 것을 특징으로 하는 니켈 초내열 합금의 제조방법을 제공한다.

公开(公告)号：KR1020100116875A

公开(公告)日：2010-11-02

申请号：KR1020090035522

申请日：2009-04-23

申请人： 한국과학기술원

发明人： 김봉수 ,  한솔

IPC分类号： B82B3/00 ,  H01L21/20 ,  B82Y40/00

CPC分类号： C30B19/00 ,  B22F5/12 ,  B22F2301/25 ,  B22F2304/054 ,  C30B29/02 ,  C30B29/62

摘要： PURPOSE: A single-crystal twin-free noble metal nanowire and a manufacturing method thereof using noble metal halide are provided to control the orientation of the noble metal nanowire formed on a substrate by controlling the temperature of a precursor using the noble metal halide. CONSTITUTION: A manufacturing method of a single-crystal twin-free noble metal nanowire comprises the following steps: locating a noble metal halide as a precursor to the tip-end of a reactor and locating a mono crystal substrate on the rear side of the reactor; and heat processing the reactor from the tip-end to the rear side thereof under fixed pressure and inert gas, to form noble metal nanowires having an epitaxial relation with the substrate on the mono crystal substrate.

摘要翻译： 目的：提供使用贵金属卤化物的单晶无双贵金属纳米线及其制造方法，以通过使用贵金属卤化物控制前体的温度来控制形成在基板上的贵金属纳米线的取向。 构成：单晶双金属贵金属纳米线的制造方法包括以下步骤：将贵金属卤化物作为前体定位在反应器的前端，并将单晶基板定位在反应器的后侧 ; 并且在固定压力和惰性气体下，从反应器的顶端到后侧进行热处理，以形成与单晶衬底上的衬底具有外延关系的贵金属纳米线。