公开(公告)号：KR101895035B1

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：KR1020157007789

申请日：2013-03-15

申请人： 식스포인트 머터리얼즈 인코퍼레이티드 ,  서울반도체 주식회사

发明人： 하시모토타다오 ,  렛츠에드워드 ,  호프시에라

IPC分类号： H01L29/20 ,  H01L29/201 ,  H01L21/02 ,  C30B7/10 ,  C30B29/40 ,  C30B33/00 ,  C30B33/10

CPC分类号： H01L29/201 ,  C30B7/105 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B33/00 ,  C30B33/10 ,  H01L21/02013 ,  H01L21/02019 ,  H01L29/2003

摘要： 본발명은하나의표면이다른표면과시각적으로구별가능한, GaN, AlN, InN, 및이의합금과같은 3족질화물웨이퍼를개시한다. 다중와이어톱과같은기계적방법을가지고 3족질화물의벌크결정으로부터상기웨이퍼를슬라이싱한후, 상기웨이퍼는화학적으로에칭되어상기웨이퍼의하나의표면이다른표면과시각적으로구별가능하게되도록한다. 본발명은또한이러한웨이퍼의제조방법을개신한다.

公开(公告)号：KR101894072B1

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：KR1020137021243

申请日：2012-02-17

申请人： 소이텍

发明人： 피게크리스토프 ,  린도우에드 ,  토마시니피에르

IPC分类号： C30B25/18 ,  C30B29/40 ,  C30B29/38 ,  H01L29/20

CPC分类号： C30B29/40 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/403

摘要： 반도체구조물들및 이들의제조방법과관련한실시예들이개시된다. 일부실시예들에서, 상기방법들은 InGaN과같은 III-V 물질들의반도체구조물들을제조하는데사용될수 있다. In-III-V 반도체층은, 성장표면의온도와같은성장조건들을조절함으로써초-포화구간을생성하여, 포화구간보다높은인듐농도로성장되고, In-III-V 반도체층은포화구간에비해낮춰진 V-피트들의밀도를갖도록성장될것이다.

公开(公告)号：KR101767020B1

公开(公告)日：2017-08-09

申请号：KR1020167007571

申请日：2014-09-17

申请人： 울트라테크 인크.

发明人： 순다람가네쉬 ,  호리룩앤드류엠 ,  스턴스다니엘

IPC分类号： C23C16/30 ,  C23C16/455 ,  C23C16/56 ,  C23C16/46 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/40

CPC分类号： H01L21/0251 ,  C23C16/303 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/46 ,  C23C16/56 ,  C30B25/02 ,  C30B25/183 ,  C30B29/06 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02694 ,  H01L21/3245 ,  H01L29/2003

摘要： 원자층증착 (ALD) 이 80-400 ℃범위의반응온도에서헤테로에피택셜막 성장을위해사용된다. 기판및 막재료들은바람직하게도메인정합에피택시 (DME) 를이용하기위해선택된다. 레이저어닐링시스템은 ALD 에의한성막후 성막층들을열적으로어닐링하기위해사용된다. 바람직한실시형태들에서, 실리콘기판은 AlN 핵생성층이위에놓이고레이저어닐링된다. 그후, GaN 디바이스층들이 ALD 프로세스에의해 AlN 층위에적층되고그 후레이저어닐링된다. 추가적인예의실시형태에서, 트랜지션층은 GaN 디바이스층과 AlN 핵생성층사이에적층된다. 트랜지션층은 AlGaN 화합물을각각포함하는하나이상의상이한트랜지션재료층들을포함하고, 트랜지션층의조성은 AlN 에서 GaN 까지연속적으로달라진다.

摘要翻译： 原子层沉积（ALD）用于在80-400℃范围内的反应温度下进行异质外延膜生长 优选选择衬底和膜材料以利用域匹配外延（DME）。 使用激光退火系统将阻隔涂层热退火至ALD。 在优选实施例中，硅衬底在顶部与AlN成核层进行激光退火。 然后通过ALD工艺将GaN器件层沉积在AlN层上，然后进行激光退火。 在另一个示例性实施例中，在GaN器件层和AlN成核层之间沉积过渡层。 过渡层包括一个或多个不同的过渡材料层，每个过渡材料层包含AlGaN化合物并且过渡层的组成从AlN连续变化到GaN。

公开(公告)号：KR101749781B1

公开(公告)日：2017-06-21

申请号：KR1020127017931

申请日：2011-01-13

申请人： 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤

发明人： 후지토겐지 ,  우치야마야스히로

IPC分类号： C30B29/38 ,  C23C16/34 ,  C30B19/04 ,  H01L21/205

CPC分类号： C01B21/0632 ,  C30B7/10 ,  C30B9/12 ,  C30B25/18 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  Y10T428/24628 ,  Y10T428/31

摘要： 크랙발생을제어하고, Ⅲ족질화물을대면적으로후막인결정으로성장시킬수 있는기초기판을제공한다. Ⅲ족질화물결정을성장시키기위해서이용되는단결정기판으로서, 상기단결정기판의성장면에있어서의물리적형상의휨 양을 Z1(㎛)으로하고, 단결정기판의성장면에있어서의결정학적면 형상의곡률반경으로부터산출된휨 양을 Z2(㎛)로하는경우에, 하기식(1)을만족하는것을특징으로하는단결정기판을제공한다. -40

摘要翻译： 本发明提供一种能够控制裂纹的发生并且将III族氮化物生长成大面积的晶体作为厚膜的基底基板。 Ⅲ组作为单晶衬底，以便生长氮化物晶体中，所述单晶衬底城堡场面与Z1（㎛）的物理形状的挠曲量来使用，并且从该表面形状的曲率在城堡单晶衬底场景结晶半径 （1）在计算出的弯曲量为Z2（占有）时满足。 -40

公开(公告)号：KR101738638B1

公开(公告)日：2017-05-22

申请号：KR1020127032106

申请日：2011-05-11

申请人： 고꾸리쯔 다이가꾸호우징 도쿄노우코우다이가쿠

发明人： 코우키츠,아키노리 ,  쿠마가이,요시나오

IPC分类号： C30B29/38 ,  C30B25/14 ,  C23C16/34

CPC分类号： H01L21/02107 ,  C01G15/00 ,  C23C16/303 ,  C23C16/4488 ,  C30B25/00 ,  C30B25/14 ,  C30B29/403 ,  C30B35/007 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

摘要： 본발명에서는, 금속갈륨과염소가스를반응시켜일염화갈륨가스를생성하는제 1 공정과, 생성한일염화갈륨가스와염소가스를반응시켜삼염화갈륨가스를생성하는제 2 공정을갖는삼염화갈륨가스의제조방법을제공한다.

摘要翻译： 根据本发明，在第一步骤的反应，并产生1天氯化镓气体和氯气通过金属镓和氯三氯化气体镓气体与生成三氯化镓气体的第二工序反应，以产生一个氯化镓气体 及其制造方法。

公开(公告)号：KR101733838B1

公开(公告)日：2017-05-08

申请号：KR1020137003253

申请日：2011-07-14

申请人： 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤 ,  도호쿠 다이가쿠

发明人： 후쿠야마히로유키 ,  아다치마사요시 ,  다나카아키카즈 ,  마에다가즈오

IPC分类号： C30B9/06 ,  C30B9/10 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02 ,  H01L33/00

CPC分类号： C30B19/12 ,  C30B9/06 ,  C30B9/10 ,  C30B19/04 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02625 ,  H01L33/007 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 저렴하고양질의질화알루미늄결정의제조방법을제공한다. Ga-Al 합금융액(4)에질소가스를도입하고, Ga-Al 합금융액(4)중의종결정기판(3) 상에질화알루미늄결정을에피택셜성장시킨다. 질화알루미늄결정의육성온도를 1000℃이상 1500℃이하의범위로하는것에의해, GaN을금속 Ga와질소가스로분해시킨다.

摘要翻译： 本发明提供了一种制造廉价且高质量的氮化铝晶体的方法。 向Ga-Al合金熔液4导入氮气，在Ga-Al合金熔液4的晶种基板3上使氮化铝晶体外延生长。 通过使氮化铝晶体的生长温度在1000℃至1500℃的范围内升高，GaN分解为金属Ga和氮气

公开(公告)号：KR1020170036055A

公开(公告)日：2017-03-31

申请号：KR1020177005240

申请日：2015-09-09

申请人： 서울반도체 주식회사 ,  식스포인트 머터리얼즈 인코퍼레이티드

发明人： 하시모토,타다오

IPC分类号： C30B29/40 ,  C30B23/02 ,  C30B25/18 ,  C30B33/00

CPC分类号： C30B29/403 ,  C30B23/025 ,  C30B25/18 ,  C30B33/00 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254

摘要： 일예에서, 본발명은Ⅲ족질화물의두꺼운층을성장하기위한기판을제공한다. 이기판은Ⅲ족질화물의에피택셜성장을위해제공된제1면및 제1면에대향하고복수의그루브들을가지는제2면을가진다. 본발명은또한그루브된기판을이용하여Ⅲ족질화물의두꺼운층 또는벌크결정을생산하는방법을제공한다. 일구성에서그루브된기판은보우잉이감소되고및/또는기판으로부터의자발적인분리가가능한Ⅲ족질화물의두꺼운층 또는벌크결정을성장한다.

摘要翻译： 在一个示例中，本发明提供了用于生长厚III族氮化物层的衬底。 Z字形板具有用于III族氮化物的外延生长的第一表面和与第一表面相对并具有多个凹槽的第二表面。 本发明还提供了一种使用开槽衬底制造III族氮化物厚层或块状晶体的方法。 一种构造中的带槽基底生长能够减少从基底弯曲和/或自发分离的III族氮化物的厚层或块状晶体。

公开(公告)号：KR101681658B1

公开(公告)日：2016-12-01

申请号：KR1020117005784

申请日：2009-08-12

申请人： 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크.

发明人： 켈러만,피터,엘. ,  칼슨,프레디 ,  싱클레어,프랭크

IPC分类号： C30B11/00 ,  C30B28/06 ,  C30B29/06 ,  C30B29/40 ,  C30B29/52 ,  C30B29/64 ,  H01L31/18

CPC分类号： C30B29/06 ,  C30B11/001 ,  C30B11/003 ,  C30B28/06 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B29/52 ,  C30B29/64 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521 ,  Y10T117/1024

摘要： 시트형성에대한방법및 장치가개시된다. 용융물은냉각되고시트는용융뮬상에형성된다. 이러한시트는제1 두께를가진다. 그후 시트는히터또는용융물을사용하여제1 두께로부터제2 두께로박막화된다. 냉각은용질이시트의구역내에트랩되도록하고, 이러한특정한시트는박막화되고용질은제거된다. 용융물은예를들어, 실리콘, 실리콘및 게르마늄, 갈륨, 또는갈륨질화물이다.

摘要翻译： 公开了一种用于形成片材的方法和装置。 将熔体冷却并在熔体上形成片材。 该片材具有第一厚度。 然后使用例如加热器或熔体将片材从第一厚度变薄至第二厚度。 冷却可以被配置为允许溶质被捕获在片材的区域中，并且该特定片材可以变薄并且去除溶质。 熔体可以是例如硅，硅和锗，镓或氮化镓。

公开(公告)号：KR1020160127748A

公开(公告)日：2016-11-04

申请号：KR1020167024254

申请日：2015-02-10

申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤

发明人： 하기모토,카즈노리 ,  시노미야,마사루 ,  츠치야,케이타로 ,  고토,히로카즈 ,  사토,켄 ,  시카우치,히로시 ,  코바야시,쇼이치 ,  쿠리모토,히로타카

IPC分类号： H01L21/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/40

CPC分类号： H01L21/0254 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L29/2003

摘要： 본발명은, 실리콘계기판상에에피택셜층을갖는에피택셜웨이퍼의제조방법에있어서, 상기실리콘계기판의외주부를테라스가공한후에, 상기실리콘계기판상에반도체층을에피택셜성장시키는것을특징으로하는에피택셜웨이퍼의제조방법이다. 이에따라, 완전한크랙프리의에피택셜웨이퍼를얻을수 있는실리콘계기판상에에피택셜층을갖는에피택셜웨이퍼의제조방법을제공할수 있다.

摘要翻译： 一种制造在硅基衬底上具有外延层的外延晶片的方法，所述外延晶片的制造方法包括：在对所述硅基衬底的外周部分进行平台处理之后，在所述硅基衬底上外延生长半导体层， 基底。 结果，可以获得在硅基衬底上具有外延层的外延晶片的制造方法，其中可以获得完全没有裂纹的外延晶片。

公开(公告)号：KR1020160119718A

公开(公告)日：2016-10-14

申请号：KR1020160042096

申请日：2016-04-06

申请人： 가부시기가이샤 디스코

发明人： 히라타가즈야 ,  니시노요코

IPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/02 ,  H01L21/76 ,  H01L21/268

CPC分类号： H01L21/02005 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/0057 ,  B23K26/032 ,  B23K26/046 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/082 ,  B23K26/0823 ,  B23K26/0853 ,  B23K26/38 ,  B23K26/53 ,  B23K26/702 ,  B23K37/00 ,  B23K2201/40 ,  B28D1/221 ,  C30B29/36 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B33/06 ,  H01L21/304 ,  H01L21/78 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/268 ,  H01L21/76 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10323 ,  H01L2924/1033

摘要： 본발명은, 잉곳으로부터효율적으로웨이퍼를생성할수 있는웨이퍼의생성방법을제공하는것을목적으로한다. 육방정단결정잉곳으로부터웨이퍼를생성하는웨이퍼의생성방법으로서, 육방정단결정잉곳에대하여투과성을갖는파장의레이저빔의집광점을표면으로부터생성될웨이퍼의두께에상당하는깊이에위치시킴과더불어, 집광점과육방정단결정잉곳을상대적으로이동시켜레이저빔을표면으로조사하고, 표면과평행한개질층및 개질층으로부터신장되는크랙을형성하는개질층형성단계를포함한다. 개질층형성단계는, 레이저빔의집광점이잉곳의내주로부터외주를향해상대적으로이동하도록레이저빔을조사한다.

摘要翻译： 本发明的一个目的是提供一种能够从铸锭有效地制造晶片的晶片制造方法。 作为晶片的生成方法，从六角形顶端晶锭产生的晶片，以将对应于与具有相对于光透射性的波长的六边形顶点晶锭的晶片的厚度的激光束的聚光点的深度为从表面，一个冷凝器中产生 通过相对于激光束以在表面和改性层形成从重整层延伸的裂纹的步骤，并且平行于表面改性层照射移动点纸浆bangjeong单晶锭。 改性层形成步骤照射激光束，使得激光束的聚光点从铸锭的内周向外周相对移动。