公开(公告)号：KR102477152B1

公开(公告)日：2022-12-13

申请号：KR1020220063964

申请日：2022-05-25

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  C23C16/02 ,  C23C16/455 ,  C23C16/54 ,  C23C16/56 ,  H01J37/32

摘要： 본원에서설명되는실시예들은, 기판을프로세싱하기위한장치및 방법들에관한것이다. 일실시예에서, 이송챔버및 사전-세정챔버, SAM(self-assembled monolayer) 증착챔버, ALD(atomic layer deposition) 챔버, 및이송챔버주위에배치된사후-프로세싱챔버를갖는클러스터툴 장치가제공된다. 기판은클러스터툴에의해프로세싱될수 있고, 사전-세정챔버, SAM 증착챔버, ALD 챔버, 그리고사후-프로세싱챔버사이에서이송될수 있다. 챔버들각각사이에서의기판의이송은, 이송로봇을하우징하는이송챔버에의해용이해질수 있다.

公开(公告)号：KR1020220162106A

公开(公告)日：2022-12-07

申请号：KR1020220155211

申请日：2022-11-18

IPC分类号： H01L21/02 ,  C23C16/04 ,  C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  C23C16/56 ,  H01L21/311 ,  H01L21/768

摘要： 기판의제2 유전체표면에상대적인동일기판의제1 전도성표면상에 Al 및 N 함유재료를선택적으로증착하기위한방법들을제공한다. 일부양태에서, 집적회로제조에서사용하기위한, Al 및 N 함유보호층또는식각정지층을형성하기위한방법들을제공한다.

公开(公告)号：KR102470903B1

公开(公告)日：2022-11-28

申请号：KR1020197024595

申请日：2018-01-18

IPC分类号： C23C16/16 ,  C23C16/18 ,  C23C16/56 ,  C23C16/02

摘要： 일구현에서, 기판상에코발트층을형성하는방법이제공된다. 방법은, 기판의제1 표면에형성된피쳐한정부를갖는기판상에장벽및/또는라이너층을형성하는단계를포함하고, 장벽및/또는라이너층은피쳐한정부의측벽및 바닥표면상에형성된다. 방법은, 루테늄함유층을장벽및/또는라이너층 상에형성하기위해기판을루테늄전구체에노출시키는단계를더 포함한다. 방법은, 루테늄함유층의최상부에코발트시드층을형성하기위해기판을코발트전구체에노출시키는단계를더 포함한다. 방법은, 피쳐한정부를충전하기위해코발트시드층 상에벌크코발트층을형성하는단계를더 포함한다.

公开(公告)号：KR102462146B1

公开(公告)日：2022-11-03

申请号：KR1020197002421

申请日：2017-07-20

IPC分类号： C23C16/448 ,  C23C16/46 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/56 ,  C08G73/10 ,  C01B21/064 ,  B82Y40/00

摘要： 얇은필름, 파우더, 및매트의형태인붕소질화막나노튜브(BNNT) - 폴리이미드(PI) 및폴리-자일렌(PX) 나노-복합체는전자회로, 윈도우, 멤브레인및 코팅에서층으로서유용할수 있다. 상기 BNNT를폴리머성물질, 구체적으로 PI 및 PX로코팅하기위한화학기상증착(CVD) 공정이개시된다. 상기공정은 BNNT 상에폴리머성물질이표면흡착되어그 표면특성을개질하거나나노튜브주위에폴리머의균일한분산물을생성하는것에의존한다. 결과물인기능화된 BNNT는많은가치있는적용분야를갖는다.

公开(公告)号：KR102444266B1

公开(公告)日：2022-09-16

申请号：KR1020200059004

申请日：2020-05-18

IPC分类号： C23C16/30 ,  C23C16/455 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02 ,  H01L45/00

公开(公告)号：KR102438577B1

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：KR1020177021938

申请日：2015-12-15

IPC分类号： C23C16/56 ,  C23C16/40 ,  C23C16/04

摘要： 본원에서설명되는실시예들은고 종횡비갭 충전애플리케이션들에대해적합한유동성화학기상증착(FCVD) 막들을형성하기위한방법들에관한것이다. 설명되는다양한프로세스플로우들은유전체막 밀도및 재료조성을개선하기위하여, 증착된 FCVD 막을처리하기위해활용되는이온주입프로세스들을포함한다. 이온주입프로세스들, 경화프로세스들, 및어닐링프로세스들이, 디바이스재료들의써멀버짓내의온도들에서개선된밀도들을갖는유전체막들을형성하기위해, 다양한시퀀스조합들로활용될수 있다. 개선된막 품질특성들은통상적인 FCVD 막형성프로세스들과비교하여감소된막 응력및 감소된막 수축을포함한다.

公开(公告)号：KR1020220110153A

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：KR1020220092400

申请日：2022-07-26

IPC分类号： C23C16/50 ,  C23C16/517 ,  C23C16/507 ,  C23C16/04 ,  C23C16/56 ,  H01J37/32 ,  H01L21/67

摘要： 기판표면들상에향상된유동성유전체디포지션을위한방법들및 장치들이본 명세서에제공된다. 방법들은핵생성을향상시키고두꺼운고 습윤에칭레이트계면층을형성함이없이상기기판상을습윤하는단계를수반한다. 다양한실시예들에따라, 방법들은디포지션표면의단일또는다단계원격플라즈마처리들을포함할수도있다. 일부실시예들에서, 처리는환원화학물및 수소-함유산화화학물양자로의노출을포함할수도있다. 이방법들을수행하기위한장치가또한제공된다.

公开(公告)号：KR1020220103630A

公开(公告)日：2022-07-22

申请号：KR1020220000834

申请日：2022-01-04

IPC分类号： H01L21/02 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/56 ,  H01L21/67 ,  H01L21/687

公开(公告)号：KR102417528B1

公开(公告)日：2022-07-07

申请号：KR1020167031152

申请日：2015-06-01

IPC分类号： H01L21/683 ,  C23C16/56 ,  C23C16/04 ,  C23C16/32 ,  C23C8/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/02

摘要： 본발명은웨이퍼상에박막형성할때에, 웨이퍼에불순물등이부착되는것을억제할수 있는서셉터및 그제조방법을제공한다. 오목부(11)를갖는기재(10)와, 오목부(11)의저면(11a) 및측면(11b) 상에직접형성되는탄화탄탈층(22)과, 오목부(11) 이외의기재(10)의표면상에형성되는탄화규소층(20)을구비하는것을특징으로하고있다.

公开(公告)号：KR102402711B1

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：KR1020200100748

申请日：2020-08-11

IPC分类号： H01L31/18 ,  C07F7/24 ,  C07F13/00 ,  C23C16/30 ,  C23C16/56 ,  H01L31/0216

摘要： 본발명은화학기상증착법(CVD)을이용해 2종구조의페로브스카이트태양전지의광흡수층을제조하는페로브스카이트박막태양전지제조방법을개시한다. 이제조방법은, 화학기상증착법(CVD)을이용하여페로브스카이트박막태양전지를제조하는방법으로서, CVD 분위기에서기판상에 Pb-I-Br 박막을형성하는단계, Pb-I-Br 박막위에 MAI와 MABr을증기상태로공급하는단계, 공급하는단계후에열처리를통해페로브스카이트구조를갖는 MAPb(Ix, Br1-x)3(0