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公开(公告)号：KR100517992B1
公开(公告)日：2005-09-29
申请号：KR1020030007079
申请日：2003-02-05
申请人： 한국과학기술연구원
IPC分类号： H01F1/40
CPC分类号： H01F10/193 , H01F1/405 , H01F41/20
摘要： 본 발명은 높은 큐리온도를 가지는 Ge-Mn계 비정질 자성반도체에 관한 것이다. 가장 대표적인 자성반도체로는 Ⅱ-Ⅵ와 Ⅲ-Ⅴ 계 결정이 있으며, 아주 최근에는 Ⅳ 족인 Ge 계 결정상 자성반도체에 대한 결과가 보고되었다. 이러한 자성반도체들은 큐리온도가 최고 약 116K 정도로 매우 낮아 실용화에 큰 장애가 되고 있다. 큐리온도가 낮은 원인은 아직까지 확실히 밝혀지지 않고 있으나, 결정상에 고용되는 자성금속(주로 3d 천이금속들)의 함량이 아주 낮기 때문으로 인식되고 있다.
본 발명은 이러한 문제를 해결하기 위하여 열 증착 기술을 사용하여 Ge-Mn 합금을 비정질 상태로 제조하였다. 석출물의 형성 없이 많은 함량의 Mn이 Ge에 고용되었으며, 이러한 결과로서 250 K의 비교적 높은 큐리온도가 달성되었다.
따라서, 본 발명은 차세대 전자소자로 주목받고 있는 스핀전자소자의 핵심재료로 활용될 것으로 기대된다. 즉, 자성반도체는 자기적으로는 강자성이면서 전기적으로는 반도체의 성질을 동시에 갖는 물질인데, 스핀전자소자에서 전자의 스핀을 분극시키는 재료로서 활용이 기대된다.-
公开(公告)号：KR1020140013466A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：KR1020120080472
申请日：2012-07-24
申请人： 삼성전기주식회사
IPC分类号： H01F41/04 , H01F41/074 , H01F41/20 , H01F17/00 , H05K1/03
CPC分类号： H01F41/041 , H01F17/0013 , H01F41/074 , H01F41/20 , H05K1/0313
摘要： The present invention relates to a method for manufacturing a chip inductor. In the method for manufacturing the chip inductor, an insulation layer and a circuit pattern are formed on a base substrate to improve yield and productivity and to reduce manufacturing costs. Suggested is the method for manufacturing the chip inductor, which includes the steps of: (a) preparing the base substrate wound around a main winding roll; (b) transferring the base substrate to an apparatus for processing the insulation layer and the circuit pattern by rotating the main winding roll; and (c) rewinding the base substrate with one side on which the insulation layer and the circuit pattern are formed by the (b) step around the main winding roll. [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S10) Prepare and wind a base substrate; (S20) Form an insulation layer; (S30) Deposit a seed layer; (S40) Exposure, Development; (S50) Form an electrolytic plating layer; (S60) Remove a dry film and the seed layer; (S70) Wind the base substrate
摘要翻译： 本发明涉及片状电感器的制造方法。 在制造芯片电感器的方法中，在基底基板上形成绝缘层和电路图案，以提高产量和生产率并降低制造成本。 提出了制造芯片电感器的方法，其包括以下步骤：（a）制备缠绕在主卷绕辊上的基底基板; （b）通过旋转主卷绕辊将基底传送到用于处理绝缘层和电路图案的设备; 以及（c）通过围绕主卷绕辊的（b）台阶，在其上形成有绝缘层和电路图案的一面上重绕基底基板。 （附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （S10）准备并卷绕基底; （S20）形成绝缘层; （S30）沉积种子层; （S40）曝光，开发; （S50）形成电解镀层; （S60）取出干膜和种子层; （S70）卷绕基底
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公开(公告)号：KR1019930002395B1
公开(公告)日：1993-03-30
申请号：KR1019850002584
申请日：1985-04-17
申请人： 소니 주식회사
IPC分类号： G11B5/31
CPC分类号： H01F10/147 , G11B5/147 , G11B5/3109 , H01F41/20 , Y10T428/12431
摘要： 내용 없음.
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公开(公告)号：KR1020170039741A
公开(公告)日：2017-04-11
申请号：KR1020177006380
申请日：2015-08-05
CPC分类号： H01F1/059 , C23C16/34 , C23C16/448 , C23C16/45561 , C23C16/507 , C23C16/56 , C30B19/00 , C30B25/00 , C30B29/38 , C30B29/68 , H01F10/147 , H01F41/20 , H01F41/22 , H01F41/28 , H02K1/02
摘要： 본개시내용은α"-FeN을포함하는적어도하나의층과, α"-Fe(NZ)또는α"-FeN및α"-FeZ의혼합물을포함하는적어도하나의층을포함하는다층경자성재료를기재한다. 여기서, Z는 C, B 또는 O 중적어도하나를포함하고, x는 0보다크고 1보다작은수이다. 본개시내용은화학증착또는액상에피택시에의해α"-FeN을포함하는적어도하나의층과, α"-Fe(NZ)또는α"-FeN및α"-FeZ의혼합물을포함하는적어도하나의층을포함하는다층경자성재료를제조하는기법을기재한다.
摘要翻译： 用于本公开内容的多层硬磁材料包括至少一种含有层“至少一个层中，含有α-FeN” -Fe（NZ）或α“-FeN和α”α-FeZ的混合物 和基体材料。 其中Z包含C，B或O中的一个，并且x是大于零且小于1的数字。 本公开的至少一个，其具有“至少一个层中，含有α-FeN” -Fe（NZ）或α“-FeN和α”通过化学气相沉积或液相外延α-FeZ的混合物， 该方法包括：
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公开(公告)号：KR1020150002100A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：KR1020130075458
申请日：2013-06-28
申请人： 한국전기연구원
CPC分类号： H01B13/0036 , B23K1/0016 , B23K1/19 , B23K1/20 , B23K26/362 , B23K26/364 , B23K26/402 , B23K2201/32 , B23K2201/38 , B23K2203/12 , B23K2203/26 , B23K2203/50 , H01B12/06 , H01L39/2461 , H01F6/00 , H01F41/20 , H01L39/00
摘要： 라미네이트 구조를 갖는 초전도 선재의 제조 방법이 개시된다. 본 발명은 소정 폭을 갖는 증착 기판을 제공하는 단계, 상기 증착 기판의 양측에 폭 방향으로 금속 기판이 노출된 영역이 형성되도록 상기 증착 기판 상에 완충층, 초전도층 및 안정화층을 포함하는 적층 구조를 순차 형성하는 단계, 상기 적층 구조 상에 상기 증착 기판에 대응하는 폭을 갖는 라미네이션 기판을 제공하는 단계 및 상기 금속 기판이 노출된 영역에 솔더를 제공하여 상기 증착 기판과 상기 라미네이션 기판을 접합하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 라미네이팅 된 초전도 선재의 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 선재의 적정 강도를 부여하기 위한 라미네이팅 시 전류 밀도의 저하를 억제하는 초전도 선재 구조 및 그 라미네이션 기법을 제공할 수 있게 된다.
摘要翻译： 公开了具有层叠结构的超导线材的制造方法。 提供层叠超导线材的制造方法的本发明包括以下步骤：提供具有预定宽度的沉积基板; 在沉积基板上连续地形成包括缓冲层，超导层和稳定层的叠层结构，以形成金属基板在沉积基板两侧的宽度方向上露出的区域; 提供层压结构中具有对应于沉积基板的宽度的层压结构; 以及通过向所述区域提供焊料来接合所述沉积基板和所述层压结构。 根据本发明，为了提供合适的线材强度，可以提供一种超导线材结构以抑制电流密度的劣化及其层压技术。
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公开(公告)号：KR1020130070657A
公开(公告)日：2013-06-27
申请号：KR1020137015412
申请日：2006-03-14
申请人： 가부시키가이샤 알박
CPC分类号： C23C14/16 , C23C14/243 , C23C14/541 , H01F1/0571 , H01F10/126 , H01F41/0293 , H01F41/20
摘要： 영구자석이 개시된다. 이 영구자석은, 소정 형상을 가지는 철-붕소-희토류계의 자석을 가지고, 이 자석 표면에, 그 전면에 걸쳐 Dy, Tb 중 적어도 하나를 함유하고, 또한 Nd, Al, Cu, Ga 및 Ta에서 선택되는 1종 또는 2종 이상을 함유하는 금속 증발 재료를 증발시켜 부착퇴적시키고, 열처리를 수행하여, Dy, Td 중 적어도 하나와 Nd, Al, Cu, Ga 및 Ta 중 어느 1종을 소결자석의 결정립계상으로 확산시켜 이루어진 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR1020140042688A
公开(公告)日：2014-04-07
申请号：KR1020130113750
申请日：2013-09-25
申请人： 시게이트 테크놀로지 엘엘씨
发明人： 사후,사르베스워 , 주,멩 , 카우츠키,마이클씨.
IPC分类号： H01F41/20
CPC分类号： H01F10/14 , G11B5/65 , G11B5/653 , G11B5/656 , G11B5/732 , G11B5/8404 , G11B5/85 , H01F10/16 , H01F41/22 , Y10T428/24628 , Y10T428/25 , H01F41/20
摘要： Disclosed are methods for forming a magnetic material layer on a substrate. The present invention includes a step of forming the substrate in a chamber; a step of controlling the temperature of the substrate to around 250°C or less; and a step of putting one or more precursors in the chamber. One or more precursors include Co, Ni, Fe, or combinations thereof and are chemically decomposed at the substrate temperature. The magnetic material layer is formed on the substrate, and magnetic materials include at least a part of the precursors. The magnetic material has magnetic flux density of at least around 1 Tesla (T).
摘要翻译： 公开了在基板上形成磁性材料层的方法。 本发明包括在腔室中形成衬底的步骤; 将基板的温度控制在250℃以下的步骤; 以及将一种或多种前体放入室中的步骤。 一种或多种前体包括Co，Ni，Fe或它们的组合，并在衬底温度下被化学分解。 磁性材料层形成在基底上，磁性材料包括至少一部分前体。 磁性材料具有至少约1特斯拉（T）的磁通密度。
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公开(公告)号：KR101316803B1
公开(公告)日：2013-10-11
申请号：KR1020077019699
申请日：2006-03-14
申请人： 가부시키가이샤 알박
CPC分类号： C23C14/16 , C23C14/243 , C23C14/541 , H01F1/0571 , H01F10/126 , H01F41/0293 , H01F41/20
摘要： 성막 재료인 Dy, Tb를 유효하게 이용하면서, 소정 형상의 철-붕소-희토류계의 자석 표면에 고속으로 성막시켜 생산성이 향상되고, 저비용으로 영구자석을 제조할 수 있도록한다. 소정 형상의 철-붕소-희토류계의 자석 표면에 Dy를 성막하는 성막 공정과, 소정 온도하에서 열처리를 수행하여 표면에 성막된 Dy를 자석의 결정립계상으로 확산시키는 확산 공정으로 영구자석을 제조한다. 이 경우, 성막 공정은, 이 성막 공정을 실시하는 처리실을 가열하여 이 처리실 내에 미리 배치한 Dy를 증발시켜 소정의 증기압을 가지는 Dy 증기 분위기를 처리실 내에 형성하는 제1 공정과, 처리실 내의 온도보다 낮게 유지한 자석을 이 처리실로 반입하여 이 자석이 소정 온도에 이르기까지 처리실 내와 자석 사이의 온도차에 의해 자석 표면에 Dy를 선택적으로 부착 퇴적시키는 제2 공정으로 구성된다.
摘要翻译： 而有效地利用膜形成材料，镝，铽，预定形状硼高速成膜的铁由稀土类金属磁铁，和更高的生产率的一个表面，使得有可能制造出永久磁铁以低成本。 作准备永久磁铁的膜形成通过薄膜形成工序下进行了热处理的表面上的Dy，预定温度的稀土金属为基础的与扩散为规定的形状 - 硼的磁体 - 铁的晶界的扩散步骤的磁体表面上形成的Dy。 在这种情况下，膜形成工序中，加热所述处理腔室以进行膜形成步骤，以蒸发-设置预低于第一步骤中的处理室中的Dy，在处理室中的温度，以形成具有在处理室内的预定蒸气压的镝蒸气氛围 使在处理室中的保持磁体是由所述磁体的第二步骤是选择性地附接到所述的Dy沉积在磁体表面上，最多磁铁内的规定温度下的处理室之间的温度差。
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公开(公告)号：KR1020080019199A
公开(公告)日：2008-03-03
申请号：KR1020077019699
申请日：2006-03-14
申请人： 가부시키가이샤 알박
CPC分类号： C23C14/16 , C23C14/243 , C23C14/541 , H01F1/0571 , H01F10/126 , H01F41/0293 , H01F41/20
摘要： A film is formed at a high rate on the surface of an iron-boron-rare-earth-metal magnet having a given shape, while effectively using dysprosium or terbium as a film-forming material. Thus, productivity is improved and a permanent magnet can be produced at low cost. A permanent magnet is produced through a film formation step in which a film of dysprosium is formed on the surface of an iron-boron-rare-earth-metal magnet of a given shape and a diffusion step in which the magnet coated is subjected to a heat treatment at a given temperature to cause the dysprosium deposited on the surface to diffuse into the grain boundary phase of the magnet. The film formation step comprises: a first step in which a treating chamber where this film formation is performed is heated to vaporize dysprosium which has been disposed in this treating chamber and thereby form a dysprosium vapor atmosphere having a given vapor pressure in the treating chamber; and a second step in which a magnet kept at a temperature lower than the internal temperature of the treating chamber is introduced into this treating chamber and the dysprosium is selectively deposited on the magnet surface based on a temperature difference between the treating chamber and the magnet until the magnet temperature reaches a given value. ® KIPO & WIPO 2008
摘要翻译： 在具有给定形状的铁 - 硼 - 稀土金属磁体的表面上以高比率形成膜，同时有效地使用镝或铽作为成膜材料。 因此，提高生产率，并且可以以低成本生产永磁体。 通过成膜步骤制造永磁体，其中在给定形状的铁 - 硼 - 稀土 - 金属磁体的表面上形成镝的膜，并且扩散步骤，其中涂覆的磁体经受 在给定温度下进行热处理，使沉积在表面上的镝扩散到磁体的晶界相。 成膜步骤包括：第一步骤，其中进行该成膜的处理室被加热以蒸发已经设置在该处理室中的镝，从而在处理室中形成具有给定蒸气压的镝蒸气气氛; 并且将保持在比处理室的内部温度低的温度的磁体引入该处理室中的第二步骤，并且基于处理室和磁体之间的温度差选择性地将镝沉积在磁体表面上，直到 磁体温度达到给定值。 ®KIPO＆WIPO 2008
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