公开(公告)号：KR1020170095325A

公开(公告)日：2017-08-22

申请号：KR1020177019425

申请日：2015-12-18

申请人： 엔테그리스, 아이엔씨.

发明人： 무쉘라이언 ,  스테펜즈제이슨티

IPC分类号： H01L21/673

CPC分类号： H01L21/67369 ,  H01L21/67366 ,  H01L21/67373 ,  H01L21/67383 ,  H01L21/67386 ,  H01L21/67379

摘要： 전방개방웨이퍼용기는용기부분그리고용기부분의개방전방부를폐쇄하는크기를갖는도어를갖는다. 용기부분은웨이퍼를보유하고그에의해안착위치를형성하는셸프를갖고, 전방및 후방웨이퍼지지부를안착위치위의운반위치에서그것들사이에웨이퍼를현수하도록갖는다. 충격상태쿠션부분이충격상태중에웨이퍼를보호하도록운반위치에인접하게배열된다. 웨이퍼는박형웨이퍼측면및 캐리어기판측면을갖는접합된웨이퍼일수 있다. 웨이퍼결합패드및 핑거부재가도어상의중심스트립으로부터대향방향들로연장하고그에의해균형웨이퍼결합을제공한다. 도어를폐쇄할때, 1차웨이퍼지지부분이먼저웨이퍼와결합하고, 2차탄성중합체웨이퍼지지부가이어서웨이퍼와결합한다. 웨이퍼지지부내에웨이퍼를수용하는 V자형홈에서는 V자형홈과박형웨이퍼측면사이에형성되는각도가 V자형홈과캐리어기판측면사이에형성되는각도보다크고그에의해접합된웨이퍼를위한향상된보호를제공한다.

摘要翻译： 前开式晶片容器具有容器部分和门，该门的尺寸设定为封闭容器部分的敞开的前部。 所述容器部分具有保持晶片，从而形成一个休息位置的搁板，该晶片具有在所述晶片支撑静止位置的前部和后部的运输位置在它们之间被暂停。 碰撞缓冲部分靠近运输位置布置以在碰撞条件下保护晶片。 晶片可以是具有薄晶片侧和载体衬底侧的键合晶片。 晶片键合焊盘和手指构件从门上的中心条沿相反的方向延伸，从而提供平衡的晶片键合。 当关闭门时，主晶片支撑部首先接合晶片，并且次弹性晶片支撑件随后接合晶片。 以及用于在晶片支撑部分容纳的晶片的V形槽的V形槽的侧面和薄晶片之间形成的角度大于V形槽和所述载体基片侧之间形成的角度由他提供了用于晶片接合更大的保护 。

公开(公告)号：KR1020140142228A

公开(公告)日：2014-12-11

申请号：KR1020147022235

申请日：2013-04-01

申请人： 신에츠 폴리머 가부시키가이샤

发明人： 스즈키,츠토무 ,  오다시마,사토시 ,  미무라,히로시 ,  오가와,오사무

IPC分类号： H01L21/673 ,  B65D85/38 ,  B65D81/24 ,  B65D85/86

CPC分类号： H01L21/67393 ,  H01L21/67366

摘要： 본 발명은 퍼징 후에도 장시간에서 걸쳐 내부 폐쇄 공간의 상대 습도를 저습도로 유지할 수 있는 기판 수납 용기를 제공한다.
해당 기판 수납 용기 (1)에 있어서의 내부 폐쇄 공간 (3)을 구획하는 구성 재인 셸 본체 (2), 도어 (4) 및 개폐 밸브 (8)로서, 23℃의 수중에 24시간 침지한 후에 측정되는 흡수율이 0.1중량％ 이하인 것(특정 구성재)을 사용한다. 이에 따라, 셸 본체 (2), 도어 (4) 및 개폐 밸브 (8)을 JIS K7209 규격 또는 ISO62 규격에 준한 기준하에, 수분 방출 억제 능력에 대하여 객관적으로 현실의 요구를 충족하는 것으로 하고, 이로부터 내부 폐쇄 공간 (3)에 수분이 방출되는 것을 현저하게 억제한다.

公开(公告)号：KR101165613B1

公开(公告)日：2012-07-16

申请号：KR1020097019449

申请日：2009-05-13

申请人： 미라이얼 가부시키가이샤

发明人： 이노우에가즈야

IPC分类号： H01L21/673 ,  B65D85/86 ,  B65D85/38

CPC分类号： H01L21/67366 ,  H01L21/67386

摘要： 용기본체(1)의 안쪽벽(1b)에, 각 반도체 웨이퍼(W)의 가장자리부와 대향하는 위치가 개구부(1a)측으로부터 가장 먼 계곡부(10b)로 되어 있고, 반도체 웨이퍼(W)의 두께보다 넓은 개구폭을 구비한 파형의 단면 형상으로 형성되어 있고, 보통의 경우에는 파형의 정상부 상호간을 연결하는 가상선(Q)이 이와 마주보는 각 반도체 웨이퍼(W)의 가장자리부로부터 안쪽 위치 또는 동일한 위치에 있는 웨이퍼 보호홈(10)을 구비하고 있다. 이에 따라 낙하 기타의 핸들링 미스 등에 의하여 큰 충격이 가해져도 내부에 수납되어 있는 반도체 웨이퍼(W)가 손상되기 어려워 우수한 내충격성을 얻을 수 있다.

摘要翻译： 容器主体1的内壁1b在与各个半导体晶片W的边缘部分相对的位置处设置有距开口1a侧最远的谷部10b， 在具有宽开口宽度大于厚度，通常的情况下，内位置，或从每个半导体晶片（W）看的（Q）的假想线的边缘的波形的截面形状形成为这个面为波形的顶部部分之间的连接 并且晶圆保护槽10处于相同的位置。 结果，即使由于落下或其他处理雾等而施加较大的冲击，容纳在半导体晶片W中的半导体晶片W也不易被损坏，并且可以获得优异的耐冲击性。

公开(公告)号：KR1020120037914A

公开(公告)日：2012-04-20

申请号：KR1020117030964

申请日：2010-06-28

申请人： 신에츠 폴리머 가부시키가이샤

发明人： 마스코히데히로 ,  미무라히로시 ,  오가와오사무

IPC分类号： H01L21/673 ,  B65D85/86

CPC分类号： G03F1/66 ,  H01L21/67366 ,  H01L21/67373 ,  H01L21/67389

摘要： 흡습성이나 수분 투과성을 저감하고, 기판의 유기 오염을 억제할 수 있는 염가의 기판 수납 용기를 제공한다. 복수매의 반도체 웨이퍼를 정렬 수납하는 프런트 오픈 박스 타입의 용기 본체(1)와, 이 용기 본체(1)의 개구된 정면(6)에 씰용의 개스킷을 통해 착탈이 자유롭게 감합되는 덮개(20)를 구비하고, 이들 용기 본체(1)와 덮개(20)를, 흡수율이 0.1% 이하, 80℃로 24시간 가열하여 다이나믹 헤드스페이스법에 의해 측정한 총아웃가스량이 15ppm 이하인 합성수지를 함유하는 성형 재료로 각각 사출 성형한다. 성형 재료의 합성수지를 시클로올레핀 폴리머, 액정 폴리머, 폴리에테르에테르케톤, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 혹은 폴리에틸렌테레프탈레이트로부터 선택되는 적어도 1종, 또는 이들의 얼로이 수지로 한다.

公开(公告)号：KR1020080076802A

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：KR1020080013475

申请日：2008-02-14

申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

发明人： 히구마마사카즈 ,  사사키야스하루 ,  아오토다다시 ,  기쿠치에이이치로

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L21/68757 ,  C23C16/4581 ,  H01J37/20 ,  H01L21/67366 ,  H01L21/6875

摘要： A substrate mounting stage and a method for treating a surface thereof are provided to prevent particles due to contact between a wafer and a surface of an electrostatic chuck. A substrate mounting stage(12) having a substrate mounting plane for mounting substrates is implemented in a substrate treatment unit for processing a treatment on the substrates. An arithmetic average roughness of the substrate mounting plane is more than a first predetermined value. An initial wear height of the substrate mounting plane is less than a second predetermined value. The first predetermined value is 0.45. The second predetermined value is 0.35. A roughness curve skewness of the substrate mounting plane is less than -1.5.

摘要翻译： 提供了基板安装台及其表面处理方法，以防止晶片与静电卡盘的表面之间的接触造成的颗粒。 在基板处理单元中实现具有用于安装基板的基板安装面的基板安装台（12），用于对基板进行处理。 基板安装面的算术平均粗糙度大于第一预定值。 基板安装面的初始磨损高度小于第二预定值。 第一预定值为0.45。 第二预定值为0.35。 基板安装面的粗糙度曲线偏度小于-1.5。

公开(公告)号：KR100642160B1

公开(公告)日：2006-11-08

申请号：KR1020047005653

申请日：2001-10-19

申请人： 인피니언 테크놀로지스 아게

发明人： 수라티나지브칸 ,  쌍탁성 ,  로체핑베네딕트 ,  엔지비포크리스틴 ,  옹웨이리안제니 ,  영콕쳉베르나드 ,  타이칭윤

IPC分类号： B65D85/90

CPC分类号： H01L21/67353 ,  B65D79/02 ,  B65D81/267 ,  B82Y15/00 ,  H01L21/67366 ,  H01L21/67386 ,  H01L21/67393

摘要： A bag (1) has side walls (3, 4) that are substantially impervious to moisture. The bag has an opening (6) at one end that is adapted to be sealed. A portion (11) of a side wall includes a substantially transparent material (12) which is substantially impervious to moisture. A moisture indicating material (13) is mounted within the bag adjacent to the transparent material (12) to enable the moisture indicating material (13) to be viewed through the transparent material (12), and at least a portion of the moisture indicating material (13) is exposed to air within the bag (1).

公开(公告)号：KR1020060047338A

公开(公告)日：2006-05-18

申请号：KR1020050033115

申请日：2005-04-21

申请人： 실트로닉 아게

发明人： 슈벵크헬무트 ,  홀프리드리히-게오르그 ,  르콩뜨나탈리 ,  루치티올리버

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/67366 ,  H01L21/67369 ,  H01L21/67393

摘要： 본 발명은,
a) 로딩되는 반도체 웨이퍼를 수납하고, 덮개와 본체를 구비하며, 상기 덮개와 상기 본체 사이의 실(seal) 및 입자 필터를 구비한 밀폐형 플라스틱 용기;
b) 상기 용기를 둘러싸고 있으며, 감압의 보조 하에 상기 용기에 밀착되어 있는, 플라스틱으로 만들어진 제1 외피; c) 수분을 결합시키는 수단; d) 수분의 통과를 차단하고 감압의 보조 하에 상기 제1 외피 및 상기 용기에 밀착되어 있는 코팅으로 코팅된 플라스틱으로 만들어진 제2 외피; e) 상기 외피를 가진 용기를 포지티브 피팅 방식으로 매립시키는 충격 흡수 부재; 및 f) 포지티브 피팅 방식으로 매립된 이중 외피를 가진 용기를 둘러싸는 외부 패키징을 포함하고,
상기 입자 필터는 상기 용기와 일체화되어 있고 상기 용기의 내부 공간과 상기 용기의 외부 환경 사이에 가스 교환이 이루어지도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼용 즉시 출하형 패키징에 관한 것이다.
본 발명은 또한 이 형태의 패키징 내에 반도체 웨이퍼를 즉시 출하형으로 포장하는 방법에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼, 패키징, 외피, 입자 필터, 수분 결합 수단, 충격 흡수 부재

公开(公告)号：KR1020060003006A

公开(公告)日：2006-01-09

申请号：KR1020057019550

申请日：2004-04-15

申请人： 엔테그리스, 아이엔씨.

发明人： 익스트랜드챨스더블유.

IPC分类号： B65D85/86 ,  B65D85/90 ,  B65D85/48 ,  B82Y30/00

CPC分类号： B08B17/06 ,  H01L21/67366

摘要： A carrier with ultraphobic surfaces for promoting more effective cleaning and drying of the carrier. In the invention, entire surfaces or portions of surfaces of a carrier (12) are made ultraphobic. The ultraphobic surfaces of the carrier cause liquids that may come in contact with the surface, such as may be used in cleaning, to quickly and easily "roll off" without leaving a liquid film or substantial number of liquid droplets. As a result, less time and energy is expended in drying the surfaces, and redeposited residue is minimized, thereby improving overall process quality. In addition, the ultraphobic surfaces may be resistant to initial deposition of contaminants, where the contaminants may be in liquid or vapor form.

摘要翻译： 具有超疏水表面的载体，用于促进载体的更有效的清洁和干燥。 在本发明中，载体（12）的整个表面或表面的一部分被制成超疏水。 载体的超疏水表面引起可能与表面接触的液体，例如可用于清洁，以快速且容易地“滚脱”而不留下液膜或大量液滴。 结果，在干燥表面时花费更少的时间和精力，并使再沉积的残渣最小化，从而提高整体工艺质量。 此外，超疏水表面可以抵抗污染物的初始沉积，其中污染物可以是液体或蒸气形式。

公开(公告)号：KR20180020304A

公开(公告)日：2018-02-27

申请号：KR20187003848

申请日：2016-07-13

申请人： ENTEGRIS INC

发明人： GALLAGHER GARY ,  SUMNER STEPHEN

IPC分类号： H01L21/673

CPC分类号： H01L21/67366

摘要： 반도체제조산업에서이용하기위한기재용기및/또는그 부분은금속슬러리를사출몰딩함으로써형성될수 있다. 보다특히, 그러한기재용기및/또는그 부분은마그네슘또는마그네슘합금을포함하는금속슬러리를사출몰딩함으로써형성될수 있다. 기재용기의적어도일부가마그네슘또는마그네슘합금을포함하는금속슬러리로부터사출몰딩되는기재용기는, 중합체기반의재료로형성된비교가능한기재운반체에비해서, 그리고그보다, 개선된수분및 산소투과제어를나타낼수 있다. 예시적인기재용기는웨이퍼용기, 레티클포드, 디스크운반기및/또는재공품상자를포함할수 있다.

摘要翻译： 用于半导体制造工业中的衬底容器和/或其部件可以通过注塑金属浆料来形成。 更特别地，这样的衬底容器和/或其部分可以通过注射包含镁或镁合金的金属浆料来形成。 其中基材容器的至少一部分由包含镁或镁合金的金属浆料注射成型的基材容器可以显示出改善的湿气和氧气渗透控制，与由聚合物基材料形成的相当的基材载体相比， 。 示例性的基础容器可以包括晶片容器，标线片盒，盘载体和/或在制品箱。

公开(公告)号：KR1020170057121A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：KR1020160098299

申请日：2016-08-02

申请人： 삼성전자주식회사

发明人： 가르사,시저엠. ,  안성일

IPC分类号： H01L21/3105 ,  H01L21/02 ,  H01L51/00

CPC分类号： C08J7/126 ,  B01D67/0093 ,  B01D71/26 ,  B01D71/32 ,  B01D2323/36 ,  B01D2323/46 ,  C08J2323/06 ,  C08J2323/12 ,  C08J2369/00 ,  C08J2377/00 ,  C08J2377/06 ,  H01L21/67366

摘要： 반도체소자들을제조하는데 사용되는구조체의표면들을개질하는방법들을개시하고, 상기구조체들은유기중합체들로부터형성된다. 상기구조체들의중심부의위인상기표면들에더하여, 상기표면으로부터약간아래인상기구조체의일 부분이상기유기중합체의불소화를통해함께개질된다. 불소화는상기구조체를혼합가스들에노출시켜획득될수 있고, 상기혼합가스들은약 0.01% 내지 10% 범위의불소및 상기혼합가스들의나머지를포함하는비활성기체를포함한다. 불소화는상기표면으로부터상기중심부를향해약 1 마이크론이내의깊이로이루어지고, 상기표면으로부터상기중심부를향해약 1 마이크론보다깊은상기중심부의다른부분은불소화되지않는다.

摘要翻译： 公开了修改用于制造半导体器件的结构的表面的方法，其中该结构由有机聚合物形成。 除了结构中心部分以上的表面之外，它们还通过氟化略低于表面的一种或多种有机聚合物而一起改性。 氟化可以通过将结构暴露于混合气体中获得，其中混合气体包含约0.01％至约10％的氟和包含剩余混合气体的惰性气体。 氟化作用从表面发生到朝向中心的小于约1微米的深度，并且从表面朝向中心的小于约1微米的另一部分中心未被氟化。