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    탄소섬유 강화 탄화규소 성형체의 제조 방법
    2.
    发明公开
    탄소섬유 강화 탄화규소 성형체의 제조 방법 有权
    碳纤维增强碳化硅成型体的生产方法

    公开(公告)号：KR1020160023548A

    公开(公告)日：2016-03-03

    申请号：KR1020150072001

    申请日：2015-05-22

    申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤

    发明人： 고야마마사시 ,  쿠메마사미 ,  도요시마도시유키 ,  호코다테도시유키 ,  하카하시나오히로

    IPC分类号： C04B35/565 ,  C04B35/575

    摘要： 본발명의과제는표면에서의잔류 Si의부착물, 내부에서의 Si의불균일성을억제한 C/SiC 부품의제조방법을얻는것이다. 해결수단으로서, 본발명에있어서의 C/SiC 부품의제조방법은, 수지및 탄소섬유를소결하여이루어지는 C/C 블록을형성하는 C/C 블록형성공정(S4)과, 이 C/C 블록을가공하여복수의반부품을형성하는반성형품형성공정(S6)과, 각각의상기반부품을, 규소배치지그에형성된복수의각각의오목부에고정수단에의해고정하는반성형품고정공정(S6)과, 상기오목부에 Si를배치하는규소배치공정(S7)과, 상기 Si를가열하여용융시키는것에의해상기 Si를상기반부품의내부에함침시키는규소용융함침공정(S8)과, 상기반부품에상기 Si가함침하여화학반응에의해생긴 C/SiC로이루어지는미가공부품을상기고정수단의부위에서상기규소배치지그로부터분리하는미가공성형품분리공정(S9)을갖는다.

    摘要翻译： 本发明涉及一种抑制其中的Si不均匀性和残留Si在表面上的粘附性的C / SiC成分的制造方法。 该方法包括：通过烧结树脂和碳纤维形成C / C块的C / C块形成工艺（S4）; 通过处理C / C块形成多个半成分的半成品产品形成工序（S6） 通过使用固定装置将每个半组分固定在形成在硅布置夹具上的多个凹形单元中的半成品产品定影方法（S6）上; 在凹形单元上布置Si的硅批处理（S7） 硅熔化和渗透步骤（S8），以加热和熔化Si，以使Si渗入半组分的内部; 以及浸渍半组分中的Si以将由化学反应形成的C / SiC制成的未加工组分从硅排列夹具分离在固定装置部分上的未加工的模具分离工艺（S9）。

    투명도전성 박막 조성물, 이를 이용한 투명도전성 박막 형성방법 및 투명도전성 박막
    3.
    发明公开
    투명도전성 박막 조성물, 이를 이용한 투명도전성 박막 형성방법 및 투명도전성 박막 审中-实审
    用于透明电致发光薄膜的化合物，使用该薄膜形成薄膜的方法和透明电极薄膜的制造方法

    公开(公告)号：KR1020140037991A

    公开(公告)日：2014-03-28

    申请号：KR1020120103573

    申请日：2012-09-18

    申请人： 재단법인 포항산업과학연구원

    发明人： 이영주 ,  박종일 ,  김주영 ,  오윤석

    IPC分类号： H01B1/08 ,  H01B5/14 ,  C04B35/575

    摘要： According to one embodiment of the present invention, disclosed are a transparent conductive thin film composition, a method for forming a transparent conductive thin film using the same, and a transparent conductive thin film. The transparent conductive thin film composition includes indium (In), gallium (Ga), aluminum (Al), and oxygen (O2), wherein the ratio (In+Ga)/(In+Ga+Al) of the indium, gallium, and aluminum is 25-70 atomic percent. [Reference numerals] (S100) Mix indium oxide, gallium oxide, aluminum oxide powder and manufacture a mixture; (S110) Mold and thermally process the mixture and manufacture a sintered body; (S120) Form a thin film on a substrate by sputtering using the sintered body

    摘要翻译： 根据本发明的一个实施方案，公开了透明导电薄膜组合物，使用其形成透明导电薄膜的方法和透明导电薄膜。 透明导电薄膜组合物包括铟（In），镓（Ga），铝（Al）和氧（O 2）），其中铟，镓， 铝为25-70原子％。 （附图标记）（S100）将氧化铟，氧化镓，氧化铝粉末混合，制作混合物; （S110）对混合物进行模热处理，制造烧结体; （S120）使用烧结体通过溅射在基板上形成薄膜

    실리콘카바이드 및 이의 제조방법
    4.
    发明公开
    실리콘카바이드 및 이의 제조방법 有权
    碳化硅及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020110113526A

    公开(公告)日：2011-10-17

    申请号：KR1020100032967

    申请日：2010-04-09

    申请人： 한국세라믹기술원

    发明人： 조광연 ,  신동근 ,  류도형

    IPC分类号： D01F8/18 ,  C04B35/575 ,  D01F9/08 ,  D01F9/10 ,  D01D10/02

    CPC分类号： D01F8/18 ,  C04B35/575 ,  D01D10/02 ,  D01F9/08 ,  D01F9/10 ,  D10B2401/062 ,  D10B2401/063

    摘要： 본 발명은 실리콘카바이드 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 구체적으로는 할라이드계 기체를 이용한 기체훈증법으로 안정화시킨 폴리카보실란을 이용하여 실리콘카바이드를 제조하는 것으로, 본 발명에 따른 안정화 공정을 통해 저분자의 폴리카보실란을 이용한 섬유화가 가능하므로 폴리카보실란의 합성조건을 완화시킬 수 있고, 또한 저분자의 폴리카보실란을 이용해 방사하게 되면 방사성이 향상되어 섬유의 사이즈를 가늘게 제조할 수 있다. 아울러 폴리카보실란을 안정화시키는 공정시간이 짧아지고 이로부터 안정화시키는 공정에서 열처리 공정에 이르는 공정이 연속적으로 가능할 수 있다.

    내화갑형 수용 요소, 특히 리튬-이온 축전지용 분말형 음극 재료를 연소하기 위한 내화갑, 및 이를 위한 혼합물
    5.
    发明公开
    내화갑형 수용 요소, 특히 리튬-이온 축전지용 분말형 음극 재료를 연소하기 위한 내화갑, 및 이를 위한 혼합물 审中-公开

    公开(公告)号：KR20210013609A

    公开(公告)日：2021-02-04

    申请号：KR20207036843

    申请日：2019-06-27

    IPC分类号： C04B35/575

    摘要： 본발명은내화갑형수용요소에관한것이다. 내화갑또는내화성재료로형성된수용요소는분말형음극재료를연소시키기위하여사용되는데, 적절하고그 자체로서공지되어있는, 특히리튬-이온축전지를생산하기위한광범위한음극재료가존재한다. 이러한문맥에서, 종래에사용된음극분말이과도하게고반응성이이라는것과, 그결과내화갑과많은부식문제를초래할수 있다는것이고려되어야한다. Al2O3 함량이증가되면온도변화내성이감소되고, 근청석(cordierite) 함량을감소시키면, 특히음극분말에의해오염된후에강성및 내화성이줄어든다. 이러한타입의음극분말이연소될때의주된문제점은또한, 특히이러한상이한분말들이상이한성분, 특히고반응성재료, 예컨대 Ni, Co, Li-수산화물을가질수 있다는것이다. 그러면결과적으로겨우몇 번의용광로사이클이후에으깨짐(flaking)이일어날수 있고, 또한결과적으로음극분말이원치않게과도하게오염될수 있다. 더나아가, 재료의으깨짐이외에, 내화갑에크랙이역시생길수 있고, 그결과내화갑을사용할수 없게될 수있다. 본발명에따른, 특히리튬이온축전지를생산하기위하여분말형음극재료를연소시키기위한내화갑형수용요소는특히네 개의측벽및 베이스를포함하는사각형쉘로형성된다. 이러한수용요소는특히 900 ℃가넘는온도를견디는내열성재료로부터연소공정에의해서생산된다. 내화갑의재료는산화물결합 SiC에기반하여생산되고, 상기재료는총 100 중량%에대해중량퍼센트로: 40.0 - 80.0 중량%, 바람직하게는 50.0 - 70.0 중량%의범위에속하는실리콘카바이드(SiC) 함량(content); 10 - 43 중량%, 바람직하게는 15 - 35 중량%, 특히바람직하게는 20 - 30 중량%의범위에속하는 Al2O3 함량; 5 - 30 중량%, 바람직하게는 7 - 20 중량%, 특히바람직하게는 8 - 15 중량%의범위에속하는총 SiO2 함량; 및 2 중량% 미만의알칼리산화물및 산화철함량의화학적조성을가진다.

    팽창흑연과 비정질 실리카를 이용한 탄화규소 나노섬유 제조방법
    7.
    发明授权
    팽창흑연과 비정질 실리카를 이용한 탄화규소 나노섬유 제조방법 有权
    来自异形石墨和非晶硅二氧化硅的碳化硅纳米纤维的制造方法

    公开(公告)号：KR101385570B1

    公开(公告)日：2014-04-21

    申请号：KR1020120023780

    申请日：2012-03-08

    申请人： 한국세라믹기술원 ,  인하대학교 산학협력단

    发明人： 황해진 ,  이경진 ,  최병현 ,  지미정 ,  안용태 ,  정성헌 ,  김은경

    IPC分类号： D01F9/12 ,  B82Y40/00 ,  D01F8/18 ,  D01F9/08 ,  C04B35/575 ,  C01B31/36 ,  C04B35/622

    摘要： 본 발명은 저비용으로 고품질의 탄화규소 나노섬유를 대량으로 제조할 수 있는 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 산처리 과정을 거친 흑연을 열처리하여 팽창흑연을 제조하는 단계(단계 1); 비정질실리카를 유기용매와 혼합하여 균일하게 분산시켜 혼합용액을 제조하는 단계(단계 2); 상기 단계 1로부터 얻어진 팽창흑연을 비정질실리카 용액에 혼합한 후 진공 데시케이터를 이용하여 팽창흑연의 층 사이에 비정질실리카 분말을 삽입하는 단계(단계 3); 및 상기 단계 3에서 얻어진 복합분말을 건조 시킨 후 환원 분위기에서 열처리하여 흑연/탄화규소 나노섬유를 합성하는 단계(단계 4); 상기 단계 4에서 얻어진 복합분말(흑연/탄화규소)을 산화 분위기에서 열처리하여 흑연을 제거하는 단계(단계 5)를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄화규소 나노섬유의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 탄화규소 나노섬유는 직선적인 형태의 고품질 나노섬유로서 저비용의 팽창흑연과 비정질 실리카를 이용하여 제조공정이 간단하여 비용이 적고 대량으로 제조가 가능한 탄화규소 나노섬유를 제공한다. 따라서 복합재료 등의 다양한 분야에 응용할 수 있으며 우수한 전기적 특성으로 트랜지스터 등의 전기적 구성 요소들로도 유용하게 사용할 수 있다.