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公开(公告)号：KR102431541B1
公开(公告)日：2022-08-10
申请号：KR1020207009595
申请日：2018-08-31
摘要： 본발명은하기화학식 I의화합물을포함하는주석-함유촉매에관한것이다. 본발명은또한, 이러한촉매를함유하는경화성조성물, 및경화성조성물의경화속도를조절하는방법에관한것이다: JPEG112020034384345-pct00015.jpg41132 상기식에서, L1, L2, L3 및 L4는, 각각독립적으로, -O-, -S-, -OC(=O)-, -OC(=S)-, -SC(=O)-, -SC(=S)-, -OS(=O)2O-, -OS(=O)2-, -N(R6)- 및 -OP(=O)(R6)-으로부터선택되되, R6은수소, 또는 20개이하의탄소원자를갖는 1가지방족, 방향지방족, 지환족또는방향족기를나타내고, R1, R2, R3, R1', R2' 및 R3'은, 각각독립적으로, 20개이하의탄소원자를갖는 2가지방족, 방향지방족, 지환족또는방향족기를나타내고; R4, R5, R4' 및 R5'은, 각각독립적으로, 수소, 또는각각의 N-H기와아이소사이아네이트, 에틸렌성불포화화합물, 락톤, 다이락톤, 티오락톤, 락탐, 티오락탐, 카복실산또는이의유도체, 또는에폭사이드의반응으로부터유도된 1가잔기를나타낸다.
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公开(公告)号：KR1020220085744A
公开(公告)日：2022-06-22
申请号：KR1020210179987
申请日：2021-12-15
摘要： 본발명은우수한식각내성및 기계적강도특성을갖고, 포토레지스트로활용시 우수한선단거칠기의포토레지스트특성을제공할수 유무기하이브리드나노입자에관한것으로, 상세하게유무기하이브리드나노입자는입자상의금속산화물; 금속산화물에포함되는금속과배위결합또는공유결합하여위치하는표면안정자(surface stabilizer); 및금속산화물에결합된네트워크형성자;를포함한다.
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公开(公告)号：KR102382858B1
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：KR1020210103950
申请日：2021-08-06
IPC分类号： C07F7/22
摘要： 본발명은트리할로주석화합물의제조방법및 이를채용한트리아미드주석화합물의제조방법을제공하는것으로, 본발명의트리할로주석화합물의제조방법은온화한공정으로높은순도및 수율로트리할로주석화합물을제조할수 있는매우효율적인방법이다.
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公开(公告)号：KR102283498B1
公开(公告)日：2021-07-29
申请号：KR1020177006404
申请日：2015-08-07
摘要： 본발명은결정질재료의층을제조하는방법에관한것이며, 상기방법은기판상에, 금속또는준금속양이온을포함하는제1 양이온, 및 2개이상의원자를포함하는희생음이온을포함하는제1 전구체화합물; 및제2 음이온및 제2 양이온을포함하는제2 전구체화합물을배치하는단계를포함하고, 상기제2 양이온은상기희생음이온과함께제1 휘발성화합물을형성할수 있다. 본발명은또한본 발명에따른방법에의해얻을수 있는결정질재료의층에관한것이다. 본발명은또한본 발명에따른결정질재료의층을제조하는방법을포함하는, 반도체장치를제조하는방법을제공한다. 본발명은또한, (a) 용매; (b) NH4X; (c) AX; 및 (d) BY2 또는 MY4 (여기서, X, A, M 및 Y는본원에정의된바와같음)를포함하는조성물을제공한다.
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公开(公告)号：KR102162547B1
公开(公告)日：2020-10-08
申请号：KR1020170012760
申请日：2017-01-26
申请人： 울산과학기술원 , 재단법인 멀티스케일 에너지시스템 연구단
发明人： 석상일
IPC分类号： C07F7/22 , C07F7/24 , H01L31/0224
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7.发明授权
公开(公告)号：KR101827596B1
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：KR1020140195799
申请日：2014-12-31
申请人： 롯데첨단소재(주)
摘要： 본발명의주석화합물은하기화학식 1로표시되는것을특징으로한다. 상기주석화합물을촉매로사용하여디알킬카보네이트로부터방향족카보네이트를제조시, 디알킬카보네이트의초기반응성및 방향족카보네이트의수율을높일수 있다. [화학식 1]상기화학식 1에서, R은탄소수 1 내지 10의알킬기이고, R는탄소수 1 내지 20의알킬기, 할로겐원자로치환된탄소수 1 내지 20의알킬기, 탄소수 6 내지 12의아릴기, 또는할로겐원자로치환된탄소수 6 내지 12의아릴기이며, Ar은탄소수 6 내지 12의아릴기, 또는할로겐원자로치환된탄소수 6 내지 12의아릴기이다.
摘要翻译： 本发明的锡化合物的特征在于由以下通式（1）表示。 当使用锡化合物作为催化剂由碳酸二烷基酯制备芳族碳酸酯时，可以增加碳酸二烷基酯的初始反应性和芳族碳酸酯的产率。 式1在式1中，R euntan的烷基为1〜10进制，R是具有一个烷基基团的1〜20，卤原子的烷基，具有碳原子数为1〜20的取代的基团中的碳原子数的芳基，碳原子数为6至12，或卤素原子 并且Ar是具有6至12个碳原子的芳基或具有6至12个碳原子的被卤素原子取代的芳基。
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公开(公告)号：KR101799158B1
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：KR1020150158237
申请日：2015-11-11
申请人： 한국화학연구원
IPC分类号： C07F7/22 , C23C16/06 , C23C16/455 , H01L21/205 , H01L21/02
摘要： 본발명은열적안정성과휘발성이개선된신규한주석전구체에관한것으로, 상기주석전구체를이용하여낮은온도에서우수한성장속도로, 쉽게양질의주석산화물박막을제조하는방법및 이를통해제조된박막을제공할수 있다.
摘要翻译： 本发明提供了热稳定性，并通过使用锡前体，可容易地制造优良品质的氧化锡薄膜的方法以及通过制备该薄膜涉及一种新的前体的锡的挥发性的提高，与在较低温度下优于增长率 你可以。
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公开(公告)号：KR101787204B1
公开(公告)日：2017-10-18
申请号：KR1020150164082
申请日：2015-11-23
申请人： 주식회사 한솔케미칼
IPC分类号： C07F7/02 , C07F7/30 , C07F7/22 , C07F7/10 , C23C16/18 , C23C16/455 , H01L21/28 , H01L21/02 , H01L21/205
CPC分类号： C07F7/02 , C07F7/10 , C07F7/22 , C07F7/30 , C23C16/18 , C23C16/455 , H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/28
摘要： 본발명은유기금속전구체화합물에관한것으로서, 보다상세하게는원자층증착법(Atomic Layer Deposition; ALD)을통하여박막증착이가능한유기금속전구체화합물및 이를이용한 ALD 증착법에관한것이다.
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公开(公告)号：KR1020170105880A
公开(公告)日：2017-09-20
申请号：KR1020160029099
申请日：2016-03-10
申请人： 삼성전자주식회사
CPC分类号： C07F9/3808 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C09K11/06 , C09K2211/181 , H01L51/005 , H01L51/502 , Y10S977/774 , Y10S977/896 , Y10S977/95
摘要： 하기화학식 1로표시되는나노결정및 그제조방법이개시된다. [화학식 1] AMXL 화학식 1 중, A는세슘(Cs), 루비듐(Rb) 또는암모늄염이고, M은저마늄(Ge), 주석(Sn), 또는납(Pb)이고 X는 Cl, Br 및 I 중에서선택된하나이상이고, L은포스폰산기, 카르복실산기및 아미노기중에서선택된하나를말단에갖는유기작용기이다.
摘要翻译： 公开了由下式（1）表示的纳米晶体及其制造方法。 （A）是铯（Cs），铷（Rb）或铵盐，M是锗（Ge），锡（Sn）或铅（Pb），X是Cl，Br和I 并且L是具有选自膦酸基团，羧酸基团和氨基的一端的有机官能团。
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