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    광차단 수단이 구비된 박막형 태양전지를 이용한 구조물
    2.
    发明授权
    광차단 수단이 구비된 박막형 태양전지를 이용한 구조물 有权

    公开(公告)号：KR102362624B1

    公开(公告)日：2022-02-15

    申请号：KR1020150038171

    申请日：2015-03-19

    IPC分类号： H01L31/0445 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/0216

    摘要： 본발명의일 실시예에따르면, 박막형태양전지; 상기박막형태양전지를투과한태양광의진행을차단할수 있는광차단수단; 및상기박막형태양전지와상기광차단수단사이에구비된절연층을포함하여이루어지고, 상기광차단수단은전력의공급유무에따라투명또는유색색상으로변경되는변색층을포함하여이루어진, 광차단수단이구비된박막형태양전지를이용한구조물이제공된다.

    태양전지
    3.
    发明公开
    태양전지 审中-实审

    公开(公告)号：KR1020220009479A

    公开(公告)日：2022-01-24

    申请号：KR1020220003272

    申请日：2022-01-10

    IPC分类号： H01L31/046 ,  H01L31/0368

    摘要： 본발명에따른일 실시예의태양전지는, 반도체기판, 상기반도체기판의어느한 면에형성되고, 상기반도체기판보다높은흡수계수를가지는반도체층, 상기반도체층을통과해상기반도체기판의일부에까지형성된그루브를포함한다.

    태양 전지 및 이의 제조 방법
    4.
    发明公开
    태양 전지 및 이의 제조 방법 无效

    公开(公告)号：KR1020210131276A

    公开(公告)日：2021-11-02

    申请号：KR1020210140207

    申请日：2021-10-20

    IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0224

    摘要： 본발명의일 실시예에따른태양전지는, n형도전형을가지는다결정실리콘층으로구성되는제1 도전형영역위에위치하며수소를가지는제1 알루미늄산화물층, 그리고상기제1 알루미늄산화물층위에위치하며상기제1 알루미늄산화물층과다른물질을포함하는제1 유전층을포함하는제1 패시베이션층을포함한다.

    태양 전지
    5.
    发明授权
    태양 전지 有权

    公开(公告)号：KR102317141B1

    公开(公告)日：2021-10-22

    申请号：KR1020150020420

    申请日：2015-02-10

    IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/02 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0368

    摘要： 본발명의실시예에따른태양전지는, 반도체기판; 상기반도체기판의전면위에부분적으로위치하고상기반도체기판과다른결정구조를가지며제1 도전형을가지는제1 도전형영역; 상기반도체기판의후면위에위치하고상기반도체기판과다른결정구조를가지며제2 도전형을가지는제2 도전형영역; 상기제1 도전형영역에연결되는제1 전극; 및상기제2 도전형영역에연결되는제2 전극을포함한다.

    태양 전지
    6.
    发明授权
    태양 전지 有权

    公开(公告)号：KR102295984B1

    公开(公告)日：2021-09-01

    申请号：KR1020140152378

    申请日：2014-11-04

    IPC分类号： H01L31/06 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0368

    摘要： 본발명은태양전지에관한것이다. 본발명의제1 실시예에따른태양전지는반도체기판; 반도체기판의후면에위치하는에미터부; 및에미터부의후면에위치하는패시베이션막; 반도체기판의전면에위치하는제1 전극; 반도체기판의후면에위치하는제2 전극;을포함하고, 패시베이션막의밀도는 2.5 g/㎤ ~ 2.85 g/㎤사이이다. 또한, 본발명의제2 실시예에따른태양전지는반도체기판; 반도체기판의전면에위치하는에미터부; 반도체기판의후면에위치하는후면전계부; 후면전계부의후면에위치하는패시베이션막; 반도체기판의전면에위치하는제1 전극; 및반도체기판의후면에위치하는제2 전극;을포함하고, 패시베이션막의밀도는 2.5 g/㎤ ~ 2.85 g/㎤사이이다. 아울러, 본발명의제3 실시예에따른태양전지는반도체기판의후면에위치하는에미터부와후면전계부; 에미터부및 후면전계부의후면에위치하는패시베이션막; 반도체기판의후면에위치하는제1 전극및 제2 전극;을포함하고, 패시베이션막의밀도는패시베이션막의밀도는 2.5 g/㎤ ~ 2.85 g/㎤사이이다.

    하이브리드 폴리실리콘 이종접합 배면 접점 전지
    7.
    发明授权
    하이브리드 폴리실리콘 이종접합 배면 접점 전지 有权

    公开(公告)号：KR102223562B1

    公开(公告)日：2021-03-04

    申请号：KR1020207010360

    申请日：2012-12-19

    申请人： 선파워 코포레이션

    发明人： 쿠진스피터제이 ,  스미스데이비드디 ,  림승비

    IPC分类号： H01L31/072 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0236

    摘要： 고효율의태양전지를제조하는방법이개시된다. 이방법은규소기판의배면상에얇은유전체층 및도핑된폴리실리콘층을제공하는단계를포함한다. 후속적으로, 고품질의산화물층 및와이드밴드갭의도핑된반도체층 둘모두가규소기판의배면및 정면상에형성될수 있다. 이어서, 접촉개구들을통해도핑된폴리실리콘층 상에금속핑거들을도금하는금속화공정이수행될수 있다. 도금된금속핑거들은제1 금속격자선을형성할수 있다. 제2 금속격자선은규소기판의배면상의이미터영역에금속을직접도금함으로써형성되어, 제2 금속격자선을위한접촉개구들에대한필요성을제거할수 있다. 여러이점들중에서, 이제조방법은고효율태양전지의제조를위한감소된열 공정, 감소된에칭단계, 증가된효율, 및단순화된절차를제공한다.

    태양 전지용 실리콘층 증착 장비
    9.
    发明授权
    태양 전지용 실리콘층 증착 장비 有权

    公开(公告)号：KR102219785B1

    公开(公告)日：2021-02-24

    申请号：KR1020180116446

    申请日：2018-09-28

    申请人： 엘지전자 주식회사

    发明人： 장원재 ,  안준용 ,  이현호

    IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/0392

    摘要： 본발명은태양전지용실리콘층증착장비에관한것이다. 본발명의일례에따른태양전지용실리콘층증착장비는복수의실리콘웨이퍼가내부에배치되는공간이제1 방향으로길게구비되는챔버몸체; 및챔버몸체의내부에제1 방향으로길게고정되고, 복수의실리콘웨이퍼의표면각각에실리콘층을증착시키는실리콘증착가스와증착되는실리콘층내에도핑되는불순물가스가혼합된혼합가스를분사하는홀이구비되는샤워노즐;을포함한다.