公开(公告)号：TW201137942A

公开(公告)日：2011-11-01

申请号：TW099141867

申请日：2010-12-02

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 蘇建彰 ,  郭紫微 ,  林憲信 ,  宋學昌 ,  白易芳 ,  陳冠宇

IPC: H01L

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823821 ,  H01L29/785

Abstract: 積體電路結構的形成方法包含提供晶圓,其包含基底與基底之主要表面上的半導體鰭片,以及進行沈積步驟,在半導體鰭片的上表面與側壁上磊晶生長磊晶層,其中磊晶層包含半導體材料。然後,進行蝕刻步驟,移除一部份的磊晶層,在半導體鰭片的上表面與側壁上留下磊晶層的剩餘部分。

Abstract in simplified Chinese: 集成电路结构的形成方法包含提供晶圆,其包含基底与基底之主要表面上的半导体鳍片,以及进行沉积步骤,在半导体鳍片的上表面与侧壁上磊晶生长磊晶层,其中磊晶层包含半导体材料。然后,进行蚀刻步骤,移除一部份的磊晶层,在半导体鳍片的上表面与侧壁上留下磊晶层的剩余部分。