公开(公告)号：TWI587486B

公开(公告)日：2017-06-11

申请号：TW105103805

申请日：2016-02-04

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 李宜靜 ,  LEE, YI JING ,  郭紫微 ,  KWOK, TSZ-MEI ,  游明華 ,  YU, MING HUA ,  李昆穆 ,  LI, KUN MU

IPC: H01L27/11 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/1104 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/7853

公开(公告)号：TW201714287A

公开(公告)日：2017-04-16

申请号：TW105100079

申请日：2016-01-04

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 李宜靜 ,  LEE, YI JING ,  李昆穆 ,  LI, KUN MU ,  游明華 ,  YU, MING HUA ,  郭紫微 ,  KWOK, TSZ-MEI

IPC: H01L27/118 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823468 ,  H01L29/0649

Abstract: 積體電路包含第一半導體鰭狀物、第一磊晶結構，及至少二第一介電鰭狀物側壁結構。第一磊晶結構置於第一半導體鰭狀物上。第一介電鰭狀物側壁結構置於第一磊晶結構之相對側壁上。第一介電鰭狀物側壁結構具有不同的高度。

Abstract in simplified Chinese: 集成电路包含第一半导体鳍状物、第一磊晶结构，及至少二第一介电鳍状物侧壁结构。第一磊晶结构置于第一半导体鳍状物上。第一介电鳍状物侧壁结构置于第一磊晶结构之相对侧壁上。第一介电鳍状物侧壁结构具有不同的高度。

公开(公告)号：TWI579929B

公开(公告)日：2017-04-21

申请号：TW104138005

申请日：2015-11-18

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

Inventor： 李昆穆 ,  LI, KUN MU ,  游明華 ,  YU, MING HUA ,  郭紫微 ,  KWOK, TSZ MEI ,  楊 建倫 ,  YANG, CHAN-LON

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/772

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/845 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66636

公开(公告)号：TW201508923A

公开(公告)日：2015-03-01

申请号：TW103100915

申请日：2014-01-10

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 郭紫微 ,  KWOK, TSZ MEI ,  李昆穆 ,  LI, KUN MU ,  宋學昌 ,  SUNG, HSUEH CHANG ,  李啓弘 ,  LI, CHII HORNG ,  李資良 ,  LEE, TZE LIANG

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/22

CPC classification number: H01L29/66636 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/265 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/7847 ,  H01L29/7848

Abstract: 本發明提供一種積體電路結構，包含一半導體基板；一閘極堆疊配置於該半導體基板之上；一開口延伸至該半導體基板中，其中該開口與該閘極堆疊相鄰；一第一矽鍺區域位於該開口中，其中該第一矽鍺區域具有一第一鍺濃度百分比；一第二矽鍺區域位於該第一矽鍺區域之上，其中該第二矽鍺區域具有一第二鍺濃度百分比，且該第二鍺濃度百分比高於該第一鍺濃度百分比；以及，一第三矽鍺區域位於該第二矽鍺區域之上，其中該第三矽鍺區域具有一第三鍺濃度百分比，且該第三鍺濃度百分比低於該第二鍺濃度百分比。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种集成电路结构，包含一半导体基板；一闸极堆栈配置于该半导体基板之上；一开口延伸至该半导体基板中，其中该开口与该闸极堆栈相邻；一第一硅锗区域位于该开口中，其中该第一硅锗区域具有一第一锗浓度百分比；一第二硅锗区域位于该第一硅锗区域之上，其中该第二硅锗区域具有一第二锗浓度百分比，且该第二锗浓度百分比高于该第一锗浓度百分比；以及，一第三硅锗区域位于该第二硅锗区域之上，其中该第三硅锗区域具有一第三锗浓度百分比，且该第三锗浓度百分比低于该第二锗浓度百分比。

公开(公告)号：TW201114039A

公开(公告)日：2011-04-16

申请号：TW099132977

申请日：2010-09-29

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 賴理學 ,  郭紫微 ,  葉致鍇 ,  萬幸仁

IPC: H01L

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/66795 ,  H01L2029/7858

Abstract: 本發明提供一種鰭式場效電晶體,其在一基底的上方具有一鰭式通道本體。一閘極是置於上述鰭式通道本體的上方。至少一源/汲極區是鄰接於上述鰭式通道本體。上述至少一源/汲極區是實質上未包含任何鰭式結構。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种鳍式场效应管,其在一基底的上方具有一鳍式信道本体。一闸极是置于上述鳍式信道本体的上方。至少一源/汲极区是邻接于上述鳍式信道本体。上述至少一源/汲极区是实质上未包含任何鳍式结构。

公开(公告)号：TWI588977B

公开(公告)日：2017-06-21

申请号：TW105100079

申请日：2016-01-04

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 李宜靜 ,  LEE, YI JING ,  李昆穆 ,  LI, KUN MU ,  游明華 ,  YU, MING HUA ,  郭紫微 ,  KWOK, TSZ-MEI

IPC: H01L27/118 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823468 ,  H01L29/0649

公开(公告)号：TWI540728B

公开(公告)日：2016-07-01

申请号：TW103100915

申请日：2014-01-10

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 郭紫微 ,  KWOK, TSZ MEI ,  李昆穆 ,  LI, KUN MU ,  宋學昌 ,  SUNG, HSUEH CHANG ,  李啓弘 ,  LI, CHII HORNG ,  李資良 ,  LEE, TZE LIANG

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/22

CPC classification number: H01L29/66636 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/265 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/7847 ,  H01L29/7848

公开(公告)号：TW201505185A

公开(公告)日：2015-02-01

申请号：TW103116196

申请日：2014-05-07

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 宋學昌 ,  SUNG, HSUEH CHANG ,  郭紫微 ,  KWOK, TSZ-MEI ,  李昆穆 ,  LI, KUN MU ,  李資良 ,  LEE, TZE LIANG ,  李啓弘 ,  LI, CHII HORNG

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/66636 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/28 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/823425 ,  H01L27/088 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66492 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848

Abstract: 本發明是揭露一種積體電路結構，其包含在一半導體基底的上方的一閘極堆疊結構以及延伸而進入上述半導體基底內的一開口，其中上述開口鄰接上述閘極堆疊結構。一第一矽鍺區是置於上述開口中，其中上述第一矽鍺區具有一第一鍺含量百分比。一第二矽鍺區是在上述第一矽鍺區的上方，其中上述第二矽鍺區具有在該開口內的一部分，且上述第二矽鍺區具有大於上述第一鍺含量百分比之一第二鍺含量百分比。一矽蓋是在上述第二矽鍺區的上方，上述矽蓋實質上不含鍺。

Abstract in simplified Chinese: 本发明是揭露一种集成电路结构，其包含在一半导体基底的上方的一闸极堆栈结构以及延伸而进入上述半导体基底内的一开口，其中上述开口邻接上述闸极堆栈结构。一第一硅锗区是置于上述开口中，其中上述第一硅锗区具有一第一锗含量百分比。一第二硅锗区是在上述第一硅锗区的上方，其中上述第二硅锗区具有在该开口内的一部分，且上述第二硅锗区具有大于上述第一锗含量百分比之一第二锗含量百分比。一硅盖是在上述第二硅锗区的上方，上述硅盖实质上不含锗。

公开(公告)号：TWI456760B

公开(公告)日：2014-10-11

申请号：TW099132977

申请日：2010-09-29

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 賴理學 ,  LAI, LI SHYUE ,  郭紫微 ,  KWOK, TSZ-MEI ,  葉致鍇 ,  YEH, CHIH CHIEH ,  萬幸仁 ,  WANN, CLEMENT HSINGJEN

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/66795 ,  H01L2029/7858

公开(公告)号：TW201137942A

公开(公告)日：2011-11-01

申请号：TW099141867

申请日：2010-12-02

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 蘇建彰 ,  郭紫微 ,  林憲信 ,  宋學昌 ,  白易芳 ,  陳冠宇

IPC: H01L

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823821 ,  H01L29/785

Abstract: 積體電路結構的形成方法包含提供晶圓,其包含基底與基底之主要表面上的半導體鰭片,以及進行沈積步驟,在半導體鰭片的上表面與側壁上磊晶生長磊晶層,其中磊晶層包含半導體材料。然後,進行蝕刻步驟,移除一部份的磊晶層,在半導體鰭片的上表面與側壁上留下磊晶層的剩餘部分。

Abstract in simplified Chinese: 集成电路结构的形成方法包含提供晶圆,其包含基底与基底之主要表面上的半导体鳍片,以及进行沉积步骤,在半导体鳍片的上表面与侧壁上磊晶生长磊晶层,其中磊晶层包含半导体材料。然后,进行蚀刻步骤,移除一部份的磊晶层,在半导体鳍片的上表面与侧壁上留下磊晶层的剩余部分。