公开(公告)号：TW201137942A

公开(公告)日：2011-11-01

申请号：TW099141867

申请日：2010-12-02

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 蘇建彰 ,  郭紫微 ,  林憲信 ,  宋學昌 ,  白易芳 ,  陳冠宇

IPC: H01L

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823821 ,  H01L29/785

Abstract: 積體電路結構的形成方法包含提供晶圓,其包含基底與基底之主要表面上的半導體鰭片,以及進行沈積步驟,在半導體鰭片的上表面與側壁上磊晶生長磊晶層,其中磊晶層包含半導體材料。然後,進行蝕刻步驟,移除一部份的磊晶層,在半導體鰭片的上表面與側壁上留下磊晶層的剩餘部分。

Abstract in simplified Chinese: 集成电路结构的形成方法包含提供晶圆,其包含基底与基底之主要表面上的半导体鳍片,以及进行沉积步骤,在半导体鳍片的上表面与侧壁上磊晶生长磊晶层,其中磊晶层包含半导体材料。然后,进行蚀刻步骤,移除一部份的磊晶层,在半导体鳍片的上表面与侧壁上留下磊晶层的剩余部分。

公开(公告)号：TWI420573B

公开(公告)日：2013-12-21

申请号：TW099141867

申请日：2010-12-02

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 蘇建彰 ,  SU, CHIEN CHANG ,  郭紫微 ,  KWOK, TSZ-MEI ,  林憲信 ,  LIN, HSIEN HSIN ,  宋學昌 ,  SUNG, HSUEH CHANG ,  白易芳 ,  PAI, YI FANG ,  陳冠宇 ,  CHEN, KUAN YU

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/306 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823821 ,  H01L29/785

公开(公告)号：TW201725658A

公开(公告)日：2017-07-16

申请号：TW105131737

申请日：2016-09-30

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 奧野泰利 ,  OKUNO, YASUTOSHI ,  陳振隆 ,  CHEN, CHENG LONG ,  張孟淳 ,  CHANG, MENG CHUN ,  王菘豊 ,  WANG, SUNG LI ,  白易芳 ,  PAI, YI FANG ,  鬼木悠丞 ,  ONIKI, YUSUKE

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/535 ,  H01L29/04 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/485 ,  H01L23/535 ,  H01L29/045 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/24 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7851

Abstract: 一種形成半導體結構的方法包括以下操作：(i)在基板上形成鰭式結構；(ii)從鰭式結構磊晶生長磊晶結構；(iii)形成圍繞磊晶結構的犧牲結構；(iv)形成覆蓋犧牲結構的介電層；(v)形成穿過介電層的開口以部分地曝露犧牲結構；(vi)移除犧牲結構的一部分以曝露磊晶結構的一部分；以及(vii)形成與磊晶結構的曝露部分接觸的接觸結構。本文亦揭示一種半導體結構。

Abstract in simplified Chinese: 一种形成半导体结构的方法包括以下操作：(i)在基板上形成鳍式结构；(ii)从鳍式结构磊晶生长磊晶结构；(iii)形成围绕磊晶结构的牺牲结构；(iv)形成覆盖牺牲结构的介电层；(v)形成穿过介电层的开口以部分地曝露牺牲结构；(vi)移除牺牲结构的一部分以曝露磊晶结构的一部分；以及(vii)形成与磊晶结构的曝露部分接触的接触结构。本文亦揭示一种半导体结构。