公开(公告)号：TWI570924B

公开(公告)日：2017-02-11

申请号：TW101144216

申请日：2012-11-26

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  磯部敦生 ,  ISOBE, ATSUO ,  家田義紀 ,  IEDA, YOSHINORI ,  永井雅晴 ,  NAGAI, MASAHARU

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/786 ,  H01L29/7869

公开(公告)号：TWI407825B

公开(公告)日：2013-09-01

申请号：TW093125022

申请日：2004-08-19

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 土屋薰 ,  TSUCHIYA, KAORU ,  安西彩 ,  ANZAI, AYA ,  坂倉真之 ,  SAKAKURA, MASAYUKI ,  永井雅晴 ,  NAGAI, MASAHARU ,  松田豐 ,  MATSUDA, YUTAKA

IPC: H05B33/04

CPC classification number: H01L33/52 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3276 ,  H01L51/5246 ,  H01L2251/5323 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TWI501690B

公开(公告)日：2015-09-21

申请号：TW101139484

申请日：2004-08-19

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 土屋薰 ,  TSUCHIYA, KAORU ,  安西彩 ,  ANZAI, AYA ,  坂倉真之 ,  SAKAKURA, MASAYUKI ,  永井雅晴 ,  NAGAI, MASAHARU ,  松田豐 ,  MATSUDA, YUTAKA

IPC: H05B33/04

CPC classification number: H01L33/52 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3276 ,  H01L51/5246 ,  H01L2251/5323 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201309082A

公开(公告)日：2013-02-16

申请号：TW101139484

申请日：2004-08-19

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 土屋薰 ,  TSUCHIYA, KAORU ,  安西彩 ,  ANZAI, AYA ,  坂倉真之 ,  SAKAKURA, MASAYUKI ,  永井雅晴 ,  NAGAI, MASAHARU ,  松田豐 ,  MATSUDA, YUTAKA

IPC: H05B33/04

CPC classification number: H01L33/52 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3276 ,  H01L51/5246 ,  H01L2251/5323 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本發明的目的就是提供一種密封結構，其阻止了作為破壞因素的材料例如水或者氧氣從外部進入，並且在顯示器中使用有機或無機場致發光元件的顯示器中可以獲得足夠的可靠性。鑒於上述目的，專注於中間層絕緣膜的滲透性，根據本發明，藉由阻止水從中間層絕緣膜的進入，可抑制場致發光元件的損壞並且獲得了足夠的可靠性。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的目的就是提供一种密封结构，其阻止了作为破坏因素的材料例如水或者氧气从外部进入，并且在显示器中使用有机或无机场致发光组件的显示器中可以获得足够的可靠性。鉴于上述目的，专注于中间层绝缘膜的渗透性，根据本发明，借由阻止水从中间层绝缘膜的进入，可抑制场致发光组件的损坏并且获得了足够的可靠性。

公开(公告)号：TWI384525B

公开(公告)日：2013-02-01

申请号：TW095117682

申请日：2006-05-18

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 大沼英人 ,  OHNUMA, HIDETO ,  永井雅晴 ,  NAGAI, MASAHARU ,  納光明 ,  OSAME, MITSUAKI ,  坂倉真之 ,  SAKAKURA, MASAYUKI ,  小森茂樹 ,  KOMORI, SHIGEKI ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/78645