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    導電糊、連接構造體及連接構造體之製造方法
    12.
    发明专利
    導電糊、連接構造體及連接構造體之製造方法 审中-公开
    导电煳、连接构造体及连接构造体之制造方法

    公开(公告)号：TW201625760A

    公开(公告)日：2016-07-16

    申请号：TW104140380

    申请日：2015-12-02

    申请人： 積水化學工業股份有限公司 ,  SEKISUI CHEMICAL CO., LTD.

    发明人： 石澤英亮 ,  ISHIZAWA, HIDEAKI ,  上野山伸也 ,  UENOYAMA, SHINYA

    IPC分类号： C09J9/02 ,  C09J123/14 ,  C09J123/08 ,  H01L21/04

    CPC分类号： H01B1/22 ,  H01B5/16 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/1152 ,  H01R4/04 ,  H01R43/00 ,  H05K3/32

    摘要： 本發明提供一種可高精度地控制電極間之間隔，進而可有效率地將焊料粒子配置於電極上，而可提高電極間之導通可靠性之導電糊。 本發明之導電糊係用以將表面具有第1電極之第1連接對象構件與表面具有第2電極之第2連接對象構件進行連接而使上述第1電極與上述第2電極電性連接，且包含熱硬化性成分、複數個焊料粒子、及熔點為250℃以上之複數個間隔物，上述間隔物之平均粒徑大於上述焊料粒子之平均粒徑。

    简体摘要： 本发明提供一种可高精度地控制电极间之间隔，进而可有效率地将焊料粒子配置于电极上，而可提高电极间之导通可靠性之导电煳。 本发明之导电煳系用以将表面具有第1电极之第1连接对象构件与表面具有第2电极之第2连接对象构件进行连接而使上述第1电极与上述第2电极电性连接，且包含热硬化性成分、复数个焊料粒子、及熔点为250℃以上之复数个间隔物，上述间隔物之平均粒径大于上述焊料粒子之平均粒径。

    電氣裝置
    13.
    发明专利
    電氣裝置 审中-公开
    电气设备

    公开(公告)号：TW201907571A

    公开(公告)日：2019-02-16

    申请号：TW107109099

    申请日：2018-03-16

    申请人： 英商伊溫斯科技公司 ,  EVINCE TECHNOLOGY LIMITED

    发明人： 泰勒 蓋瑞斯安德魯 ,  TAYLOR, GARETH ANDREW

    IPC分类号： H01L29/861 ,  H01L29/16 ,  H01L21/04 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06

    摘要： 揭示一種電氣裝置(2)。該裝置包含一金剛石材料基板(4)以及複數個長狀金屬突起(18)各自延伸入該基板的凹部(6)。配置在各自的突起及該基板之間的摻雜半導體層(14)。當在該等突起及該基板之間施加電場時，該等半導體層表現為n型半導體材料，適合於在該等半導體層內產生正空間電荷區域。

    简体摘要： 揭示一种电气设备(2)。该设备包含一金刚石材料基板(4)以及复数个长状金属突起(18)各自延伸入该基板的凹部(6)。配置在各自的突起及该基板之间的掺杂半导体层(14)。当在该等突起及该基板之间施加电场时，该等半导体层表现为n型半导体材料，适合于在该等半导体层内产生正空间电荷区域。

    用於在陶瓷基板上整合元素及複合半導體的方法及系統
    14.
    发明专利
    用於在陶瓷基板上整合元素及複合半導體的方法及系統 审中-公开
    用于在陶瓷基板上集成元素及复合半导体的方法及系统

    公开(公告)号：TW201834022A

    公开(公告)日：2018-09-16

    申请号：TW106136152

    申请日：2017-10-20

    申请人： 美商克若密斯股份有限公司 ,  QROMIS, INC.

    发明人： 歐諾博利伍鐸 佛拉迪米耶 ,  ODNOBLYUDOV, VLADIMIR ,  巴瑟里 傑姆 ,  BASCERI, CEM ,  法倫斯 莎麗 ,  FARRENS, SHARI ,  阿克塔斯 奧茲卡 ,  AKTAS, OZGUR

    IPC分类号： H01L21/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/092 ,  C30B25/18 ,  C30B29/06 ,  C30B29/40

    摘要： 一種製造半導體結構的方法，該方法包括提供工程基板，該工程基板包括多晶基板、包封該多晶基板的阻障層、及連接該阻障層的結合層。該方法進一步包括以下步驟：形成連接該結合層的第一矽層；形成連接該第一矽層的介電層；形成連接該介電層的第二矽層；去除該第二矽層的一部分和該介電層的一相應部分以暴露該第一矽層的一部分；形成連接該第一矽層的暴露部分的氮化鎵（GaN）層；形成連接該GaN層的基於氮化鎵（GaN）的元件；以及形成連接該第二矽層的剩餘部分的基於矽的元件。

    简体摘要： 一种制造半导体结构的方法，该方法包括提供工程基板，该工程基板包括多晶基板、包封该多晶基板的阻障层、及连接该阻障层的结合层。该方法进一步包括以下步骤：形成连接该结合层的第一硅层；形成连接该第一硅层的介电层；形成连接该介电层的第二硅层；去除该第二硅层的一部分和该介电层的一相应部分以暴露该第一硅层的一部分；形成连接该第一硅层的暴露部分的氮化镓（GaN）层；形成连接该GaN层的基于氮化镓（GaN）的组件；以及形成连接该第二硅层的剩余部分的基于硅的组件。

    可拉伸之電晶體元件
    15.
    发明专利
    可拉伸之電晶體元件 审中-公开
    可拉伸之晶体管组件

    公开(公告)号：TW201736460A

    公开(公告)日：2017-10-16

    申请号：TW105111343

    申请日：2016-04-12

    申请人： 國立臺灣大學 ,  NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY

    发明人： 石健忠 ,  SHIH, CHIEN CHUNG ,  李文亞 ,  LEE, WEN YA ,  呂謙 ,  LU, CHIEN ,  吳泓錦 ,  WU, HUNG CHIN ,  陳文章 ,  CHEN, WEN CHANG

    IPC分类号： C08J7/00 ,  H01L21/04

    摘要： 本發明係關於一種可拉伸電晶體元件，其中包含一表面皺摺之含氟彈性體(fluoroelastomer)做為基材，此外，亦可更進一步包含該表面皺摺之含氟彈性體做為一介電層，本發明由於使用具有自交聯之表面皺褶之含氟彈性體作為基材及介電層，顯著增加可拉伸場效電晶體的機械柔量。除此之外，該可拉伸之電晶體經2000次30%之同軸向拉伸循環後，仍具有高度且穩定的遷移率表現。

    简体摘要： 本发明系关于一种可拉伸晶体管组件，其中包含一表面皱折之含氟弹性体(fluoroelastomer)做为基材，此外，亦可更进一步包含该表面皱折之含氟弹性体做为一介电层，本发明由于使用具有自交联之表面皱褶之含氟弹性体作为基材及介电层，显着增加可拉伸场效应管的机械柔量。除此之外，该可拉伸之晶体管经2000次30%之同轴向拉伸循环后，仍具有高度且稳定的迁移率表现。

    半導體裝置及其製造方法
    17.
    发明专利
    半導體裝置及其製造方法 审中-公开
    半导体设备及其制造方法

    公开(公告)号：TW201624698A

    公开(公告)日：2016-07-01

    申请号：TW104130367

    申请日：2015-09-15

    申请人： 瑞薩電子股份有限公司 ,  RENESAS ELECTRONICS CORPORATION

    发明人： 新井耕一 ,  ARAI, KOICHI ,  久田賢一 ,  HISADA, KENICHI

    IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L21/04 ,  H01L29/78 ,  H01L29/66 ,  H01L29/16

    CPC分类号： H01L21/047 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813

    摘要： 本發明之課題係在具有溝槽型MOS閘極構造之碳化矽半導體裝置中，抑制動作特性之不均一。 本發明之解決手段係對藉由進行2次以上植入能量互異之離子植入而形成之p- 型本體層PB，形成溝槽TR後，藉由斜向離子植入p型雜質，在溝槽TR之側壁部，形成在深度方向上具有均一雜質濃度分布之p型通道層CH。此外，雖然藉由斜向離子植入形成p型通道層CH時，在溝槽TR底部之n- 型漂移層NEa中亦導入p型雜質，但藉由在p- 型本體層PB與n- 型漂移層NEa之間，形成雜質濃度比p型通道層CH、p- 型本體層PB及n- 型漂移層NEa高之n型層NI，可定出通道長度。藉此，可抑制動作特性之不均一。

    简体摘要： 本发明之课题系在具有沟槽型MOS闸极构造之碳化硅半导体设备中，抑制动作特性之不均一。 本发明之解决手段系对借由进行2次以上植入能量互异之离子植入而形成之p- 型本体层PB，形成沟槽TR后，借由斜向离子植入p型杂质，在沟槽TR之侧壁部，形成在深度方向上具有均一杂质浓度分布之p型信道层CH。此外，虽然借由斜向离子植入形成p型信道层CH时，在沟槽TR底部之n- 型漂移层NEa中亦导入p型杂质，但借由在p- 型本体层PB与n- 型漂移层NEa之间，形成杂质浓度比p型信道层CH、p- 型本体层PB及n- 型漂移层NEa高之n型层NI，可定出信道长度。借此，可抑制动作特性之不均一。