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    功率半導體裝置及其製造方法
    2.
    发明专利
    功率半導體裝置及其製造方法 审中-公开
    功率半导体设备及其制造方法

    公开(公告)号：TW201803126A

    公开(公告)日：2018-01-16

    申请号：TW106110994

    申请日：2017-03-31

    申请人： 新電元工業股份有限公司 ,  SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD.

    发明人： 新井大輔 ,  ARAI, DAISUKE ,  北田瑞枝 ,  KITADA, MIZUE ,  淺田毅 ,  ASADA, TAKESHI ,  山口武司 ,  YAMAGUCHI, TAKESHI ,  鈴木教章 ,  SUZUKI, NORIAKI

    IPC分类号： H01L29/78

    CPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

    摘要： 本發明的功率半導體裝置，具有超級結結構，包括：低電阻半導體層、n-型柱形區域、p-型柱形區域、基極區域、溝槽、閘極絕緣膜、閘電極、源極區域、層間絕緣膜、接觸孔、金屬塞、p+型擴散區域、源電極、以及閘極焊盤電極，並且，主動元件部，在距離閘極焊盤部最近的規定的p-型柱形區域，與與溝槽接觸的n-型柱形區域中距離閘極焊盤部最近的規定的n-型柱形區域之間，具備n-型柱形區域。本發明的功率半導體裝置，是一種符合低成本化以及小型化要求的，並且能夠在維持高耐壓的同時降低導通電阻的，具有高擊穿耐量的功率半導體裝置。

    简体摘要： 本发明的功率半导体设备，具有超级结结构，包括：低电阻半导体层、n-型柱形区域、p-型柱形区域、基极区域、沟槽、闸极绝缘膜、闸电极、源极区域、层间绝缘膜、接触孔、金属塞、p+型扩散区域、源电极、以及闸极焊盘电极，并且，主动组件部，在距离闸极焊盘部最近的规定的p-型柱形区域，与与沟槽接触的n-型柱形区域中距离闸极焊盘部最近的规定的n-型柱形区域之间，具备n-型柱形区域。本发明的功率半导体设备，是一种符合低成本化以及小型化要求的，并且能够在维持高耐压的同时降低导通电阻的，具有高击穿耐量的功率半导体设备。

    功率金氧半導體元件
    3.
    发明专利
    功率金氧半導體元件 审中-公开
    功率金属氧化物半导体组件

    公开(公告)号：TW201733111A

    公开(公告)日：2017-09-16

    申请号：TW105107184

    申请日：2016-03-09

    申请人： 拓緯實業有限公司 ,  BRIGHT TOWARD INDUSTRIAL CO., LTD.

    发明人： 涂高維 ,  TU, KAO WAY ,  張淵舜 ,  CHANG, YUAN SHUN ,  徐志旭 ,  HSU, TZU HSU

    IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/38 ,  H01L29/772

    CPC分类号： H01L29/0634 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7811

    摘要： 一種功率金氧半導體元件，形成於一半導體基板，並包含一主動區域與一崩潰優先觸發區域。其中，主動區域係包含複數主動區域P型摻雜區與複數個主動區域N型摻雜區，交替排列於一源極與一汲極間，並包含複數個閘極結構，用以控制主動區域之導通狀態。崩潰優先觸發區域係包含至少一個崩潰優先觸發區域P型摻雜區與至少一個崩潰優先觸發區域N型摻雜區，交替排列於前述源極與前述汲極之間，並且，崩潰優先觸發區域之源汲極崩潰電壓小於主動區域之源汲極崩潰電壓。

    简体摘要： 一种功率金属氧化物半导体组件，形成于一半导体基板，并包含一主动区域与一崩溃优先触发区域。其中，主动区域系包含复数主动区域P型掺杂区与复数个主动区域N型掺杂区，交替排列于一源极与一汲极间，并包含复数个闸极结构，用以控制主动区域之导通状态。崩溃优先触发区域系包含至少一个崩溃优先触发区域P型掺杂区与至少一个崩溃优先触发区域N型掺杂区，交替排列于前述源极与前述汲极之间，并且，崩溃优先触发区域之源汲极崩溃电压小于主动区域之源汲极崩溃电压。

    用於垂直功率電晶體之終端區域架構
    4.
    发明专利
    用於垂直功率電晶體之終端區域架構 审中-公开
    用于垂直功率晶体管之终端区域架构

    公开(公告)号：TW201731097A

    公开(公告)日：2017-09-01

    申请号：TW105131488

    申请日：2016-09-30

    申请人： D3半導體責任有限公司 ,  D3 SEMICONDUCTOR LLC

    发明人： 海靈頓 湯瑪士E 三世 ,  HARRINGTON, THOMAS E. III ,  斯邦海姆爾 約翰V ,  SPOHNHEIMER, JOHN V. ,  屈 志軍 ,  QU, ZHIJUN

    IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

    CPC分类号： H01L29/7811 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/404 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/8611

    摘要： 本發明揭示一種垂直功率切換裝置，諸如一垂直超級接面金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)，其中積體電路之隅角中的終端結構經拉伸以有效地塑形橫向電場。該裝置中的終端結構包含諸如摻雜區域、場板、絕緣體薄膜及高電壓導電區域及處於經施加基板電壓之元件的特性。此等終端結構之邊緣係根據一二階平滑非圓形解析函數來塑形及佈置，以便與一恆定距離路徑相比自該裝置之核心區域更深入延伸至晶粒隅角中。本發明亦揭示該終端區域中之電浮動護環，以抑制寄生p-n-p-n結構之觸發。

    简体摘要： 本发明揭示一种垂直功率切换设备，诸如一垂直超级接面金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)，其中集成电路之隅角中的终端结构经拉伸以有效地塑形横向电场。该设备中的终端结构包含诸如掺杂区域、场板、绝缘体薄膜及高电压导电区域及处于经施加基板电压之组件的特性。此等终端结构之边缘系根据一二阶平滑非圆形解析函数来塑形及布置，以便与一恒定距离路径相比自该设备之内核区域更深入延伸至晶粒隅角中。本发明亦揭示该终端区域中之电浮动护环，以抑制寄生p-n-p-n结构之触发。