公开(公告)号：TWI578525B

公开(公告)日：2017-04-11

申请号：TW104124565

申请日：2015-07-29

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 江國誠 ,  CHING, KUO CHENG ,  劉繼文 ,  LIU, CHI WEN ,  梁英強 ,  LEUNG, YING-KEUNG

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/772

公开(公告)号：TWI575739B

公开(公告)日：2017-03-21

申请号：TW104118367

申请日：2015-06-05

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 江國誠 ,  CHING, KUOCHENG ,  蔡慶威 ,  TSAI, CHINGWEI ,  劉繼文 ,  LIU, CHIWEN ,  王志豪 ,  WANG, CHIHHAO ,  梁英強 ,  LEUNG, YINGKEUNG

IPC: H01L29/772 ,  H01L21/335 ,  H01L21/762

公开(公告)号：TW201630184A

公开(公告)日：2016-08-16

申请号：TW104124565

申请日：2015-07-29

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 江國誠 ,  CHING, KUO CHENG ,  劉繼文 ,  LIU, CHI WEN ,  梁英強 ,  LEUNG, YING-KEUNG

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/772

Abstract: 一種裝置包含：第一半導體條；第一閘極介電質，環繞於第一半導體條；第二半導體條，重疊於第一半導體條；第二閘極介電質，環繞於第二半導體條，且第二閘極介電質接觸第一閘極介電質；以及閘極電極，具有一部份位於第二半導體條之上方，而其他部分位於第一、第二半導體條與第一、第二閘極介電質之相對兩側。

Abstract in simplified Chinese: 一种设备包含：第一半导体条；第一闸极介电质，环绕于第一半导体条；第二半导体条，重叠于第一半导体条；第二闸极介电质，环绕于第二半导体条，且第二闸极介电质接触第一闸极介电质；以及闸极电极，具有一部份位于第二半导体条之上方，而其他部分位于第一、第二半导体条与第一、第二闸极介电质之相对两侧。