多閘極裝置的製造方法
    6.
    发明专利
    多閘極裝置的製造方法 审中-公开
    多闸极设备的制造方法

    公开(公告)号:TW201735268A

    公开(公告)日:2017-10-01

    申请号:TW105138459

    申请日:2016-11-23

    Abstract: 本揭露描述了一種半導體裝置的製造方法,包括從基板形成延伸的第一鰭狀結構。第一鰭狀結構具有源極/汲極區域和溝道區域,並且第一鰭狀結構由磊晶層的第一堆疊形成,其中,磊晶層包括具有由具有第二組成的第二磊晶層插入的第一組成的第一磊晶層。此方法還包括從第一鰭狀結構的源極/汲極區域去除第二磊晶層以形成第一間隙,用介電層覆蓋第一磊晶層的一部分,並且用介電材料填充第一間隙並且生長另一磊晶材料在每個所述第一磊晶層的至少兩個表面上,以形成第一源極/汲極結構,同時所述介電材料填充所述第一間隙。

    Abstract in simplified Chinese: 本揭露描述了一种半导体设备的制造方法,包括从基板形成延伸的第一鳍状结构。第一鳍状结构具有源极/汲极区域和沟道区域,并且第一鳍状结构由磊晶层的第一堆栈形成,其中,磊晶层包括具有由具有第二组成的第二磊晶层插入的第一组成的第一磊晶层。此方法还包括从第一鳍状结构的源极/汲极区域去除第二磊晶层以形成第一间隙,用介电层覆盖第一磊晶层的一部分,并且用介电材料填充第一间隙并且生长另一磊晶材料在每个所述第一磊晶层的至少两个表面上,以形成第一源极/汲极结构,同时所述介电材料填充所述第一间隙。

    半導體結構及其製造方法
    9.
    发明专利
    半導體結構及其製造方法 审中-公开
    半导体结构及其制造方法

    公开(公告)号:TW201824564A

    公开(公告)日:2018-07-01

    申请号:TW106118724

    申请日:2017-06-06

    Abstract: 本揭露提供一種半導體結構及其製造方法。半導體結構包括:基板上之鰭片結構;形成在鰭片結構上之第一閘極堆疊及第二閘極堆疊;設置在第一閘極堆疊及第二閘極堆疊上之介電質材料層,其中介電質層包括設置在具有第一厚度之第一閘極堆疊之側壁上之第一部分,及設置在具有大於第一厚度之第二厚度之第二閘極堆疊之側壁上之第二部分;設置在介電質材料層之第一部分上之第一閘極間隔層;以及設置在介電質材料層之第二部分上之第二閘極間隔層。

    Abstract in simplified Chinese: 本揭露提供一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括:基板上之鳍片结构;形成在鳍片结构上之第一闸极堆栈及第二闸极堆栈;设置在第一闸极堆栈及第二闸极堆栈上之介电质材料层,其中介电质层包括设置在具有第一厚度之第一闸极堆栈之侧壁上之第一部分,及设置在具有大于第一厚度之第二厚度之第二闸极堆栈之侧壁上之第二部分;设置在介电质材料层之第一部分上之第一闸极间隔层;以及设置在介电质材料层之第二部分上之第二闸极间隔层。

    鰭式場效電晶體及其製造方法
    10.
    发明专利
    鰭式場效電晶體及其製造方法 审中-公开
    鳍式场效应管及其制造方法

    公开(公告)号:TW201735364A

    公开(公告)日:2017-10-01

    申请号:TW105132087

    申请日:2016-10-04

    Abstract: 一種鰭式場效電晶體的製造方法包含形成隔離區延伸至半導體基材內,及使隔離區內縮。介於隔離區之間的半導體基材之一部分突出至高於隔離區,以形成半導體鰭片。形成虛擬閘極電極覆蓋半導體鰭片的中間部分,而半導體鰭片的末端部分不被虛擬閘極電極覆蓋。虛擬閘極電極包含虛擬閘極電極下部分及虛擬閘極電極上部分,其中虛擬閘極電極上部分包含在虛擬閘極電極下部分上方的多晶矽。虛擬閘極電極下部分及虛擬閘極電極上部分是由不同材料所形成。源/汲極區係形成在虛擬閘極電極的相對側上。取代閘極電極係替換為虛擬閘極電極。

    Abstract in simplified Chinese: 一种鳍式场效应管的制造方法包含形成隔离区延伸至半导体基材内,及使隔离区内缩。介于隔离区之间的半导体基材之一部分突出至高于隔离区,以形成半导体鳍片。形成虚拟闸极电极覆盖半导体鳍片的中间部分,而半导体鳍片的末端部分不被虚拟闸极电极覆盖。虚拟闸极电极包含虚拟闸极电极下部分及虚拟闸极电极上部分,其中虚拟闸极电极上部分包含在虚拟闸极电极下部分上方的多晶硅。虚拟闸极电极下部分及虚拟闸极电极上部分是由不同材料所形成。源/汲极区系形成在虚拟闸极电极的相对侧上。取代闸极电极系替换为虚拟闸极电极。

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