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公开(公告)号：TWI619174B
公开(公告)日：2018-03-21
申请号：TW104138302
申请日：2015-11-19
Inventor： 江國誠 , CHING, KUO CHENG , 蔡慶威 , TSAI, CHING WEI , 卡羅司 迪亞玆 , DIAZ, CARLOS H. , 王志豪 , WANG, CHIH HAO , 連萬益 , LIEN, WAI YI , 梁英強 , LEUNG, YING-KEUNG
IPC: H01L21/336 , H01L29/772
CPC classification number: H01L29/7848 , H01L29/0649 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/165 , H01L29/42392 , H01L29/66439 , H01L29/66537 , H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/775 , H01L29/7851
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公开(公告)号：TW201729399A
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：TW105136004
申请日：2016-11-04
Inventor： 江國誠 , CHING, KUO CHENG , 蔡慶威 , TSAI, CHING WEI , 吳忠政 , WU, CHUNG CHENG , 王志豪 , WANG, CHIH HAO , 謝文興 , HSIEH, WEN HSING , 梁英強 , LEUNG, YING-KEUNG
IPC: H01L27/06 , H01L29/06 , H01L29/417 , H01L29/66 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/785 , H01L27/0635 , H01L29/0649 , H01L29/41791 , H01L29/66545 , H01L29/66795
Abstract: 本揭示案提供一種半導體結構。半導體結構包括具有第一區域及第二區域之基板；形成於基板上之第一區域內的第一鰭特徵；及形成於基板上之第二區域內之第二鰭特徵。第一鰭特徵包括第一半導體材料之第一半導體特徵形成於介電特徵上，此介電特徵是第二半導體材料之氧化物。第二鰭特徵包括第一半導體材料之第二半導體特徵形成於第二半導體材料之第三半導體特徵上。
Abstract in simplified Chinese: 本揭示案提供一种半导体结构。半导体结构包括具有第一区域及第二区域之基板；形成于基板上之第一区域内的第一鳍特征；及形成于基板上之第二区域内之第二鳍特征。第一鳍特征包括第一半导体材料之第一半导体特征形成于介电特征上，此介电特征是第二半导体材料之氧化物。第二鳍特征包括第一半导体材料之第二半导体特征形成于第二半导体材料之第三半导体特征上。
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公开(公告)号：TW201724278A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105133566
申请日：2016-10-18
Inventor： 江國誠 , CHING, KUO CHENG , 黃靖方 , HUANG, CHING FANG , 卡羅司 迪亞茲 , DIAZ, CARLOS H. , 王志豪 , WANG, CHIH HAO , 謝文興 , HSIEH, WEN HSING , 梁英強 , LEUNG, YING-KEUNG
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/42392 , H01L21/32053 , H01L21/845 , H01L29/0673 , H01L29/41791 , H01L29/665 , H01L29/66545 , H01L29/785
Abstract: 半導體元件包含設置於基板上之源極/汲極特徵。源極/汲極特徵包含第一奈米線、設置於第一奈米線上之第二奈米線、設置於第一奈米線及第二奈米線上之包覆層以及自第一奈米線延伸至第二奈米線之間隔層。元件亦包含直接設置於源極/汲極特徵上之導電特徵，以使得導電特徵實體接觸包覆層及間隔層。
Abstract in simplified Chinese: 半导体组件包含设置于基板上之源极/汲极特征。源极/汲极特征包含第一奈米线、设置于第一奈米在线之第二奈米线、设置于第一奈米线及第二奈米在线之包覆层以及自第一奈米线延伸至第二奈米线之间隔层。组件亦包含直接设置于源极/汲极特征上之导电特征，以使得导电特征实体接触包覆层及间隔层。
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公开(公告)号：TWI675486B
公开(公告)日：2019-10-21
申请号：TW106118724
申请日：2017-06-06
Inventor： 江國誠 , CHING, KUO CHENG , 梁英強 , LEUNG, YING-KEUNG , 徐志安 , CHUI, CHI-ON
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
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公开(公告)号：TWI612674B
公开(公告)日：2018-01-21
申请号：TW105132087
申请日：2016-10-04
Inventor： 江國誠 , CHING, KUO CHENG , 潘冠廷 , PAN, KUAN TING , 王志豪 , WANG, CHIH HAO , 梁英強 , LEUNG, YING-KEUNG , 卡羅司 迪亞茲 , DIAZ, CARLOS H.
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66545 , H01L21/283 , H01L29/0653 , H01L29/0847 , H01L29/161 , H01L29/24 , H01L29/49 , H01L29/785 , H01L29/7851
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TW201735268A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW105138459
申请日：2016-11-23
Inventor： 江國誠 , CHING, KUO CHENG , 蔡慶威 , TSAI, CHING WEI , 卡羅司 迪亞茲 , DIAZ, CARLOS H. , 王志豪 , WANG, CHIH HAO , 連萬益 , LIEN, WAI YI , 梁英強 , LEUNG, YING-KEUNG
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L29/423
CPC classification number: H01L21/823821 , H01L21/823412 , H01L21/823418 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L27/0924 , H01L29/42392
Abstract: 本揭露描述了一種半導體裝置的製造方法，包括從基板形成延伸的第一鰭狀結構。第一鰭狀結構具有源極/汲極區域和溝道區域，並且第一鰭狀結構由磊晶層的第一堆疊形成，其中，磊晶層包括具有由具有第二組成的第二磊晶層插入的第一組成的第一磊晶層。此方法還包括從第一鰭狀結構的源極/汲極區域去除第二磊晶層以形成第一間隙，用介電層覆蓋第一磊晶層的一部分，並且用介電材料填充第一間隙並且生長另一磊晶材料在每個所述第一磊晶層的至少兩個表面上，以形成第一源極/汲極結構，同時所述介電材料填充所述第一間隙。
Abstract in simplified Chinese: 本揭露描述了一种半导体设备的制造方法，包括从基板形成延伸的第一鳍状结构。第一鳍状结构具有源极/汲极区域和沟道区域，并且第一鳍状结构由磊晶层的第一堆栈形成，其中，磊晶层包括具有由具有第二组成的第二磊晶层插入的第一组成的第一磊晶层。此方法还包括从第一鳍状结构的源极/汲极区域去除第二磊晶层以形成第一间隙，用介电层覆盖第一磊晶层的一部分，并且用介电材料填充第一间隙并且生长另一磊晶材料在每个所述第一磊晶层的至少两个表面上，以形成第一源极/汲极结构，同时所述介电材料填充所述第一间隙。
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公开(公告)号：TWI647852B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：TW106135961
申请日：2017-10-19
Inventor： 魏煥昇 , WEI, HUAN SHENG , 江宏禮 , CHIANG, HUNG LI , 劉佳雯 , LIU, CHIA WEN , 許義明 , SHEU, YI MING , 吳志強 , WU, ZHI-QIANG , 吳忠政 , WU, CHUNG CHENG , 梁英強 , LEUNG, YING-KEUNG
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
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公开(公告)号：TWI642111B
公开(公告)日：2018-11-21
申请号：TW104139762
申请日：2015-11-27
Inventor： 江國誠 , CHING, KUO CHENG , 蔡慶威 , TSAI, CHING WEI , 梁英強 , LEUNG, YING-KEUNG
IPC: H01L21/336 , H01L29/772
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公开(公告)号：TW201824564A
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW106118724
申请日：2017-06-06
Inventor： 江國誠 , CHING, KUO CHENG , 梁英強 , LEUNG, YING-KEUNG , 徐志安 , CHUI, CHI-ON
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本揭露提供一種半導體結構及其製造方法。半導體結構包括：基板上之鰭片結構；形成在鰭片結構上之第一閘極堆疊及第二閘極堆疊；設置在第一閘極堆疊及第二閘極堆疊上之介電質材料層，其中介電質層包括設置在具有第一厚度之第一閘極堆疊之側壁上之第一部分，及設置在具有大於第一厚度之第二厚度之第二閘極堆疊之側壁上之第二部分；設置在介電質材料層之第一部分上之第一閘極間隔層；以及設置在介電質材料層之第二部分上之第二閘極間隔層。
Abstract in simplified Chinese: 本揭露提供一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括：基板上之鳍片结构；形成在鳍片结构上之第一闸极堆栈及第二闸极堆栈；设置在第一闸极堆栈及第二闸极堆栈上之介电质材料层，其中介电质层包括设置在具有第一厚度之第一闸极堆栈之侧壁上之第一部分，及设置在具有大于第一厚度之第二厚度之第二闸极堆栈之侧壁上之第二部分；设置在介电质材料层之第一部分上之第一闸极间隔层；以及设置在介电质材料层之第二部分上之第二闸极间隔层。
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公开(公告)号：TW201735364A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW105132087
申请日：2016-10-04
Inventor： 江國誠 , CHING, KUO CHENG , 潘冠廷 , PAN, KUAN TING , 王志豪 , WANG, CHIH HAO , 梁英強 , LEUNG, YING-KEUNG , 卡羅司 迪亞茲 , DIAZ, CARLOS H.
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66545 , H01L21/283 , H01L29/0653 , H01L29/0847 , H01L29/161 , H01L29/24 , H01L29/49 , H01L29/785 , H01L29/7851
Abstract: 一種鰭式場效電晶體的製造方法包含形成隔離區延伸至半導體基材內，及使隔離區內縮。介於隔離區之間的半導體基材之一部分突出至高於隔離區，以形成半導體鰭片。形成虛擬閘極電極覆蓋半導體鰭片的中間部分，而半導體鰭片的末端部分不被虛擬閘極電極覆蓋。虛擬閘極電極包含虛擬閘極電極下部分及虛擬閘極電極上部分，其中虛擬閘極電極上部分包含在虛擬閘極電極下部分上方的多晶矽。虛擬閘極電極下部分及虛擬閘極電極上部分是由不同材料所形成。源/汲極區係形成在虛擬閘極電極的相對側上。取代閘極電極係替換為虛擬閘極電極。
Abstract in simplified Chinese: 一种鳍式场效应管的制造方法包含形成隔离区延伸至半导体基材内，及使隔离区内缩。介于隔离区之间的半导体基材之一部分突出至高于隔离区，以形成半导体鳍片。形成虚拟闸极电极覆盖半导体鳍片的中间部分，而半导体鳍片的末端部分不被虚拟闸极电极覆盖。虚拟闸极电极包含虚拟闸极电极下部分及虚拟闸极电极上部分，其中虚拟闸极电极上部分包含在虚拟闸极电极下部分上方的多晶硅。虚拟闸极电极下部分及虚拟闸极电极上部分是由不同材料所形成。源/汲极区系形成在虚拟闸极电极的相对侧上。取代闸极电极系替换为虚拟闸极电极。
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