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公开(公告)号:TW552481B
公开(公告)日:2003-09-11
申请号:TW088113522
申请日:1999-08-07
申请人: 拱門專業化學公司
IPC分类号: G03F
CPC分类号: C11D7/261 , C09D9/00 , C11D7/264 , C11D7/265 , C11D7/32 , C11D7/3263 , C11D7/3281 , C11D7/34 , C11D7/5009 , C11D7/5013 , G03F7/425 , G03F7/426
摘要: 一種非腐蝕性之光阻劑剝離及清潔組合物,其包含:(a)約5%至約50%之溶劑;(b)約10%至約90%之烷醇胺;(c)約0.1至10%之羧酸;及(d)約1.0至40%之水。
简体摘要: 一种非腐蚀性之光阻剂剥离及清洁组合物,其包含:(a)约5%至约50%之溶剂;(b)约10%至约90%之烷醇胺;(c)约0.1至10%之羧酸;及(d)约1.0至40%之水。
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公开(公告)号:TW364017B
公开(公告)日:1999-07-11
申请号:TW083110026
申请日:1994-10-29
申请人: 道康寧公司
发明人: 垂特.愛德華.威廉斯 , 雪兒.安.馬可麥可
IPC分类号: C11D
CPC分类号: C11D7/261 , B01D12/00 , C11D3/43 , C11D7/263 , C11D7/5009 , C11D7/5031
摘要: 說明一種表面清潔或脫水之方法,其中應用於表面的洗滌組合物包含如六甲基二矽氧烷或八甲基三矽氧烷之類的揮發性甲基矽氧烷及增強清潔或脫水之試劑,如乙二醇醚或表面活化劑。在以洗滌組合物使表面還是濕的時候,以含有六甲基二矽氧烷或八甲基三矽氧烷及2-戊醇,2-甲基-1-戊醇,3-甲基-3-戊醇,1-甲氧基-2-丙醇,1-丁氧基-2-丙醇,1-己醇,正丙氧基丙醇或乳酸乙酯的共沸物沖洗表面。接著弄乾表面或准許弄乾表面。
简体摘要: 说明一种表面清洁或脱水之方法,其中应用于表面的洗涤组合物包含如六甲基二硅氧烷或八甲基三硅氧烷之类的挥发性甲基硅氧烷及增强清洁或脱水之试剂,如乙二醇醚或表面活化剂。在以洗涤组合物使表面还是湿的时候,以含有六甲基二硅氧烷或八甲基三硅氧烷及2-戊醇,2-甲基-1-戊醇,3-甲基-3-戊醇,1-甲氧基-2-丙醇,1-丁氧基-2-丙醇,1-己醇,正丙氧基丙醇或乳酸乙酯的共沸物冲洗表面。接着弄干表面或准许弄干表面。
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公开(公告)号:TW201602338A
公开(公告)日:2016-01-16
申请号:TW104113789
申请日:2015-04-30
发明人: 尾家俊行 , OIE, TOSHIYUKI , 島田憲司 , SHIMADA, KENJI
CPC分类号: C11D11/0047 , B08B3/08 , C11D3/3947 , C11D7/06 , C11D7/10 , C11D7/105 , C11D7/12 , C11D7/3209 , C11D7/5004 , C11D7/5009 , C11D7/5013 , C11D7/5022 , H01L21/02057 , H01L21/02063 , H01L21/02071 , H01L21/304 , H01L21/3065 , H01L21/3085
摘要: 依照本發明,可提供一種半導體元件之洗滌方法,係對於在具有低介電率膜,以及鈷、鈷合金及鎢插塞中之至少1種之基板上形成硬遮罩圖案,然後將此硬遮罩圖案作為遮罩而對於硬遮罩、低介電率膜及阻隔絕緣膜實施乾蝕刻處理而得到之半導體元件,使用含有鹼金屬化合物0.001~20質量%、4級銨氫氧化物0.1~30質量%、水溶性有機溶劑0.01~60質量%、過氧化氫0.0001~0.1質量%及水之洗滌液去除乾蝕刻殘渣。
简体摘要: 依照本发明,可提供一种半导体组件之洗涤方法,系对于在具有低介电率膜,以及钴、钴合金及钨插塞中之至少1种之基板上形成硬遮罩图案,然后将此硬遮罩图案作为遮罩而对于硬遮罩、低介电率膜及阻隔绝缘膜实施干蚀刻处理而得到之半导体组件,使用含有碱金属化合物0.001~20质量%、4级铵氢氧化物0.1~30质量%、水溶性有机溶剂0.01~60质量%、过氧化氢0.0001~0.1质量%及水之洗涤液去除干蚀刻残渣。
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公开(公告)号:TWI464791B
公开(公告)日:2014-12-11
申请号:TW097148757
申请日:2008-12-15
申请人: 蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人: 朱濟 , ZHU, JI , 曼第瑞塔 雅真 , MENDIRATTA, ARJUN , 梅世禮 , MUI, DAVID
CPC分类号: C11D7/5009 , C11D3/3723 , C11D3/3765 , C11D3/3773 , C11D7/261 , C11D7/3263 , C11D7/34 , C11D11/0047 , H01L21/02057 , H01L21/67051 , Y10S134/902
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公开(公告)号:TWI390614B
公开(公告)日:2013-03-21
申请号:TW097148584
申请日:2008-12-12
申请人: 蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人: 梅世禮 , MUI, DAVID S. L. , 史琳瓦森 撒第斯 , SRINIVASAN, SATISH , 彭 葛倫特 , PENG, GRANT , 朱濟 , ZHU, JI , 龔世中 , KON, SHIH CHUNG , 帕德蘭斯尼克 追哥 , PODLESNIK, DRAGAN , 曼第瑞塔 雅真 , MENDIRATTA, ARJUN
CPC分类号: C11D7/5009 , C11D3/3723 , C11D3/3765 , C11D3/3773 , C11D7/261 , C11D7/3263 , C11D7/34 , C11D11/0047 , H01L21/02057 , H01L21/67051 , Y10S134/902
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公开(公告)号:TWI390032B
公开(公告)日:2013-03-21
申请号:TW094122749
申请日:2005-07-05
发明人: 尚恩M 凱恩 , KANE, SEAN M.
CPC分类号: G03F7/426 , C11D3/2058 , C11D3/2068 , C11D3/2075 , C11D3/30 , C11D3/43 , C11D7/263 , C11D7/265 , C11D7/3218 , C11D7/3227 , C11D7/5009 , C11D7/5013 , C11D11/0047 , G03F7/425 , H05K3/26
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37.奈米電子及微電子清潔組合物 NANOELECTRONIC AND MICROELECTRONIC CLEANING COMPOSITIONS 有权
简体标题: 奈米电子及微电子清洁组合物 NANOELECTRONIC AND MICROELECTRONIC CLEANING COMPOSITIONS公开(公告)号:TWI379174B
公开(公告)日:2012-12-11
申请号:TW094106074
申请日:2005-03-01
申请人: 艾萬拓股份有限公司
发明人: 千萍 沙曼 許
IPC分类号: G03F
CPC分类号: C11D11/0047 , C11D3/3947 , C11D3/3956 , C11D7/22 , C11D7/261 , C11D7/34 , C11D7/5004 , C11D7/5009 , C11D7/5022 , G03F7/422 , G03F7/425 , G03F7/426
摘要: 本發明係關於提供用於在超臨界流體狀態條件下清潔奈米電子及微電子基材之奈米電子及微電子清潔組合物,特別是可用於且與奈米電子及微電子基材具有改良相容性之清潔組合物,其特徵為二氧化矽、敏感性低-κ或高-κ介電體、及銅、鎢、鉭、鎳、金、鈷、鈀、鉑、鉻、釕、銠、銥、鉿、鈦、鉬、錫、與其他金屬化,及Al或Al(Cu)金屬化基板,及先進互連技術,其包含:(1)一種在250℃或更低之溫度及600巴(592.2 atm, 8702.3 psi)或更低之壓力達到超臨界流體狀態之超臨界主流體,及(2)一種選自以下調配物之調節劑調配物作為第二流體:a)一種調配物,其包含:氧化劑;選自醯胺、碸、環丁烯碸、硒碸、與飽和醇組成之群組之極性有機溶劑;以及視情況其他成分;b)一種無矽酸鹽調配物,其包含:選自醯胺、碸、硒碸、與飽和醇組成之群組之極性有機溶劑;強鹼性鹼;以及視情況其他成分;c)一種調配物,其包含:約0.05%至30%重量比之一或多種含不產生銨之強鹼,其包含非親核性、帶正電抗衡離子;約0.5至約99.95%重量比之一或多種腐蝕抑制溶劑化合物,該腐蝕抑制溶劑化合物具有至少兩個可與金屬錯合之位置;以及視情況其他成分;d)一種調配物,其包含:約0.05至20%重量比之一或多種非銨產生、非HF產生氟化物鹽;約5至約99.95%重量比之水、有機溶劑、或水與有機溶劑;視情況地及其他成分;及e)一種調配物,其包含:約0.05%至30%重量比之一或多種含非銨產生強鹼、非親核性、帶正電抗衡離子;約5至約99.95%重量比之一或多種位阻醯胺溶劑;視情況地及其他成分。
简体摘要: 本发明系关于提供用于在超临界流体状态条件下清洁奈米电子及微电子基材之奈米电子及微电子清洁组合物,特别是可用于且与奈米电子及微电子基材具有改良兼容性之清洁组合物,其特征为二氧化硅、敏感性低-κ或高-κ介电体、及铜、钨、钽、镍、金、钴、钯、铂、铬、钌、铑、铱、铪、钛、钼、锡、与其他金属化,及Al或Al(Cu)金属化基板,及雪铁龙互连技术,其包含:(1)一种在250℃或更低之温度及600巴(592.2 atm, 8702.3 psi)或更低之压力达到超临界流体状态之超临界主流体,及(2)一种选自以下调配物之调节剂调配物作为第二流体:a)一种调配物,其包含:氧化剂;选自酰胺、砜、环丁烯砜、硒砜、与饱和醇组成之群组之极性有机溶剂;以及视情况其他成分;b)一种无硅酸盐调配物,其包含:选自酰胺、砜、硒砜、与饱和醇组成之群组之极性有机溶剂;强碱性碱;以及视情况其他成分;c)一种调配物,其包含:约0.05%至30%重量比之一或多种含不产生铵之强碱,其包含非亲核性、带正电抗衡离子;约0.5至约99.95%重量比之一或多种腐蚀抑制溶剂化合物,该腐蚀抑制溶剂化合物具有至少两个可与金属错合之位置;以及视情况其他成分;d)一种调配物,其包含:约0.05至20%重量比之一或多种非铵产生、非HF产生氟化物盐;约5至约99.95%重量比之水、有机溶剂、或水与有机溶剂;视情况地及其他成分;及e)一种调配物,其包含:约0.05%至30%重量比之一或多种含非铵产生强碱、非亲核性、带正电抗衡离子;约5至约99.95%重量比之一或多种位阻酰胺溶剂;视情况地及其他成分。
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38.快速固定性材料噴灑設備之清潔方法 METHOD OF CLEANING FAST SETTING MATERIAL SPRAY EQUIPMENT 审中-公开
简体标题: 快速固定性材料喷洒设备之清洁方法 METHOD OF CLEANING FAST SETTING MATERIAL SPRAY EQUIPMENT公开(公告)号:TW200948483A
公开(公告)日:2009-12-01
申请号:TW098109203
申请日:2009-03-20
申请人: 格雷克明尼蘇達股份有限公司
CPC分类号: C11D11/0041 , B05B7/2402 , B05B15/55 , C09D9/005 , C11D7/263 , C11D7/5009
摘要: 揭示一種清潔及沖洗快速固定材料噴槍10之方法,其在較佳具體實例中使用約62.5%DMSO、32.5%DBE及5%水之混合物。此混合物12在被霧化時是無毒的,且降低液體之冰點至低於10℉。因為溶劑與清洗用氣體混合且是以霧化形態自噴槍排出,重要的是使用無毒性溶劑,且也重要的是混合物的冰點夠低使得以在較冷氣候中能使用而不會凍結。
简体摘要: 揭示一种清洁及冲洗快速固定材料喷枪10之方法,其在较佳具体实例中使用约62.5%DMSO、32.5%DBE及5%水之混合物。此混合物12在被雾化时是无毒的,且降低液体之冰点至低于10℉。因为溶剂与清洗用气体混合且是以雾化形态自喷枪排出,重要的是使用无毒性溶剂,且也重要的是混合物的冰点够低使得以在较冷气候中能使用而不会冻结。
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39.用於除去光阻劑的動態多用途組成物及其使用方法 DYNAMIC MULTI-PURPOSE COMPOSITION FOR THE REMOVAL OF PHOTORESISTS AND METHOD FOR ITS USE 审中-公开
简体标题: 用于除去光阻剂的动态多用途组成物及其使用方法 DYNAMIC MULTI-PURPOSE COMPOSITION FOR THE REMOVAL OF PHOTORESISTS AND METHOD FOR ITS USE公开(公告)号:TW200819925A
公开(公告)日:2008-05-01
申请号:TW096112268
申请日:2007-04-09
申请人: 黛納羅伊公司 DYNALOY, LLC.
CPC分类号: C11D1/004 , C11D3/26 , C11D3/30 , C11D3/43 , C11D7/32 , C11D7/3218 , C11D7/5009 , C11D11/0047 , G03F7/425 , G03F7/426
摘要: 本發明提供一種用來從基板上除去一、二或更多層光阻層的改良無水(dry)剝除劑溶液。該剝除劑溶液包含二甲亞、四級氫氧化銨及烷醇胺、可選擇的輔助溶劑及少於約3重量%的水,及/或乾度係數為至少約1。本發明額外提供一種該改良無水剝除溶液之製備及使用方法。提供有利的溶液方法以供使用新穎的剝除劑溶液製備電子連接器結構,藉由移除複數層光阻層以曝露基底介電質及相關的基板而沒有對任何基底結構授予損傷。
简体摘要: 本发明提供一种用来从基板上除去一、二或更多层光阻层的改良无水(dry)剥除剂溶液。该剥除剂溶液包含二甲亚、四级氢氧化铵及烷醇胺、可选择的辅助溶剂及少于约3重量%的水,及/或干度系数为至少约1。本发明额外提供一种该改良无水剥除溶液之制备及使用方法。提供有利的溶液方法以供使用新颖的剥除剂溶液制备电子连接器结构,借由移除复数层光阻层以曝露基底介电质及相关的基板而没有对任何基底结构授予损伤。
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40.移除聚合物型物質之組成物及方法,以及製造薄膜磁頭之方法 COMPOSITION AND METHOD FOR REMOVAL OF POLYMERIC METERIAL, AND METHOD FOR PREPARING THIN FILM HEADS 失效
简体标题: 移除聚合物型物质之组成物及方法,以及制造薄膜磁头之方法 COMPOSITION AND METHOD FOR REMOVAL OF POLYMERIC METERIAL, AND METHOD FOR PREPARING THIN FILM HEADS公开(公告)号:TWI296071B
公开(公告)日:2008-04-21
申请号:TW090104230
申请日:2001-02-23
CPC分类号: C11D3/0073 , C11D3/43 , C11D7/5009 , C11D11/0047 , G03F7/425 , G03F7/426
摘要: 本發明揭示一種組成物,其可用以自基板例如電子裝置移除聚合物型物質。本發明組成物特別適合用來從高級磁性裝置移除聚合物型殘留物。本發明亦揭示移除此等聚合物型物質之方法。
简体摘要: 本发明揭示一种组成物,其可用以自基板例如电子设备移除聚合物型物质。本发明组成物特别适合用来从高级磁性设备移除聚合物型残留物。本发明亦揭示移除此等聚合物型物质之方法。
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