利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

61 条记录 (耗时 0.016 秒)

    用於電子工業之基於亞碸／二醇醚之溶劑
    1.
    发明专利
    用於電子工業之基於亞碸／二醇醚之溶劑 审中-公开
    用于电子工业之基于亚砜／二醇醚之溶剂

    公开(公告)号：TW201814033A

    公开(公告)日：2018-04-16

    申请号：TW106124023

    申请日：2017-07-18

    申请人： 陶氏全球科技有限責任公司 ,  DOW GLOBAL TECHNOLOGIES LLC

    发明人： 蔣奇 ,  JIANG, QI ,  姜鑫 ,  JIANG, XIN ,  金應圭 ,  KIM, EUNG KYU ,  任華 ,  REN, HUA ,  牟建海 ,  MU, JIANHAI ,  大場薰 ,  OHBA, KAORU

    IPC分类号： C11D3/44 ,  C11D7/50 ,  G03F7/42 ,  B08B3/08 ,  H01L21/027

    CPC分类号： G03F7/426 ,  C11D3/43 ,  C11D7/5009 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/425 ,  H01L21/00

    摘要： 本發明關於尤其適用於自顯示器/半導體基板或電子加工設備移除光致抗蝕劑及聚(醯胺酸)/聚醯亞胺之溶劑，其主要由以下各項組成：(A)第一組分，其由亞碸，例如DMSO組成；(B)第二組分，其由二醇醚，例如乙二醇單丁基醚組成；以及(C)第三組分，其由以下各項中之至少一者組成：N-甲醯基嗎啉、N,N-二甲基丙醯胺、3-甲氧基-N,N-二甲基丙醯胺、磷酸三乙酯、N,N-二甲基乙醯胺、N,N-二乙基乙醯胺、N,N-二乙基丙醯胺、N-甲基乙醯胺、N-甲基丙醯胺、N-乙基乙醯胺以及N-乙基丙醯胺。

    简体摘要： 本发明关于尤其适用于自显示器/半导体基板或电子加工设备移除光致抗蚀剂及聚(酰胺酸)/聚酰亚胺之溶剂，其主要由以下各项组成：(A)第一组分，其由亚砜，例如DMSO组成；(B)第二组分，其由二醇醚，例如乙二醇单丁基醚组成；以及(C)第三组分，其由以下各项中之至少一者组成：N-甲酰基吗啉、N,N-二甲基丙酰胺、3-甲氧基-N,N-二甲基丙酰胺、磷酸三乙酯、N,N-二甲基乙酰胺、N,N-二乙基乙酰胺、N,N-二乙基丙酰胺、N-甲基乙酰胺、N-甲基丙酰胺、N-乙基乙酰胺以及N-乙基丙酰胺。

    微影用洗淨液及配線形成方法
    3.
    发明专利
    微影用洗淨液及配線形成方法 审中-公开
    微影用洗净液及配线形成方法

    公开(公告)号：TW201408768A

    公开(公告)日：2014-03-01

    申请号：TW102118407

    申请日：2013-05-24

    申请人： 東京應化工業股份有限公司 ,  TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.

    发明人： 熊谷智 ,  KUMAGAI, TOMOYA ,  江藤崇弘 ,  ETO, TAKAHIRO

    IPC分类号： C11D7/06 ,  C11D7/08 ,  C11D7/50 ,  H01L21/311

    CPC分类号： C11D7/5022 ,  B08B3/08 ,  C11D7/08 ,  C11D7/263 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/5009 ,  G03F7/423 ,  G03F7/425 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02068

    摘要： 本發明之課題在於提供對Low-k材料的腐蝕抑制機能優異，而且由於在蝕刻處理後所殘留的殘渣物之去除性能亦優異，而可以一步驟有效果地去除上述殘渣物之微影用洗淨液，及使用該微影用洗淨液之配線形成方法。本發明之微影用洗淨液含有鹼或酸、溶劑、與因水解而生成矽烷醇基的矽化合物。本發明之配線形成方法係藉由在形成於半導體多層層合體的低介電體層之蝕刻空間中埋入金屬而形成金屬配線層者，於此配線形成方法中，在上述蝕刻空間之形成後，使用本發明之微影用洗淨液來洗淨上述半導體多層層合體。

    简体摘要： 本发明之课题在于提供对Low-k材料的腐蚀抑制机能优异，而且由于在蚀刻处理后所残留的残渣物之去除性能亦优异，而可以一步骤有效果地去除上述残渣物之微影用洗净液，及使用该微影用洗净液之配线形成方法。本发明之微影用洗净液含有碱或酸、溶剂、与因水解而生成硅烷醇基的硅化合物。本发明之配线形成方法系借由在形成于半导体多层层合体的低介电体层之蚀刻空间中埋入金属而形成金属配线层者，于此配线形成方法中，在上述蚀刻空间之形成后，使用本发明之微影用洗净液来洗净上述半导体多层层合体。

    利用單相及雙相介質移除粒子的材料 MATERIALS FOR PARTICLE REMOVAL BY SINGLE-PHASE AND TWO-PHASE MEDIA
    5.
    发明专利
    利用單相及雙相介質移除粒子的材料 MATERIALS FOR PARTICLE REMOVAL BY SINGLE-PHASE AND TWO-PHASE MEDIA 审中-公开
    利用单相及双相介质移除粒子的材料 MATERIALS FOR PARTICLE REMOVAL BY SINGLE-PHASE AND TWO-PHASE MEDIA

    公开(公告)号：TW200948953A

    公开(公告)日：2009-12-01

    申请号：TW097148598

    申请日：2008-12-12

    申请人： 蘭姆研究公司

    发明人： 梅世禮 ,  史琳瓦森 撒第斯 ,  彭 葛倫特 ,  朱濟 ,  龔世中 ,  帕德蘭斯尼克 追哥 ,  曼第瑞塔 雅真

    IPC分类号： C11D ,  H01L

    CPC分类号： C11D7/5009 ,  C11D3/3723 ,  C11D3/3765 ,  C11D3/3773 ,  C11D7/261 ,  C11D7/3263 ,  C11D7/34 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/67051 ,  Y10S134/902

    摘要： 本發明之實施例提供了用以清潔具有細微特徵部之圖型化基板的改良材料。此清洗材料具有可清洗包含細微特徵部的圖型化基板而實質上不損壞該特徵部的優點。該清洗材料係為液相、或液/氣相之流體，且可於裝置特徵部周圍變形，因此清洗材料實質上不會損壞裝置特徵部或可降低對其所有的破壞。包含高分子量聚合化合物之高分子的清洗材料捕獲基板上的污染物。此外，清洗材料截留污染物而不使其返回基板表面。一或多個此高分子量聚合化合物之高分子形成聚合物長鏈，其亦可交聯而形成網狀構造（或聚合物網）。相較於習知清洗材料，此聚合物長鏈及/或聚合物網顯示了捕獲及截留污染物之優異能力。

    简体摘要： 本发明之实施例提供了用以清洁具有细微特征部之图型化基板的改良材料。此清洗材料具有可清洗包含细微特征部的图型化基板而实质上不损坏该特征部的优点。该清洗材料系为液相、或液/气相之流体，且可于设备特征部周围变形，因此清洗材料实质上不会损坏设备特征部或可降低对其所有的破坏。包含高分子量聚合化合物之高分子的清洗材料捕获基板上的污染物。此外，清洗材料截留污染物而不使其返回基板表面。一或多个此高分子量聚合化合物之高分子形成聚合物长链，其亦可交联而形成网状构造（或聚合物网）。相较于习知清洗材料，此聚合物长链及/或聚合物网显示了捕获及截留污染物之优异能力。

    非腐蝕性光阻剝離及清洗組合物
    7.
    发明专利
    非腐蝕性光阻剝離及清洗組合物 失效
    非腐蚀性光阻剥离及清洗组合物

    公开(公告)号：TW514764B

    公开(公告)日：2002-12-21

    申请号：TW087106936

    申请日：1998-05-21

    申请人： 拱門專業化學公司

    发明人： 容後補呈 ,  理察馬克莫林 ,  蓋樂菱尼漢森

    IPC分类号： G03F

    CPC分类号： G03F7/425 ,  C11D7/261 ,  C11D7/264 ,  C11D7/265 ,  C11D7/32 ,  C11D7/3263 ,  C11D7/3281 ,  C11D7/34 ,  C11D7/5009 ,  C11D7/5013 ,  G03F7/426

    摘要： 本發明係有關於一種非腐蝕性光阻剝離及清洗組合物，它包含：
    (a)約5%至約50%之溶劑，其係選自包括N-甲基-2-咯烷酮、N-羥乙基-2-咯烷酮、1,3-二甲基-2-咪唑烷酮、二甲亞、N,N-二甲基乙醯胺、二丙酮醇、乙二醇、丙二醇及其混合物；
    (b)約10%至約90%之烷醇胺，其係選自包括二(乙二醇)胺、單乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、2-(2-胺乙基胺基)乙醇及其混合物；
    (c)約0.1%至約4%之式(I)化合物：
    其中R1-R4可分別選自包括氫、具有1-4個碳原子之烷基、具有1-4個碳原子之烷氧基、鹵基、胺基、羥基、羧基或其組合；以及
    (d)約0.1%至40%之水，所有百分比均按整體剝離及清洗組合物之總重量計算。

    简体摘要： 本发明系有关于一种非腐蚀性光阻剥离及清洗组合物，它包含： (a)约5%至约50%之溶剂，其系选自包括N-甲基-2-咯烷酮、N-羟乙基-2-咯烷酮、1,3-二甲基-2-咪唑烷酮、二甲亚、N,N-二甲基乙酰胺、二丙酮醇、乙二醇、丙二醇及其混合物； (b)约10%至约90%之烷醇胺，其系选自包括二(乙二醇)胺、单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、2-(2-胺乙基胺基)乙醇及其混合物； (c)约0.1%至约4%之式(I)化合物： 其中R1-R4可分别选自包括氢、具有1-4个碳原子之烷基、具有1-4个碳原子之烷氧基、卤基、胺基、羟基、羧基或其组合；以及 (d)约0.1%至40%之水，所有百分比均按整体剥离及清洗组合物之总重量计算。

    改良之去色及清潔用含水組成物
    8.
    发明专利
    改良之去色及清潔用含水組成物 有权
    改良之去色及清洁用含水组成物

    公开(公告)号：TW460579B

    公开(公告)日：2001-10-21

    申请号：TW087117167

    申请日：1998-11-04

    申请人： 雅喜蘭公司

    发明人： 米法蘭 ,  瓦艾拉

    IPC分类号： C11D

    CPC分类号： C09D9/005 ,  C09D9/00 ,  C11D3/2086 ,  C11D3/30 ,  C11D3/3445 ,  C11D3/43 ,  C11D7/265 ,  C11D7/5009 ,  C11D7/5013 ,  C11D11/0023 ,  C11D11/0035 ,  C11D11/0047 ,  C23G5/036 ,  G03F7/425

    摘要： 一種含水之去色組成物，包含一種由極性胺、有機或無機胺及腐蝕抑制劑（其為沒食子酸、其酯或類似物）所組成之混合物。此去色組成物可有效地在低溫下去除光阻材料、由電漿處理所產生之有機的、金屬-有機的材料、無機鹽、氧化物、氫氧化物而來之殘餘物或與有機光阻薄膜結合之複合物或不含有機光阻薄膜之複合物，而不會沉積任何實質量之金屬離子。

    简体摘要： 一种含水之去色组成物，包含一种由极性胺、有机或无机胺及腐蚀抑制剂（其为没食子酸、其酯或类似物）所组成之混合物。此去色组成物可有效地在低温下去除光阻材料、由等离子处理所产生之有机的、金属-有机的材料、无机盐、氧化物、氢氧化物而来之残余物或与有机光阻薄膜结合之复合物或不含有机光阻薄膜之复合物，而不会沉积任何实质量之金属离子。