公开(公告)号：TWI546412B

公开(公告)日：2016-08-21

申请号：TW100121695

申请日：2011-06-21

申请人： 艾萬拓股份有限公司 ,  AVANTOR PERFORMANCE MATERIALS, INC.

发明人： 卡斯基 道格拉斯C 二世 ,  CASKEY, DOUGLAS C. JR. ,  薛佛德 克魯潘安德S ,  SHEPHERD, KRUPANAND S. ,  張 啟明 傑森 ,  CHANG, CHI-MING JASON

IPC分类号： C23C18/54 ,  C07C335/08

CPC分类号： C23C18/1204 ,  C23C18/1245 ,  H01L21/02411 ,  H01L21/02417 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/1828 ,  Y02E10/543 ,  Y02P70/521

公开(公告)号：TWI498130B

公开(公告)日：2015-09-01

申请号：TW097139052

申请日：2008-10-09

申请人： 艾萬拓股份有限公司 ,  AVANTOR PERFORMANCE MATERIALS, INC.

发明人： 南度 德歐卡 ,  DEORKAR, NANDU ,  詹姆士 法瑞那 ,  FARINA, JAMES ,  莉利安娜 米尼 ,  MIINEA, LILIANA ,  桑米爾 蘭戴夫 ,  RANDIVE, SAMEER

IPC分类号： A61K9/20 ,  A61K47/38 ,  A61K47/30

CPC分类号： A61K9/1635 ,  A61K9/1652 ,  A61K9/2027 ,  A61K9/2054

公开(公告)号：TW201213608A

公开(公告)日：2012-04-01

申请号：TW100121695

申请日：2011-06-21

申请人： 艾萬拓股份有限公司

发明人： 卡斯基 道格拉斯C 二世 ,  薛佛德 克魯潘安德S ,  張 啟明 傑森

IPC分类号： C23C ,  C07C

CPC分类号： C23C18/1204 ,  C23C18/1245 ,  H01L21/02411 ,  H01L21/02417 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/1828 ,  Y02E10/543 ,  Y02P70/521

摘要： 本發明係關於一種藉由化學浴沉積法於基材上產生金屬硫化物膜之方法，該方法係藉由在適於在基材表面上產生金屬硫化物膜的溫度下，將該基材浸於水性化學浴溶液中一段時間，該水性化學浴溶液包含氫氧根離子之水溶性源、待沉積於基材上之硫化物之金屬的水溶性金屬鹽、及N-單烷基硫脲，及自該溶液中移出其上具有金屬硫化物薄膜之基材。

简体摘要： 本发明系关于一种借由化学浴沉积法于基材上产生金属硫化物膜之方法，该方法系借由在适于在基材表面上产生金属硫化物膜的温度下，将该基材浸于水性化学浴溶液中一段时间，该水性化学浴溶液包含氢氧根离子之水溶性源、待沉积于基材上之硫化物之金属的水溶性金属盐、及N-单烷基硫脲，及自该溶液中移出其上具有金属硫化物薄膜之基材。

公开(公告)号：TWI353993B

公开(公告)日：2011-12-11

申请号：TW094124327

申请日：2005-07-19

申请人： 艾萬拓股份有限公司

发明人： 南度 德瑞卡 ,  保羅 包爾斯

IPC分类号： C08F ,  B01D

CPC分类号： C08F6/28 ,  B01D11/0203 ,  C08F6/005 ,  Y02P20/544 ,  C08L23/00

摘要： 本發明係關於由一種方法製備超純烯烴聚合製品，該方法包含：提供含雜質之烯烴聚合材料；使該烯烴聚合材料在至少約4000 psi(281.23 kg/cm2)之壓力下，在約35℃及35℃以上之溫度下經受超臨界CO2以自該烯烴聚合材料萃取該等雜質且產生超純烯烴聚合材料；及自超純烯烴聚合材料成型為超純製品。

简体摘要： 本发明系关于由一种方法制备超纯烯烃聚合制品，该方法包含：提供含杂质之烯烃聚合材料；使该烯烃聚合材料在至少约4000 psi(281.23 kg/cm2)之压力下，在约35℃及35℃以上之温度下经受超临界CO2以自该烯烃聚合材料萃取该等杂质且产生超纯烯烃聚合材料；及自超纯烯烃聚合材料成型为超纯制品。

公开(公告)号：TWI353380B

公开(公告)日：2011-12-01

申请号：TW094108992

申请日：2005-03-23

申请人： 艾萬拓股份有限公司

发明人： 稻岡誠二

IPC分类号： C11D ,  G03F ,  C23G

CPC分类号： G03F7/425 ,  G03F7/426

摘要： 本發明之光阻材料洗提劑及清潔組合物係由非水性清潔組合物提供，非水性清潔組合物本質上對銅及鋁為非腐蝕性且其包含至少一種極性有機溶劑、至少一種羥基化有機胺及至少一種具有與聚合物主鏈側連之多羥基或胺基官能基之腐蝕抑制劑聚合物。

简体摘要： 本发明之光阻材料洗提剂及清洁组合物系由非水性清洁组合物提供，非水性清洁组合物本质上对铜及铝为非腐蚀性且其包含至少一种极性有机溶剂、至少一种羟基化有机胺及至少一种具有与聚合物主链侧连之多羟基或胺基官能基之腐蚀抑制剂聚合物。

公开(公告)号：TWI350431B

公开(公告)日：2011-10-11

申请号：TW093133035

申请日：2004-10-29

申请人： 艾萬拓股份有限公司

发明人： 大衛C 史基

IPC分类号： G03F ,  H01L

CPC分类号： G03F7/425 ,  C09K13/02 ,  C09K13/08 ,  C11D3/0073 ,  C11D7/02 ,  C11D7/06 ,  C11D7/08 ,  C11D7/10 ,  C11D7/32 ,  C11D7/3209 ,  C11D11/0047 ,  C23G1/16

摘要： 本發明係提供一種可用於微電子工業以藉由除去光阻殘留物及其他不想要的污染物而剝離或清理半導體晶圓基板之鹼性組合物。該等組合物包含(a)一或多種鹼及(b)一或多種下式抑制金屬腐蝕之金屬鹵化物：WzMXy其中M是選自Si、Ge、Sn、Pt、P、B、Au、Ir、Os、Cr、Ti、Zr、Rh、Ru及Sb之群的金屬；X是選自F、Cl、Br及I之鹵化物；W是選自H、鹼金屬或鹼土金屬及不含金屬離子之氫氧化物鹼部分；視金屬鹵化物而定，y是一從4至6之數字；z為數字1、2或3。

简体摘要： 本发明系提供一种可用于微电子工业以借由除去光阻残留物及其他不想要的污染物而剥离或清理半导体晶圆基板之碱性组合物。该等组合物包含(a)一或多种碱及(b)一或多种下式抑制金属腐蚀之金属卤化物：WzMXy其中M是选自Si、Ge、Sn、Pt、P、B、Au、Ir、Os、Cr、Ti、Zr、Rh、Ru及Sb之群的金属；X是选自F、Cl、Br及I之卤化物；W是选自H、碱金属或碱土金属及不含金属离子之氢氧化物碱部分；视金属卤化物而定，y是一从4至6之数字；z为数字1、2或3。

公开(公告)号：TWI390032B

公开(公告)日：2013-03-21

申请号：TW094122749

申请日：2005-07-05

申请人： 艾萬拓股份有限公司 ,  AVANTOR PERFORMANCE MATERIALS, INC.

发明人： 尚恩M 凱恩 ,  KANE, SEAN M.

IPC分类号： C11D7/22 ,  C11D7/50

CPC分类号： G03F7/426 ,  C11D3/2058 ,  C11D3/2068 ,  C11D3/2075 ,  C11D3/30 ,  C11D3/43 ,  C11D7/263 ,  C11D7/265 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/3227 ,  C11D7/5009 ,  C11D7/5013 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/425 ,  H05K3/26

公开(公告)号：TWI379174B

公开(公告)日：2012-12-11

申请号：TW094106074

申请日：2005-03-01

申请人： 艾萬拓股份有限公司

发明人： 千萍 沙曼 許

IPC分类号： G03F

CPC分类号： C11D11/0047 ,  C11D3/3947 ,  C11D3/3956 ,  C11D7/22 ,  C11D7/261 ,  C11D7/34 ,  C11D7/5004 ,  C11D7/5009 ,  C11D7/5022 ,  G03F7/422 ,  G03F7/425 ,  G03F7/426

摘要： 本發明係關於提供用於在超臨界流體狀態條件下清潔奈米電子及微電子基材之奈米電子及微電子清潔組合物，特別是可用於且與奈米電子及微電子基材具有改良相容性之清潔組合物，其特徵為二氧化矽、敏感性低－κ或高－κ介電體、及銅、鎢、鉭、鎳、金、鈷、鈀、鉑、鉻、釕、銠、銥、鉿、鈦、鉬、錫、與其他金屬化，及Al或Al(Cu)金屬化基板，及先進互連技術，其包含：(1)一種在250℃或更低之溫度及600巴(592.2 atm, 8702.3 psi)或更低之壓力達到超臨界流體狀態之超臨界主流體，及(2)一種選自以下調配物之調節劑調配物作為第二流體：a)一種調配物，其包含：氧化劑；選自醯胺、碸、環丁烯碸、硒碸、與飽和醇組成之群組之極性有機溶劑；以及視情況其他成分；b)一種無矽酸鹽調配物，其包含：選自醯胺、碸、硒碸、與飽和醇組成之群組之極性有機溶劑；強鹼性鹼；以及視情況其他成分；c)一種調配物，其包含：約0.05%至30%重量比之一或多種含不產生銨之強鹼，其包含非親核性、帶正電抗衡離子；約0.5至約99.95%重量比之一或多種腐蝕抑制溶劑化合物，該腐蝕抑制溶劑化合物具有至少兩個可與金屬錯合之位置；以及視情況其他成分；d)一種調配物，其包含：約0.05至20%重量比之一或多種非銨產生、非HF產生氟化物鹽；約5至約99.95%重量比之水、有機溶劑、或水與有機溶劑；視情況地及其他成分；及e)一種調配物，其包含：約0.05%至30%重量比之一或多種含非銨產生強鹼、非親核性、帶正電抗衡離子；約5至約99.95%重量比之一或多種位阻醯胺溶劑；視情況地及其他成分。

简体摘要： 本发明系关于提供用于在超临界流体状态条件下清洁奈米电子及微电子基材之奈米电子及微电子清洁组合物，特别是可用于且与奈米电子及微电子基材具有改良兼容性之清洁组合物，其特征为二氧化硅、敏感性低－κ或高－κ介电体、及铜、钨、钽、镍、金、钴、钯、铂、铬、钌、铑、铱、铪、钛、钼、锡、与其他金属化，及Al或Al(Cu)金属化基板，及雪铁龙互连技术，其包含：(1)一种在250℃或更低之温度及600巴(592.2 atm, 8702.3 psi)或更低之压力达到超临界流体状态之超临界主流体，及(2)一种选自以下调配物之调节剂调配物作为第二流体：a)一种调配物，其包含：氧化剂；选自酰胺、砜、环丁烯砜、硒砜、与饱和醇组成之群组之极性有机溶剂；以及视情况其他成分；b)一种无硅酸盐调配物，其包含：选自酰胺、砜、硒砜、与饱和醇组成之群组之极性有机溶剂；强碱性碱；以及视情况其他成分；c)一种调配物，其包含：约0.05%至30%重量比之一或多种含不产生铵之强碱，其包含非亲核性、带正电抗衡离子；约0.5至约99.95%重量比之一或多种腐蚀抑制溶剂化合物，该腐蚀抑制溶剂化合物具有至少两个可与金属错合之位置；以及视情况其他成分；d)一种调配物，其包含：约0.05至20%重量比之一或多种非铵产生、非HF产生氟化物盐；约5至约99.95%重量比之水、有机溶剂、或水与有机溶剂；视情况地及其他成分；及e)一种调配物，其包含：约0.05%至30%重量比之一或多种含非铵产生强碱、非亲核性、带正电抗衡离子；约5至约99.95%重量比之一或多种位阻酰胺溶剂；视情况地及其他成分。

公开(公告)号：TWI353381B

公开(公告)日：2011-12-01

申请号：TW094108971

申请日：2005-03-23

申请人： 艾萬拓股份有限公司

发明人： 稻岡誠二

IPC分类号： C11D ,  G03F ,  C23G

CPC分类号： G03F7/425 ,  C23F11/10 ,  G03F7/426

摘要： 本發明之尾端光阻材料洗提劑及清潔組合物係由無胺基酸、非水性清潔組合物提供，其本質上對銅及鋁為非腐蝕性且其包含至少一種極性有機溶劑、至少一種有機羥基化胺及至少一種具有多重羥基官能基之腐蝕抑制劑化合物，其為下式之化合物：T1－[(CR1R2)m－(CR3R4)n]p－(CR5R6)q－T2其中R1及R2中至少一個為OH，若R1及R2之一並非為OH時，其係選自H、烷基或烷氧基，m為1或以上之整數，R3及R4係選自H、烷基或烷氧基，n為0或以上正整數，p為1或以上之整數；R5及R6中至少一個為OH，若R5及R6之一並非為OH時，其係選自H、烷基或烷氧基，q為1或以上之整數，T1及T2係選自H、烷基、羥基烷基、多羥基烷基、胺基烷基、羰基烷基或醯胺基或T1及T2可連結形成一結構，選自脂肪族環化或稠合環化結構，及視需要一或多種含羥基共溶劑，腐蝕抑制芳基化合物包含二或以上個OH、OR6及/或SO2R6R7基，直接鍵合至芳香族環，其中R6、R7及R8各選自烷基及芳基所組成之群、金屬錯合劑、不同金屬腐蝕抑制化合物及界面活性劑。

简体摘要： 本发明之尾端光阻材料洗提剂及清洁组合物系由无氨基酸、非水性清洁组合物提供，其本质上对铜及铝为非腐蚀性且其包含至少一种极性有机溶剂、至少一种有机羟基化胺及至少一种具有多重羟基官能基之腐蚀抑制剂化合物，其为下式之化合物：T1－[(CR1R2)m－(CR3R4)n]p－(CR5R6)q－T2其中R1及R2中至少一个为OH，若R1及R2之一并非为OH时，其系选自H、烷基或烷氧基，m为1或以上之整数，R3及R4系选自H、烷基或烷氧基，n为0或以上正整数，p为1或以上之整数；R5及R6中至少一个为OH，若R5及R6之一并非为OH时，其系选自H、烷基或烷氧基，q为1或以上之整数，T1及T2系选自H、烷基、羟基烷基、多羟基烷基、胺基烷基、羰基烷基或酰胺基或T1及T2可链接形成一结构，选自脂肪族环化或稠合环化结构，及视需要一或多种含羟基共溶剂，腐蚀抑制芳基化合物包含二或以上个OH、OR6及/或SO2R6R7基，直接键合至芳香族环，其中R6、R7及R8各选自烷基及芳基所组成之群、金属错合剂、不同金属腐蚀抑制化合物及界面活性剂。

公开(公告)号：TW201132744A

公开(公告)日：2011-10-01

申请号：TW100100366

申请日：2011-01-05

申请人： 艾萬拓股份有限公司

发明人： 蓋米爾 威廉R ,  張 志明 傑森

IPC分类号： C09K ,  H01L

CPC分类号： C30B29/20 ,  C11D7/08 ,  C11D7/36 ,  C11D11/0047 ,  C30B33/10 ,  H01L33/007

摘要： 本發明之水性組合物係用於處理欲用於製造光電裝置(例如LED)之藍寶石基板。該組合物包含水、鹽酸(HCl)、氟化氫(HF)、磷酸(H3PO4)、及視需要但較佳之至少一種可螯合鋁之膦酸化合物金屬螯合劑。

简体摘要： 本发明之水性组合物系用于处理欲用于制造光电设备(例如LED)之蓝宝石基板。该组合物包含水、盐酸(HCl)、氟化氢(HF)、磷酸(H3PO4)、及视需要但较佳之至少一种可螯合铝之膦酸化合物金属螯合剂。