使用獨立內引腳之半導體封裝構造 SEMICONDUCTOR PACKAGE HAVING ISOLATED INNER LEAD
    61.
    发明专利
    使用獨立內引腳之半導體封裝構造 SEMICONDUCTOR PACKAGE HAVING ISOLATED INNER LEAD 审中-公开
    使用独立内引脚之半导体封装构造 SEMICONDUCTOR PACKAGE HAVING ISOLATED INNER LEAD

    公开(公告)号:TW201011883A

    公开(公告)日:2010-03-16

    申请号:TW097135394

    申请日:2008-09-15

    发明人: 范文正 徐玉梅

    IPC分类号: H01L

    摘要: 揭示一種使用獨立內引腳之半導體封裝構造。晶片設置於導線架上並被封膠體密封。導線架包含有引腳、獨立內引腳及短外引腳。每一引腳係具有一內腳部,其內端形成為一第一接指。獨立內引腳完全形成在封膠體內,外引腳局部形成在封膠體內並延伸到封膠體之外,其中至少一引腳之內腳部電性隔離地位在獨立內引腳與外引腳之間。獨立內引腳之兩端各形成為一不被晶片覆蓋之第二接指與第三接指,第一接指與第二接指排列在晶片之第一側邊,第三接指與外引腳之第四接指排列在晶片之第二側邊。一跳接銲線連接第三接指與第四接指便可跨越在兩者之間的內腳部,以達到不影響打線之腳位次序調整之功效。特別適用於多晶片堆疊之打線連接結構。

    简体摘要: 揭示一种使用独立内引脚之半导体封装构造。芯片设置于导线架上并被封胶体密封。导线架包含有引脚、独立内引脚及短外引脚。每一引脚系具有一内脚部,其内端形成为一第一接指。独立内引脚完全角成在封胶体内,外引脚局部形成在封胶体内并延伸到封胶体之外,其中至少一引脚之内脚部电性隔离地位在独立内引脚与外引脚之间。独立内引脚之两端各形成为一不被芯片覆盖之第二接指与第三接指,第一接指与第二接指排列在芯片之第一侧边,第三接指与外引脚之第四接指排列在芯片之第二侧边。一跳接焊线连接第三接指与第四接指便可跨越在两者之间的内脚部,以达到不影响打线之脚位次序调整之功效。特别适用于多芯片堆栈之打线连接结构。

    基板面板 SUBSTRATE PANEL
    62.
    发明专利
    基板面板 SUBSTRATE PANEL 审中-公开
    基板皮肤 SUBSTRATE PANEL

    公开(公告)号:TW201004514A

    公开(公告)日:2010-01-16

    申请号:TW097125451

    申请日:2008-07-04

    发明人: 范文正

    IPC分类号: H05K G09F

    摘要: 揭示一種基板面板,主要包含複數個陣列排列之基板條、電鍍匯流排線、連接在基板條之間之電鍍串連線以及電流輸入閘口緩衝區。電鍍匯流排線係連接基板面板之側緣至鄰近之基板條。電流輸入閘口緩衝區具有電流緩衝框以及網線,電流緩衝框係與該些電鍍匯流排線交叉連接,而網線與該些電鍍串連線交叉連接並兩端連接至該電流緩衝框。藉以在電鍍過程中平均分散電流至每一基板條,並改善電流密度不均勻導致電鍍層厚度不一致之問題,更能緩衝瞬間大電流與緩和電壓不穩定以保護基板條內部線路。

    简体摘要: 揭示一种基板皮肤,主要包含复数个数组排列之基板条、电镀总线线、连接在基板条之间之电镀串连接以及电流输入闸口缓冲区。电镀总线线系连接基板皮肤之侧缘至邻近之基板条。电流输入闸口缓冲区具有电流缓冲框以及网线,电流缓冲框系与该些电镀总线线交叉连接,而网线与该些电镀串连接交叉连接并两端连接至该电流缓冲框。借以在电镀过程中平均分散电流至每一基板条,并改善电流密度不均匀导致电镀层厚度不一致之问题,更能缓冲瞬间大电流与缓和电压不稳定以保护基板条内部线路。

    晶片在引腳上之多晶片封裝構造 COL (CHIP-ON-LEAD) MULTI-CHIP PACKAGE
    63.
    发明专利
    晶片在引腳上之多晶片封裝構造 COL (CHIP-ON-LEAD) MULTI-CHIP PACKAGE 失效
    芯片在引脚上之多芯片封装构造 COL (CHIP-ON-LEAD) MULTI-CHIP PACKAGE

    公开(公告)号:TW200943514A

    公开(公告)日:2009-10-16

    申请号:TW097112547

    申请日:2008-04-07

    发明人: 范文正

    IPC分类号: H01L

    摘要: 一種晶片在引腳上之多晶片封裝構造主要包含複數個引腳、一設置在引腳上之第一晶片、一個或更多的並疊設於第一晶片上的第二晶片以及一封膠體。引腳在封膠體內之內腳部係為共平面的全沉置配置,以使內腳部全部平行於封膠體之上下表面,內腳部至上表面的高度距離係為內腳部至下表面的高度距離的三倍或三倍以上,並且該些第二晶片具有適當的數量,以致使該封膠體由上表面至最鄰近第二晶片之一厚度大致相同於上述內腳部至下表面的高度距離。藉此,引腳之內腳部不需要作出沉置彎折痕,便可達到上下模流平衡,承載多個晶片之引腳不致位移或傾斜。

    简体摘要: 一种芯片在引脚上之多芯片封装构造主要包含复数个引脚、一设置在引脚上之第一芯片、一个或更多的并叠设于第一芯片上的第二芯片以及一封胶体。引脚在封胶体内之内脚部系为共平面的全沉置配置,以使内脚部全部平行于封胶体之上下表面,内脚部至上表面的高度距离系为内脚部至下表面的高度距离的三倍或三倍以上,并且该些第二芯片具有适当的数量,以致使该封胶体由上表面至最邻近第二芯片之一厚度大致相同于上述内脚部至下表面的高度距离。借此,引脚之内脚部不需要作出沉置弯折痕,便可达到上下模流平衡,承载多个芯片之引脚不致位移或倾斜。

    晶片在引腳上之多晶片封裝構造 COL (CHIP-ON-LEAD) MULTI-CHIP PACKAGE
    64.
    发明专利
    晶片在引腳上之多晶片封裝構造 COL (CHIP-ON-LEAD) MULTI-CHIP PACKAGE 失效
    芯片在引脚上之多芯片封装构造 COL (CHIP-ON-LEAD) MULTI-CHIP PACKAGE

    公开(公告)号:TWI359487B

    公开(公告)日:2012-03-01

    申请号:TW097112547

    申请日:2008-04-07

    发明人: 范文正

    IPC分类号: H01L

    摘要: 一種晶片在引腳上之多晶片封裝構造主要包含複數個引腳、一設置在引腳上之第一晶片、一個或更多的並疊設於第一晶片上的第二晶片以及一封膠體。引腳在封膠體內之內腳部係為共平面的全沉置配置,以使內腳部全部平行於封膠體之上下表面,內腳部至上表面的高度距離係為內腳部至下表面的高度距離的三倍或三倍以上,並且該些第二晶片具有適當的數量,以致使該封膠體由上表面至最鄰近第二晶片之一厚度大致相同於上述內腳部至下表面的高度距離。藉此,引腳之內腳部不需要作出沉置彎折痕,便可達到上下模流平衡,承載多個晶片之引腳不致位移或傾斜。

    简体摘要: 一种芯片在引脚上之多芯片封装构造主要包含复数个引脚、一设置在引脚上之第一芯片、一个或更多的并叠设于第一芯片上的第二芯片以及一封胶体。引脚在封胶体内之内脚部系为共平面的全沉置配置,以使内脚部全部平行于封胶体之上下表面,内脚部至上表面的高度距离系为内脚部至下表面的高度距离的三倍或三倍以上,并且该些第二芯片具有适当的数量,以致使该封胶体由上表面至最邻近第二芯片之一厚度大致相同于上述内脚部至下表面的高度距离。借此,引脚之内脚部不需要作出沉置弯折痕,便可达到上下模流平衡,承载多个芯片之引脚不致位移或倾斜。

    記憶體模組的週邊電路區結構及其製作方法 STRUCTURE OF PERIPHERAL CIRCUIT REGION OF MEMORY MODULE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
    65.
    发明专利
    記憶體模組的週邊電路區結構及其製作方法 STRUCTURE OF PERIPHERAL CIRCUIT REGION OF MEMORY MODULE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
    内存模块的周边电路区结构及其制作方法 STRUCTURE OF PERIPHERAL CIRCUIT REGION OF MEMORY MODULE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

    公开(公告)号:TW201205972A

    公开(公告)日:2012-02-01

    申请号:TW099124305

    申请日:2010-07-23

    发明人: 范文正

    IPC分类号: H01R

    摘要: 一種記憶體模組的週邊電路區結構,包括一基板、複數個電性連接墊以及與這些電性連接墊交錯配置於基板上的複數個支撐件。各支撐件包括一間隙物以及一防銲層,其中間隙物配置於基板上,並且防銲層覆蓋間隙物,並且間隙物的剛性大於防銲層的剛性。這些間隙物可為金屬間隙物。而且,在基板上形成一圖案化金屬層時,可一併形成高度大致上相同的電性連接墊與金屬間隙物,以使這些支撐件,即覆蓋有防銲層的間隙物,凸出於基板表面的高度會明顯高於這些電性連接墊凸出於基板表面的高度。

    简体摘要: 一种内存模块的周边电路区结构,包括一基板、复数个电性连接垫以及与这些电性连接垫交错配置于基板上的复数个支撑件。各支撑件包括一间隙物以及一防焊层,其中间隙物配置于基板上,并且防焊层覆盖间隙物,并且间隙物的刚性大于防焊层的刚性。这些间隙物可为金属间隙物。而且,在基板上形成一图案化金属层时,可一并形成高度大致上相同的电性连接垫与金属间隙物,以使这些支撑件,即覆盖有防焊层的间隙物,凸出于基板表面的高度会明显高于这些电性连接垫凸出于基板表面的高度。

    球柵陣列封裝構造 BALL GRID ARRAY PACKAGE
    66.
    发明专利
    球柵陣列封裝構造 BALL GRID ARRAY PACKAGE 审中-公开
    球栅数组封装构造 BALL GRID ARRAY PACKAGE

    公开(公告)号:TW201205748A

    公开(公告)日:2012-02-01

    申请号:TW099124790

    申请日:2010-07-27

    发明人: 范文正

    IPC分类号: H01L

    摘要: 揭示一種球柵陣列封裝構造,包含一基板、一設置於基板之晶片以及複數個在基板下方之銲球。基板更具有複數個接球墊以及一具有開孔以顯露出接球墊之銲罩層,在接球墊中具有兩個或兩個以上之電源/接地墊。而銲罩層具有一連通電源/接地墊之溝槽,溝槽內填入銲料,以連接電源/接地墊上的銲球,藉使電源/接地墊為電壓平衡,以能減少基板內部之電源/接地金屬層,而能使封裝更為薄化且基板成本更低。

    简体摘要: 揭示一种球栅数组封装构造,包含一基板、一设置于基板之芯片以及复数个在基板下方之焊球。基板更具有复数个接球垫以及一具有开孔以显露出接球垫之焊罩层,在接球垫中具有两个或两个以上之电源/接地垫。而焊罩层具有一连通电源/接地垫之沟槽,沟槽内填入焊料,以连接电源/接地垫上的焊球,藉使电源/接地垫为电压平衡,以能减少基板内部之电源/接地金属层,而能使封装更为薄化且基板成本更低。

    具有可移動外接端子之半導體封裝堆疊組合構造 POP (PACKAGE-ON-PACKAGE) DEVICE WITH MOVABLE EXTERNAL TERMINALS
    67.
    发明专利
    具有可移動外接端子之半導體封裝堆疊組合構造 POP (PACKAGE-ON-PACKAGE) DEVICE WITH MOVABLE EXTERNAL TERMINALS 有权
    具有可移动外置端子之半导体封装堆栈组合构造 POP (PACKAGE-ON-PACKAGE) DEVICE WITH MOVABLE EXTERNAL TERMINALS

    公开(公告)号:TWI355727B

    公开(公告)日:2012-01-01

    申请号:TW096138575

    申请日:2007-10-15

    发明人: 范文正

    IPC分类号: H01L

    摘要: 一種具有可移動外接端子之半導體封裝堆疊組合構造,主要包含複數個相互堆疊之半導體封裝件以及複數個如銲劑之電性連接元件,以連接該些半導體封裝件之外接端子,例如導線架之外引腳。每一半導體封裝件係以一封膠體密封至少一晶片,該封膠體相對於該些電性連接元件為可移動,以吸收半導體封裝件之間之應力。在一實施例中,可將一應力釋放層形成於半導體封裝件之間。

    简体摘要: 一种具有可移动外置端子之半导体封装堆栈组合构造,主要包含复数个相互堆栈之半导体封装件以及复数个如焊剂之电性连接组件,以连接该些半导体封装件之外置端子,例如导线架之外引脚。每一半导体封装件系以一封胶体密封至少一芯片,该封胶体相对于该些电性连接组件为可移动,以吸收半导体封装件之间之应力。在一实施例中,可将一应力释放层形成于半导体封装件之间。

    避免半導體堆疊發生微接觸銲點斷裂之半導體封裝堆疊裝置 SEMICONDUCTOR PACKAGE-ON-PACKAGE (POP) DEVICE AVOIDING CRACK AT SOLDER JOINTS OF MICRO-CONTACTS DURING SEMICONDUCTOR STACKING
    68.
    发明专利
    避免半導體堆疊發生微接觸銲點斷裂之半導體封裝堆疊裝置 SEMICONDUCTOR PACKAGE-ON-PACKAGE (POP) DEVICE AVOIDING CRACK AT SOLDER JOINTS OF MICRO-CONTACTS DURING SEMICONDUCTOR STACKING 有权
    避免半导体堆栈发生微接触焊点断裂之半导体封装堆栈设备 SEMICONDUCTOR PACKAGE-ON-PACKAGE (POP) DEVICE AVOIDING CRACK AT SOLDER JOINTS OF MICRO-CONTACTS DURING SEMICONDUCTOR STACKING

    公开(公告)号:TWI345293B

    公开(公告)日:2011-07-11

    申请号:TW096117980

    申请日:2007-05-21

    IPC分类号: H01L

    摘要: 一種半導體封裝堆疊裝置,主要包含複數個微接觸銲點之半導體封裝件以及焊接該些微接觸銲點之銲料。每一半導體封裝件包含一基板以及一在基板上之晶片。下方半導體封裝件之微接觸銲點係位在複數個位於其基板上表面之上層凸塊;上方半導體封裝件之微接觸銲點係位在複數個位於其基板下表面之下層凸塊。其中,該些下層凸塊係可對準在該些上層凸塊,令該些銲料接合該些上層凸塊與該些下層凸塊。因此,該些上層凸塊與該些下層凸塊係提供了相同的銲料接合形狀與面積,以利均勻焊接,避免半導體堆疊發生微接觸銲點斷裂。

    简体摘要: 一种半导体封装堆栈设备,主要包含复数个微接触焊点之半导体封装件以及焊接该些微接触焊点之焊料。每一半导体封装件包含一基板以及一在基板上之芯片。下方半导体封装件之微接触焊点系位在复数个位于其基板上表面之上层凸块;上方半导体封装件之微接触焊点系位在复数个位于其基板下表面之下层凸块。其中,该些下层凸块系可对准在该些上层凸块,令该些焊料接合该些上层凸块与该些下层凸块。因此,该些上层凸块与该些下层凸块系提供了相同的焊料接合形状与面积,以利均匀焊接,避免半导体堆栈发生微接触焊点断裂。

    減少晶片座厚度之外接腳式封裝方法與構造 MAKING METHOD AND DEVICE OF OUTER LEAD TYPE SEMICONDUCTOR PACKAGE FOR REDUCING THICKNESS OF DIE PAD
    69.
    发明专利
    減少晶片座厚度之外接腳式封裝方法與構造 MAKING METHOD AND DEVICE OF OUTER LEAD TYPE SEMICONDUCTOR PACKAGE FOR REDUCING THICKNESS OF DIE PAD 审中-公开
    减少芯片座厚度之外置脚式封装方法与构造 MAKING METHOD AND DEVICE OF OUTER LEAD TYPE SEMICONDUCTOR PACKAGE FOR REDUCING THICKNESS OF DIE PAD

    公开(公告)号:TW201123320A

    公开(公告)日:2011-07-01

    申请号:TW098145438

    申请日:2009-12-29

    发明人: 范文正

    IPC分类号: H01L

    摘要: 揭示一種減少晶片座厚度之外接腳式封裝方法與構造。依照該方法,設置一內置型暫時晶片座於導線架之下。晶片貼附於晶片座上,而不與引腳接觸。在模封時,由於晶片座與引腳產生一高度差以使晶片座緊貼於模穴底部,故包覆晶片與引腳內腳部之封膠體之厚度不包含內置型暫時晶片座之厚度。模封之後,再移除內置型暫時晶片座。因此,整體封裝厚度僅需要考慮晶片之總厚度,不需要計入晶片座厚度,可堆疊更多晶片。

    简体摘要: 揭示一种减少芯片座厚度之外置脚式封装方法与构造。依照该方法,设置一内置型暂时芯片座于导线架之下。芯片贴附于芯片座上,而不与引脚接触。在模封时,由于芯片座与引脚产生一高度差以使芯片座紧贴于模穴底部,故包覆芯片与引脚内脚部之封胶体之厚度不包含内置型暂时芯片座之厚度。模封之后,再移除内置型暂时芯片座。因此,整体封装厚度仅需要考虑芯片之总厚度,不需要计入芯片座厚度,可堆栈更多芯片。

    漸變間距接墊之覆晶封裝基板與封裝構造 SUBSTRATE AND FLIP-CHIP PACKAGE HAVING PADS WITH GRADATIONAL PITCH
    70.
    发明专利
    漸變間距接墊之覆晶封裝基板與封裝構造 SUBSTRATE AND FLIP-CHIP PACKAGE HAVING PADS WITH GRADATIONAL PITCH 审中-公开
    渐变间距接垫之覆晶封装基板与封装构造 SUBSTRATE AND FLIP-CHIP PACKAGE HAVING PADS WITH GRADATIONAL PITCH

    公开(公告)号:TW201121014A

    公开(公告)日:2011-06-16

    申请号:TW098142793

    申请日:2009-12-14

    发明人: 范文正

    IPC分类号: H01L

    摘要: 揭示一種漸變間距接墊之覆晶封裝基板與封裝構造。基板設有複數個非等間距之陣列接墊,以供覆晶接合一晶片。在穿過一中心點之直線上由中心點往外定義出陣列接墊之間距編號,當間距編號每增加一號,則對應陣列接墊至中心點之距離扣除一基板膨脹補償值,以使在迴焊溫度時陣列接墊準確對準晶片之等間距凸塊。因此,基板之接墊至中心點與晶片之凸塊至中心點有相同的膨脹距離,以避免晶片與基板因熱膨脹係數不同而造成凸塊與接墊之位偏移。

    简体摘要: 揭示一种渐变间距接垫之覆晶封装基板与封装构造。基板设有复数个非等间距之数组接垫,以供覆晶接合一芯片。在穿过一中心点之直在线由中心点往外定义出数组接垫之间距编号,当间距编号每增加一号,则对应数组接垫至中心点之距离扣除一基板膨胀补偿值,以使在回焊温度时数组接垫准确对准芯片之等间距凸块。因此,基板之接垫至中心点与芯片之凸块至中心点有相同的膨胀距离,以避免芯片与基板因热膨胀系数不同而造成凸块与接垫之位偏移。