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81.太陽電池用濺鍍靶 SPATTERING TARGET FOR A SOLAR BATTERY 审中-公开
简体标题: 太阳电池用溅镀靶 SPATTERING TARGET FOR A SOLAR BATTERY公开(公告)号:TW201247916A
公开(公告)日:2012-12-01
申请号:TW101110331
申请日:2012-03-26
申请人: 三井金屬鑛業股份有限公司
发明人: 武內朋哉
CPC分类号: B23K35/26 , B23K35/262 , C22C13/00 , C22C28/00 , C22C30/00 , C22F1/00 , C22F1/16 , C23C14/0617 , C23C14/3407
摘要: 本發明是有關太陽電池用濺鍍靶,其特徵是在銦製的鑄塊中藉由進行加入物理性應力之加工使該鑄塊厚度變成原來厚度的70%以下而得到的靶材與支承板(backing plate),藉由銦-錫或是銦-鎵合金製的接合材來接著而形成。本發明的太陽電池用濺鍍靶,在濺鍍初期的濺鍍速率(sputtering rate)高,並且,濺鍍速率的經時下降小,進一步,可以形成均質的銦膜。總之,可期待直到該濺鍍耗盡為止以高速率形成均質的膜。
简体摘要: 本发明是有关太阳电池用溅镀靶,其特征是在铟制的铸块中借由进行加入物理性应力之加工使该铸块厚度变成原来厚度的70%以下而得到的靶材与支承板(backing plate),借由铟-锡或是铟-镓合金制的接合材来接着而形成。本发明的太阳电池用溅镀靶,在溅镀初期的溅镀速率(sputtering rate)高,并且,溅镀速率的经时下降小,进一步,可以形成均质的铟膜。总之,可期待直到该溅镀耗尽为止以高速率形成均质的膜。
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公开(公告)号:TW201238127A
公开(公告)日:2012-09-16
申请号:TW101107658
申请日:2012-03-07
申请人: 日產自動車股份有限公司
IPC分类号: H01M
CPC分类号: H01M4/386 , B22F2998/00 , C22C21/02 , C22C28/00 , C22C30/00 , H01G4/008 , H01M4/38 , H01M4/463 , H01M10/052 , Y02T10/7011 , C22C29/18
摘要: 本發明之電裝置用負極活性物質具有含有超過27質量%且未達100質量%之矽、超過0質量%且未達73質量%之鋁、及超過0質量%且未達58質量%之鈮,其餘部分為無法避免之雜質之合金。該負極活性物質可藉由例如以矽、鋁及鈮作為靶材,使用多元DC磁控管(magnetron)濺鍍裝置而獲得。因此,使用該負極活性物質之電裝置可一方面維持高的放電電容,一方面發揮優異之循環特性。
简体摘要: 本发明之电设备用负极活性物质具有含有超过27质量%且未达100质量%之硅、超过0质量%且未达73质量%之铝、及超过0质量%且未达58质量%之铌,其余部分为无法避免之杂质之合金。该负极活性物质可借由例如以硅、铝及铌作为靶材,使用多元DC磁控管(magnetron)溅镀设备而获得。因此,使用该负极活性物质之电设备可一方面维持高的放电电容,一方面发挥优异之循环特性。
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公开(公告)号:TW201215686A
公开(公告)日:2012-04-16
申请号:TW100122833
申请日:2011-06-29
申请人: 鋼臂功科研股份有限公司 , 兵庫縣
CPC分类号: C23C14/14 , C01B19/002 , C01P2002/72 , C01P2002/85 , C01P2004/61 , C04B35/547 , C04B35/62655 , C04B35/645 , C04B2235/40 , C04B2235/407 , C04B2235/446 , C04B2235/656 , C04B2235/77 , C22C1/0491 , C22C9/00 , C22C28/00 , C22C30/00 , C22C30/02 , C23C14/0623 , C23C14/3414
摘要: 本發明係提供燒結時及加工時不會發生裂痕之含有Cu、In、Ga及Se之Cu-In-Ga-Se系粉末,及使用其之燒結體及濺鍍標靶。本發明係有關含有Cu、In、Ga及Se之元素的粉末中,特徵為合計含有60質量%以上之Cu-In-Ga-Se系化合物及或Cu-In-Se系化合物之粉末。本發明之粉末較佳為,含有20質量%以下之In-Se系化合物及/或20質量%以下之Cu-In系化合物。
简体摘要: 本发明系提供烧结时及加工时不会发生裂痕之含有Cu、In、Ga及Se之Cu-In-Ga-Se系粉末,及使用其之烧结体及溅镀标靶。本发明系有关含有Cu、In、Ga及Se之元素的粉末中,特征为合计含有60质量%以上之Cu-In-Ga-Se系化合物及或Cu-In-Se系化合物之粉末。本发明之粉末较佳为,含有20质量%以下之In-Se系化合物及/或20质量%以下之Cu-In系化合物。
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公开(公告)号:TW201205840A
公开(公告)日:2012-02-01
申请号:TW100121214
申请日:2011-06-17
申请人: 旭硝子股份有限公司
IPC分类号: H01L
CPC分类号: H01L31/022425 , C03C3/087 , C22C27/04 , C22C30/00 , C23C14/185 , H01L31/03923 , H01L31/0749 , Y02E10/541 , Y02P70/521
摘要: 本發明係以提供一種CIGS型太陽電池為目的,該CIGS型太陽電池係不需增加製造程序,也不需使層構造複雜化,且使鹼金屬擴散至CIGS層為可能者。一種太陽電池,係CIGS型太陽電池,包含有:玻璃基板;背面電極層,其係設置於前述玻璃基板上;CIGS層,其係設置於前述背面電極層上;緩衝層,其係設置於前述CIGS層上;及,透明表面電極層,其係設置於前述緩衝層上;且,前述背面電極層包含有Mo(鉬)及W(鎢),而前述背面電極層中之前述W之總含量係50mol%以下。
简体摘要: 本发明系以提供一种CIGS型太阳电池为目的,该CIGS型太阳电池系不需增加制造进程,也不需使层构造复杂化,且使碱金属扩散至CIGS层为可能者。一种太阳电池,系CIGS型太阳电池,包含有:玻璃基板;背面电极层,其系设置于前述玻璃基板上;CIGS层,其系设置于前述背面电极层上;缓冲层,其系设置于前述CIGS层上;及,透明表面电极层,其系设置于前述缓冲层上;且,前述背面电极层包含有Mo(钼)及W(钨),而前述背面电极层中之前述W之总含量系50mol%以下。
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85.可調變熔點溫度的金屬熱界面材料及其應用 MELTING TEMPERATURE ADJUSTABLE METAL THERMAL INTERFACE MATERIALS AND USE THEREOF 有权
简体标题: 可调制熔点温度的金属热界面材料及其应用 MELTING TEMPERATURE ADJUSTABLE METAL THERMAL INTERFACE MATERIALS AND USE THEREOF公开(公告)号:TWI344196B
公开(公告)日:2011-06-21
申请号:TW096105743
申请日:2007-02-15
申请人: 財團法人工業技術研究院
CPC分类号: C22C28/00 , C22C12/00 , C22C30/00 , F28F2013/006 , H01L23/3677 , H01L23/3735 , H01L23/3736 , H01L23/4275 , H01L33/641 , H01L33/648 , H01L2224/16225 , H01L2224/73253 , H01L2924/15311 , H01L2924/16152 , H01L2924/3011
摘要: 一種可調變熔點溫度的金屬熱界面材料,包括:銦(In)、鉍(Bi)、錫(Sn)和鎵(Ga),其中鎵的含量為0.05 wt%至3 wt%。這種金屬熱界面材料具有低於60℃的起始熱熔溫度且不含毒害環境元素。
简体摘要: 一种可调制熔点温度的金属热界面材料,包括:铟(In)、铋(Bi)、锡(Sn)和镓(Ga),其中镓的含量为0.05 wt%至3 wt%。这种金属热界面材料具有低于60℃的起始热熔温度且不含毒害环境元素。
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公开(公告)号:TW200936779A
公开(公告)日:2009-09-01
申请号:TW097105692
申请日:2008-02-19
发明人: 渡邊敏幸 WATANABE, TOSHIYUKI , 松下昌史 MATSUSHITA, MASAFUMI , 櫻井利隆 SAKURAI, TOSHITAKA , 佐藤一也 SATO, KAZUYA , 松下洋子 MATSUSHITA, YOKO
摘要: 在控制型燃燒合成裝置10中,具有點火機構12、檢測裝置內之壓力之壓力感測器14、自外部供給氮之氮供給機構15、具備氮供給功能與裝置內反應氣體之排出功能之氣體壓力控制閥16、反應容器20內溫度之檢測手段23、水冷夾套18之第1冷卻機構、以及冷卻用板22之第2冷卻機構,且設有溫度控制機構,該溫度控制機構根據由溫度檢測手段23所檢測出之溫度,來控制供給至第1及/或第2冷卻機構之冷卻水量,以控制反應容器內溫度。藉由一邊將裝置內壓力與反應容器內溫度控制在預定値一邊進行燃燒合成,可合成含有30-70重量%之矽、10-40重量%之氮、1-40重量%之鋁、以及1-40重量%之氧之矽合金,從而能夠以低成本將廉價金屬之矽作為工業用構造材料而加以實際應用。
简体摘要: 在控制型燃烧合成设备10中,具有点火机构12、检测设备内之压力之压力传感器14、自外部供给氮之氮供给机构15、具备氮供给功能与设备内反应气体之排出功能之气体压力控制阀16、反应容器20内温度之检测手段23、水冷夹套18之第1冷却机构、以及冷却用板22之第2冷却机构,且设有温度控制机构,该温度控制机构根据由温度检测手段23所检测出之温度,来控制供给至第1及/或第2冷却机构之冷却水量,以控制反应容器内温度。借由一边将设备内压力与反应容器内温度控制在预定値一边进行燃烧合成,可合成含有30-70重量%之硅、10-40重量%之氮、1-40重量%之铝、以及1-40重量%之氧之硅合金,从而能够以低成本将廉价金属之硅作为工业用构造材料而加以实际应用。
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87.可調變熔點溫度的金屬熱界面材料及其應用 MELTING TEMPERATURE ADJUSTABLE METAL THERMAL INTERFACE MATERIALS AND USE THEREOF 审中-公开
简体标题: 可调制熔点温度的金属热界面材料及其应用 MELTING TEMPERATURE ADJUSTABLE METAL THERMAL INTERFACE MATERIALS AND USE THEREOF公开(公告)号:TW200822324A
公开(公告)日:2008-05-16
申请号:TW096105743
申请日:2007-02-15
CPC分类号: C22C28/00 , C22C12/00 , C22C30/00 , F28F2013/006 , H01L23/3677 , H01L23/3735 , H01L23/3736 , H01L23/4275 , H01L33/641 , H01L33/648 , H01L2224/16225 , H01L2224/73253 , H01L2924/15311 , H01L2924/16152 , H01L2924/3011
摘要: 一種可調變熔點溫度的金屬熱界面材料,包括:銦(In)、鉍(Bi)、錫(Sn)和鎵(Ga),其中鎵的含量為0.05wt%至3wt%。這種金屬熱界面材料具有低於60℃的起始熱熔溫度且不含毒害環境元素。
简体摘要: 一种可调制熔点温度的金属热界面材料,包括:铟(In)、铋(Bi)、锡(Sn)和镓(Ga),其中镓的含量为0.05wt%至3wt%。这种金属热界面材料具有低于60℃的起始热熔温度且不含毒害环境元素。
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88.具有低熱膨脹性之抗潛變鐵鎳合金 CREEP RESISTANT IRON NICKEL ALLOY WITH LOW THERMAL EXPANSION 失效
简体标题: 具有低热膨胀性之抗潜变铁镍合金 CREEP RESISTANT IRON NICKEL ALLOY WITH LOW THERMAL EXPANSION公开(公告)号:TWI234588B
公开(公告)日:2005-06-21
申请号:TW089104483
申请日:2000-03-13
IPC分类号: C22C
摘要: 本發明揭示一種抗潛變和低膨脹性的鐵鎳合金,該合金除了(以重量百分比計)最多為0.2%的C、最多為0.3%的 Mn及最多0.3%的Si之外,包含有Al含量為0.05至3.0%、Ti含量為0.1至3.0%、≦1.0%的Nb以及Ni含量為39.0至45.0%,其餘的是鐵和隨製備方法而定的混合物,該合金在20℃至100℃溫度範圍中具有一熱膨脹係數係小於6.0x10-6/K。
简体摘要: 本发明揭示一种抗潜变和低膨胀性的铁镍合金,该合金除了(以重量百分比计)最多为0.2%的C、最多为0.3%的 Mn及最多0.3%的Si之外,包含有Al含量为0.05至3.0%、Ti含量为0.1至3.0%、≦1.0%的Nb以及Ni含量为39.0至45.0%,其余的是铁和随制备方法而定的混合物,该合金在20℃至100℃温度范围中具有一热膨胀系数系小于6.0x10-6/K。
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公开(公告)号:TW200518376A
公开(公告)日:2005-06-01
申请号:TW092132201
申请日:2003-11-18
IPC分类号: H01M
CPC分类号: C22C30/00 , B32B15/013 , C22C27/06 , H01M8/0208 , H01M8/021 , H01M8/0228 , H01M8/0258 , H01M2008/1095 , Y10T29/49002 , Y10T428/12847
摘要: 一種燃料電池金屬極板的表面保護膜結構及表面處理方法,係於極板上進行流道加工,接著研磨表面使極板雜質鈍化層清除,再洗滌去除極板表面油污,然後將金屬極板泡在鹼性溶液中以超音波震動清洗,取出後利用去離子純水將極板表面沖洗,放入硝酸中泡置,再一次利用去離子水清洗,取出後並將極板放置純水以超音波清洗。把上述處理過的極板放入電化學槽,於極板表面形成一化學、電化學穩定性良好的保護膜,該保護膜成份包含鉻40~75%、鐵10~30%、鎳15~30%,如此在金屬極板表面形成一層保護膜,以提高金屬表面的耐蝕性、導電性、粗糙度及平滑性。改善過後的雙極板表面具有奈米結構,具有疏水性質和自潔性質,對於流體的流動性具有很大的助益,並且增加極板表面的穩定度,且由於表面保護層Cr含量提升,使金屬雙極板耐蝕性提升;由於此層的表面結構改變,為一致密的保護層,具有良好的導電效果。
简体摘要: 一种燃料电池金属极板的表面保护膜结构及表面处理方法,系于极板上进行流道加工,接着研磨表面使极板杂质钝化层清除,再洗涤去除极板表面油污,然后将金属极板泡在碱性溶液中以超音波震动清洗,取出后利用去离子纯水将极板表面冲洗,放入硝酸中泡置,再一次利用去离子水清洗,取出后并将极板放置纯水以超音波清洗。把上述处理过的极板放入电化学槽,于极板表面形成一化学、电化学稳定性良好的保护膜,该保护膜成份包含铬40~75%、铁10~30%、镍15~30%,如此在金属极板表面形成一层保护膜,以提高金属表面的耐蚀性、导电性、粗糙度及平滑性。改善过后的双极板表面具有奈米结构,具有疏水性质和自洁性质,对于流体的流动性具有很大的助益,并且增加极板表面的稳定度,且由于表面保护层Cr含量提升,使金属双极板耐蚀性提升;由于此层的表面结构改变,为一致密的保护层,具有良好的导电效果。
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公开(公告)号:TW301806B
公开(公告)日:1997-04-01
申请号:TW085104502
申请日:1996-04-16
申请人: 奧馬尼克電池股份有限公司
IPC分类号: H01M
CPC分类号: C22C30/00 , C01B3/0031 , C01B3/0057 , H01M4/049 , H01M4/366 , H01M4/383 , H01M4/46 , H01M10/345 , H01M2004/021 , Y02E60/327 , Y10S420/90
摘要: 一種無序電化學貯氫合金,其包含:
(基料合金)aCobMncFedSne其中基料合金包含0.1至60原子百分比之Ti,0.1至40原子百分比之Zr,0至60原子百分比之V,0.1至57原子百分比之Ni,及0至56原子百分比之Cr;b為0至7.5原子百分比;c為13至17原子百分比;d為0至3.5原子百分比;e為0至1.5原子百分比;且 a + b + c + d + e = 100 原子百分比。简体摘要: 一种无序电化学贮氢合金,其包含: (基料合金)aCobMncFedSne其中基料合金包含0.1至60原子百分比之Ti,0.1至40原子百分比之Zr,0至60原子百分比之V,0.1至57原子百分比之Ni,及0至56原子百分比之Cr;b为0至7.5原子百分比;c为13至17原子百分比;d为0至3.5原子百分比;e为0至1.5原子百分比;且 a + b + c + d + e = 100 原子百分比。
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