公开(公告)号：TWI469933B

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：TW101117059

申请日：2012-05-14

申请人： LG化學公司 ,  LG CHEM, LTD.

发明人： 朴哲凞 ,  PARK, CHEOL-HEE ,  金兌訓 ,  KIM, TAE-HOON

IPC分类号： C01G51/00

CPC分类号： C01G51/006 ,  C01B19/002 ,  C01G53/006 ,  C01G55/002 ,  C01P2002/52 ,  C01P2002/88 ,  C01P2004/20 ,  C01P2006/32 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/547 ,  C04B2235/3277 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/405 ,  C04B2235/408 ,  C04B2235/9607 ,  H01L35/18

公开(公告)号：TW200706665A

公开(公告)日：2007-02-16

申请号：TW095113340

申请日：2006-04-14

申请人： 日金屬股份有限公司

发明人： 高見英生 TAKAMI, HIDEO ,  矢作政隆 YAHAGI, MASATAKA

IPC分类号： C23C ,  G11B

CPC分类号： C23C14/3414 ,  C04B35/453 ,  C04B35/547 ,  C04B35/62685 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/446 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9646 ,  G11B7/2578 ,  G11B7/2585 ,  G11B7/266 ,  G11B2007/25706 ,  G11B2007/25708 ,  G11B2007/25715 ,  G11B2007/25716 ,  Y02T50/67

摘要： 本發明關於一種濺鍍靶,其特徵在於,係以硫化鋅與氧化銦、氧化鋅及其他3價正電性元素A所構成之氧化物為主要成分,且硫相對構成成分總量之比例為5-30wt%,以XRD測定之立方晶系ZnS之(111)峰値强度I1與六方晶系ZnS之(100)峰値强度I2混合存在,且滿足I1>I2之條件。本發明之目的在於,欲得到一種在製造靶時或濺鍍成膜時可防止靶龜裂之高强度濺鍍靶及其製造方法,特別是極適合作為保護膜使用之光資訊記錄媒體用薄膜及其製造方法。

简体摘要： 本发明关于一种溅镀靶,其特征在于,系以硫化锌与氧化铟、氧化锌及其他3价正电性元素A所构成之氧化物为主要成分,且硫相对构成成分总量之比例为5-30wt%,以XRD测定之立方晶系ZnS之(111)峰値强度I1与六方晶系ZnS之(100)峰値强度I2混合存在,且满足I1>I2之条件。本发明之目的在于,欲得到一种在制造靶时或溅镀成膜时可防止靶龟裂之高强度溅镀靶及其制造方法,特别是极适合作为保护膜使用之光信息记录媒体用薄膜及其制造方法。

公开(公告)号：TW200642962A

公开(公告)日：2006-12-16

申请号：TW095106329

申请日：2006-02-24

申请人： 巴地斯顏料化工廠 BASF AKTIENGESELLSCHAFT

发明人： 漢斯-喬瑟夫 史戴若爾 STERZEL, HANS-JOSEF

IPC分类号： C01G ,  H01L

CPC分类号： H01L31/032 ,  C01G3/006 ,  C01G3/12 ,  C04B35/547 ,  C04B35/653 ,  C04B2235/3891 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/405 ,  C04B2235/407 ,  H01L31/0749 ,  H01L35/16 ,  Y02E10/541

摘要： 本發明係關於經改質硫化銅，其具有通式(1)之組成：(CuxMey)2Sz．(Mg2Si)v(1)其中Me為Co及／或Bi，且指數x、y、z及v對應於下列值中之一者：x＝0.95至1.00，y＝0至0.05，其中x＋y為0.98至1.02之總和，z＝0.95至1.05，v＝0至0.01，且關於包含該等經改質硫化銅之半導體材料，及該半導體材料在熱電模組及光電電池或模組中之用途。095106329-p01.bmp

简体摘要： 本发明系关于经改质硫化铜，其具有通式(1)之组成：(CuxMey)2Sz．(Mg2Si)v(1)其中Me为Co及／或Bi，且指数x、y、z及v对应于下列值中之一者：x＝0.95至1.00，y＝0至0.05，其中x＋y为0.98至1.02之总和，z＝0.95至1.05，v＝0至0.01，且关于包含该等经改质硫化铜之半导体材料，及该半导体材料在热电模块及光电电池或模块中之用途。095106329-p01.bmp

公开(公告)号：TW200614543A

公开(公告)日：2006-05-01

申请号：TW094117905

申请日：2005-05-31

申请人： 皇家飛利浦電子股份有限公司 KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. ,  美國露明光學公司 LUMILEDS LIGHTING U.S. LLC

发明人： 賈德 穆樂 MUELLER, GERD ,  瑞吉那B 穆樂-瑪其 MUELLER-MACH, REGINA B. ,  麥可R 卡米司 KRAMES, MICHAEL R. ,  彼得J 舒米特 SCHMIDT, PETER J. ,  哈木特 巴其特 BECHTEL, HELMUT ,  賈爾 瑪雅 MEYER, JOERG ,  珍 迪 賈夫 DE GRAAF, JAN ,  帝歐 雅諾德 卡布 KOP, THEO ARNOLD

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L33/502 ,  C04B35/44 ,  C04B35/547 ,  C04B35/584 ,  C04B35/597 ,  C04B35/6268 ,  C04B35/64 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/6027 ,  C04B2235/662 ,  C09K11/7774 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01L33/50 ,  H01L33/501 ,  H01L33/505 ,  H01L33/508 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  H01L33/58 ,  H01L33/62 ,  H01L33/641 ,  H01L33/644 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2933/0075 ,  H01L2924/00

摘要： 本發明係關於一種包含一置於一n型區域與一p型區域之間之發光層的半導體發光裝置，其與一置於該發光層發射之光之路徑中的陶瓷層組合。該陶瓷層係由一諸如磷光體之波長轉換材料組成，或包括一諸如磷光體之波長轉換材料。根據本發明實施例之發光陶瓷層可能比先前技術之磷光層更穩固，且對溫度較不敏感。另外，發光陶瓷可能呈現較少之散射，且可能因此增加轉換效率優於先前技術之磷光層。

简体摘要： 本发明系关于一种包含一置于一n型区域与一p型区域之间之发光层的半导体发光设备，其与一置于该发光层发射之光之路径中的陶瓷层组合。该陶瓷层系由一诸如磷光体之波长转换材料组成，或包括一诸如磷光体之波长转换材料。根据本发明实施例之发光陶瓷层可能比先前技术之磷光层更稳固，且对温度较不敏感。另外，发光陶瓷可能呈现较少之散射，且可能因此增加转换效率优于先前技术之磷光层。

公开(公告)号：TWI553139B

公开(公告)日：2016-10-11

申请号：TW101141156

申请日：2012-11-06

申请人： 三菱綜合材料股份有限公司 ,  MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION

发明人： 張守斌 ,  ZHANG, SHOUBIN ,  小路雅弘 ,  SHOJI, MASAHIRO

IPC分类号： C23C14/34

CPC分类号： C23C14/0623 ,  C04B35/547 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/6266 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/5427 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/723 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C22C9/00 ,  C23C14/3414 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

公开(公告)号：TW201325814A

公开(公告)日：2013-07-01

申请号：TW100148813

申请日：2011-12-27

申请人： 財團法人工業技術研究院 ,  INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE

发明人： 葉建弦 ,  YEH, CHIEN HSUAN ,  周雅文 ,  CHOU, YA WEN ,  郭家宏 ,  KUO, CHIA HUNG

IPC分类号： B24B31/00

CPC分类号： C01B19/007 ,  C01B19/002 ,  C01P2002/50 ,  C01P2002/72 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/547 ,  C04B35/62615 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/666 ,  H01L35/16

摘要： 本發明提供之多元熱電合金的形成方法，包括：將多種雙元合金與球磨珠置於球磨罐中，進行球磨製程以形成一多元熱電合金粉體，其中球磨珠直徑介於1mm至10mm之間，球磨珠與雙元合金之重量比介於1:1至50:1之間，球磨轉速介於200rpm至1000rpm之間，且球磨製程歷時4至12小時。

简体摘要： 本发明提供之多元热电合金的形成方法，包括：将多种双元合金与球磨珠置于球磨罐中，进行球磨制程以形成一多元热电合金粉体，其中球磨珠直径介于1mm至10mm之间，球磨珠与双元合金之重量比介于1:1至50:1之间，球磨转速介于200rpm至1000rpm之间，且球磨制程历时4至12小时。

公开(公告)号：TWI263687B

公开(公告)日：2006-10-11

申请号：TW093140517

申请日：2004-12-24

申请人： 日金屬股份有限公司 NIPPON MINING & METALS CO., LTD.

发明人： 高見英生 TAKAMI, HIDEO ,  矢作政隆 YAHAGI, MASATAKA

IPC分类号： C23C ,  G11B

CPC分类号： C23C14/3414 ,  C04B35/547 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/086 ,  G11B7/2531 ,  G11B7/2578 ,  G11B7/259 ,  G11B7/266 ,  G11B2007/25706 ,  G11B2007/25708 ,  G11B2007/2571 ,  G11B2007/25715

摘要： 一種濺鍍靶，其特徵為，係於In2O3-ZnO-SnO2系複合氧化物(以SnO2為主成分)中添加選自Ta、Y之任1種或2種元素之氧化物之材料所構成。係有關於光資訊記錄媒體用薄膜(特別是作為保護膜)及其製造方法以及可適用於該等之濺鍍靶者，該濺鍍膜之非晶質性安定、成膜速度快、與記錄層之密合性及機械特性優異、且透過率高，而由於係以非硫化物系構成，故鄰接之反射層、記錄層不易產生劣化。藉此，可提昇光資訊記錄媒體之特性以及大幅改善生產性。

简体摘要： 一种溅镀靶，其特征为，系于In2O3-ZnO-SnO2系复合氧化物(以SnO2为主成分)中添加选自Ta、Y之任1种或2种元素之氧化物之材料所构成。系有关于光信息记录媒体用薄膜(特别是作为保护膜)及其制造方法以及可适用于该等之溅镀靶者，该溅镀膜之非晶质性安定、成膜速度快、与记录层之密合性及机械特性优异、且透过率高，而由于系以非硫化物系构成，故邻接之反射层、记录层不易产生劣化。借此，可提升光信息记录媒体之特性以及大幅改善生产性。

公开(公告)号：TW200428467A

公开(公告)日：2004-12-16

申请号：TW093111317

申请日：2004-04-22

申请人： 檴亞股份有限公司 HOYA CORPORATION

发明人： 川副博司 KAWAZOE, HIROSHI ,  柳田裕昭 YANAGITA, HIROAKI ,  折田政寬 ORITA, MASAHIRO

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L31/0224 ,  C04B35/547 ,  H01L21/44 ,  H01L29/22 ,  H01L29/45 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/0682 ,  H01L33/28 ,  H01L33/40 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/547 ,  H01L2924/00

摘要： 一種Ⅱ－Ⅵ族化合物半導體的p型歐姆接觸電極的成形方法，此成形方法提供低電阻，穩定且無毒性、生產性能佳之電極形成材料，並提供良好之半導體元件。此半導體電極材料係由成份式AXBYCZ(A：1B族金屬元素中所選出之至少1種的元素；B：8族金屬元素中選出之至少1種的元素；C：S或Se中選出之至少1種的元素)所示之材料所構成的半導體電極材料。但，X,Y,Z為X＋Y＋Z＝1，0.20≦X≦0.35，0.17≦Y≦0.30，0.45≦Z≦0.55。

简体摘要： 一种Ⅱ－Ⅵ族化合物半导体的p型欧姆接触电极的成形方法，此成形方法提供低电阻，稳定且无毒性、生产性能佳之电极形成材料，并提供良好之半导体组件。此半导体电极材料系由成份式AXBYCZ(A：1B族金属元素中所选出之至少1种的元素；B：8族金属元素中选出之至少1种的元素；C：S或Se中选出之至少1种的元素)所示之材料所构成的半导体电极材料。但，X,Y,Z为X＋Y＋Z＝1，0.20≦X≦0.35，0.17≦Y≦0.30，0.45≦Z≦0.55。

公开(公告)号：TWI605140B

公开(公告)日：2017-11-11

申请号：TW105137667

申请日：2013-02-06

申请人： 三菱綜合材料股份有限公司 ,  MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION

发明人： 齋藤淳 ,  SAITO, ATSUSHI ,  森理惠 ,  MORI, RIE

IPC分类号： C23C14/08 ,  C23C14/34

CPC分类号： G11B7/254 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B35/547 ,  C04B35/645 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  G11B7/257 ,  G11B7/266 ,  G11B2007/25411 ,  G11B2007/25414 ,  G11B2007/25417 ,  G11B2007/25706 ,  G11B2007/25708 ,  G11B2007/2571 ,  H01J37/3429

公开(公告)号：TWI481725B

公开(公告)日：2015-04-21

申请号：TW098105386

申请日：2009-02-20

申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 ,  JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION

发明人： 高橋秀行 ,  TAKAHASHI, HIDEYUKI

IPC分类号： C22C1/04 ,  B22F1/00 ,  C23C14/34

CPC分类号： C23C14/3414 ,  C04B35/547 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/408 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/963