公开(公告)号：TW201814775A

公开(公告)日：2018-04-16

申请号：TW106124107

申请日：2017-07-19

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

Inventor： 莊 學理 ,  CHUANG, HARRY-HAK-LAY ,  王宏烵 ,  WANG, HUNG CHO ,  翁烔城 ,  ONG, TONG-CHERN ,  朱文定 ,  CHU, WEN-TING ,  廖鈺文 ,  LIAO, YU-WEN ,  沈桂弘 ,  SHEN, KUEI-HUNG ,  杜國源 ,  TU, KUO-YUAN ,  黃勝煌 ,  HUANG, SHENG-HUANG

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1608

Abstract: 本揭露係關於一種製造一記憶體裝置之方法。該方法藉由在一基板上方形成一層間介電(ILD)層且在該ILD層上方之一介電保護層內形成一開口而執行。在該開口內及該介電保護層上方形成一底部電極層。對該底部電極層執行一化學機械平坦化(CMP)製程以形成一底部電極結構，該底部電極結構具有一平坦上表面及從該底部電極結構之一下表面向外突出至該開口內之一凸出部。在該底部電極結構上方形成一記憶體元件且在該記憶體元件上方形成一頂部電極。

Abstract in simplified Chinese: 本揭露系关于一种制造一内存设备之方法。该方法借由在一基板上方形成一层间介电(ILD)层且在该ILD层上方之一介电保护层内形成一开口而运行。在该开口内及该介电保护层上方形成一底部电极层。对该底部电极层运行一化学机械平坦化(CMP)制程以形成一底部电极结构，该底部电极结构具有一平坦上表面及从该底部电极结构之一下表面向外突出至该开口内之一凸出部。在该底部电极结构上方形成一内存组件且在该内存组件上方形成一顶部电极。

公开(公告)号：TWI621122B

公开(公告)日：2018-04-11

申请号：TW106106805

申请日：2017-03-02

Applicant: 超捷公司 ,  SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC. ,  新加坡科技研究局 ,  AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH

Inventor： 周峰 ,  ZHOU, FENG ,  呂祥 ,  LIU, XIAN ,  陳 曉萬 ,  TRAN, HIEU VAN ,  阮 雄國 ,  NGUYEN, HUNG QUOC ,  杜 恩漢 ,  DO, NHAN ,  萊坦 馬克 ,  REITEN, MARK ,  陳 志賢 ,  CHEN, ZHIXIAN ,  王 新朋 ,  WANG, XINPENG ,  盧 國強 ,  LO, GUO-QIANG

IPC: G11C13/00 ,  H01L45/00

CPC classification number: G11C13/0007 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/16

公开(公告)号：TWI620357B

公开(公告)日：2018-04-01

申请号：TW102146176

申请日：2013-12-13

Applicant: 馬維爾國際貿易有限公司 ,  MARVELL WORLD TRADE LTD.

Inventor： 蘇塔亞 潘塔司 ,  SUTARDJA, PANTAS ,  吳 艾伯特 ,  WU, ALBERT ,  常潤滋 ,  CHANG, RUNZI ,  李 溫士頓 ,  LEE, WINSTON ,  李 彼得 ,  LEE, PETER

IPC: H01L45/00 ,  H01L49/02

CPC classification number: H01L45/04 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1675

公开(公告)号：TW201810749A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：TW105129127

申请日：2016-09-08

Applicant: 聯華電子股份有限公司 ,  UNITED MICROELECTRONICS CORP.

Inventor： 易亮 ,  YI, LIANG ,  許加慶 ,  HSU, CHIA-CHING ,  王獻德 ,  WANG, SHEN-DE ,  陳克基 ,  CHEN, KO-CHI ,  杜 國安 ,  DU, GUOAN

IPC: H01L45/00 ,  H01L21/28 ,  G11C13/00

CPC classification number: H01L27/2436 ,  H01L21/76877 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1608 ,  H01L45/1675 ,  H01L45/1683

Abstract: 本發明提供一半導體元件，包含一接觸結構，位於一第一介電層中，一第二介電層，位於該第一介電層上，且該第二介電層包含有一開口，一側壁子，位於該開口內，且部分覆蓋該接觸結構，一可變電阻式記憶體(Resistive random-access memory, RRAM)，至少位於該接觸結構上，並且直接接觸該側壁子，其中該RRAM包含有一下電極、一上電極以及一可變電阻層(switching resistance layer)位於該下電極以及該上電極之間。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一半导体组件，包含一接触结构，位于一第一介电层中，一第二介电层，位于该第一介电层上，且该第二介电层包含有一开口，一侧壁子，位于该开口内，且部分覆盖该接触结构，一可变电阻式内存(Resistive random-access memory, RRAM)，至少位于该接触结构上，并且直接接触该侧壁子，其中该RRAM包含有一下电极、一上电极以及一可变电阻层(switching resistance layer)位于该下电极以及该上电极之间。

公开(公告)号：TW201802815A

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：TW105123379

申请日：2016-07-25

Applicant: 旺宏電子股份有限公司 ,  MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.

Inventor： 林昱佑 ,  LIN, YU-YU ,  李峰旻 ,  LEE, FENG-MIN

IPC: G11C13/00 ,  H01L27/24 ,  H01L45/00

CPC classification number: G11C13/0069 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0023 ,  G11C13/0026 ,  G11C13/0097 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/79 ,  G11C2213/82 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/16

Abstract: 本發明提出一種記憶體架構，其改善了針對可編程電阻值記憶胞寫入資料的雙極性電流方向操作的可控性，該記憶體架構包括基於金屬氧化物記憶體材料的ReRAM記憶胞。取代對特定解碼器電晶體或胞選擇裝置施加固定的閘極電壓，控制電壓的值係設定解碼器電晶體或胞選擇裝置針對某一電流方向操作在完全開啟模式，並針對相反的電流方向操作在電流調節模式。利用此技術，可允許在兩電流方向上進行對稱或接近對稱的操作，並僅對陣列的複雜度造成些微影響甚至完全不造成影響。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提出一种内存架构，其改善了针对可编程电阻值记忆胞写入数据的双极性电流方向操作的可控性，该内存架构包括基于金属氧化物内存材料的ReRAM记忆胞。取代对特定译码器晶体管或胞选择设备施加固定的闸极电压，控制电压的值系设置译码器晶体管或胞选择设备针对某一电流方向操作在完全打开模式，并针对相反的电流方向操作在电流调节模式。利用此技术，可允许在两电流方向上进行对称或接近对称的操作，并仅对数组的复杂度造成些微影响甚至完全不造成影响。

公开(公告)号：TWI611403B

公开(公告)日：2018-01-11

申请号：TW104136492

申请日：2015-11-05

Applicant: 惠普發展公司有限責任合夥企業 ,  HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L. P.

Inventor： 葛 寧 ,  GE, NING ,  阮 文森 ,  NGUYEN, VINCENT ,  楊錦華 ,  YANG, JIANHUA ,  華 券 ,  HUA, CHANH ,  華納 莉迪亞 ,  WARNES, LIDIA ,  福吉 大衛B ,  FUJII, DAVID B.

IPC: G11C13/00 ,  H05K1/11

CPC classification number: H01L27/2463 ,  G11C2213/77 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1608 ,  H05K1/16 ,  H05K1/167 ,  H05K3/061 ,  H05K3/4685 ,  H05K2201/10159

公开(公告)号：TW201800602A

公开(公告)日：2018-01-01

申请号：TW106105049

申请日：2017-02-16

Applicant: ARM股份有限公司 ,  ARM LIMITED

Inventor： 艾洛喬 卡羅斯 ,  ARAUJO, CARLOS ,  斯林史卡 喬蘭塔 ,  CELINSKA, JOLANTA ,  瑞德 金佰利 ,  REID, KIMBERLY ,  席芙蘭 露西安 ,  SHIFREN, LUCIAN

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/52 ,  H01L45/00 ,  G11C11/56

CPC classification number: H01L45/145 ,  C23C14/085 ,  C23C16/308 ,  C23C16/406 ,  C23C16/45527 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1608 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1641

Abstract: 本文所揭示之標的可關於相關電子材料之製造，該等相關電子材料例如用以執行轉換功能。在實施例中，氣體形式之前驅物可用於在腔室中以製造包含各種阻抗特性之相關電子材料膜。

Abstract in simplified Chinese: 本文所揭示之标的可关于相关电子材料之制造，该等相关电子材料例如用以运行转换功能。在实施例中，气体形式之前驱物可用于在腔室中以制造包含各种阻抗特性之相关电子材料膜。

公开(公告)号：TW201800595A

公开(公告)日：2018-01-01

申请号：TW106102828

申请日：2017-01-25

Applicant: ARM股份有限公司 ,  ARM LIMITED

Inventor： 瑞德 金柏莉 ,  REID, KIMBERLY ,  艾洛喬 卡羅斯 ,  ARAUJO, CARLOS ,  席芙蘭 露西安 ,  SHIFREN, LUCIAN

IPC: C23C16/18 ,  H01L45/00

CPC classification number: H01L45/1616 ,  C23C14/085 ,  C23C16/406 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/56 ,  G11C11/5678 ,  H01L45/04 ,  H01L45/122 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1641

Abstract: 本文所揭示之標的可係關於（例如）用以進行轉換功能之相關電子材料之製造。在實施例中，相關電子材料可包含主導配位體及可取代配位體，此可在相關電子材料中允許電子給予及逆給予。電子給予及逆給予可使相關電子材料呈現從高阻抗/絕緣狀態至低阻抗導電狀態之轉變。

Abstract in simplified Chinese: 本文所揭示之标的可系关于（例如）用以进行转换功能之相关电子材料之制造。在实施例中，相关电子材料可包含主导配位体及可取代配位体，此可在相关电子材料中允许电子给予及逆给予。电子给予及逆给予可使相关电子材料呈现从高阻抗/绝缘状态至低阻抗导电状态之转变。

公开(公告)号：TWI609513B

公开(公告)日：2017-12-21

申请号：TW105123316

申请日：2016-07-22

Applicant: 美光科技公司 ,  MICRON TECHNOLOGY, INC.

Inventor： 西利士 史考特E ,  SILLS, SCOTT E. ,  拉瑪斯瓦米 杜來 維莎卡 尼爾摩 ,  RAMASWAMY, DURAI VISHAK NIRMAL

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

CPC classification number: H01L45/065 ,  G11C11/221 ,  H01L27/11507 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/16

公开(公告)号：TW201743482A

公开(公告)日：2017-12-16

申请号：TW105141494

申请日：2016-12-15

Applicant: 三星電子股份有限公司 ,  SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

Inventor： 鄭智賢 ,  JEONG, JI-HYUN ,  李鎭宇 ,  LEE, JIN-WOO ,  高寬協 ,  KOH, GWAN-HYEOB ,  姜大煥 ,  KANG, DAE-HWAN

IPC: H01L45/00

CPC classification number: H01L45/144 ,  H01L27/2427 ,  H01L27/2463 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/141 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1675 ,  H01L45/1683

Abstract: 本發明提供一種記憶體裝置及其製造方法。所述記憶體裝置的記憶體胞元被形成為與第一電極線及第二電極線分隔開，其中位於記憶體胞元之上的第二電極線是藉由鑲嵌製程形成，進而避免與對位於記憶體胞元之上的絕緣層執行的化學機械研磨過量或不充足相關聯的併發問題。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种内存设备及其制造方法。所述内存设备的内存胞元被形成为与第一电极线及第二电极线分隔开，其中位于内存胞元之上的第二电极线是借由镶嵌制程形成，进而避免与对位于内存胞元之上的绝缘层运行的化学机械研磨过量或不充足相关联的并发问题。