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公开(公告)号：TWI622160B
公开(公告)日：2018-04-21
申请号：TW103129823
申请日：2014-08-29
申请人： 愛思開海力士有限公司 , SK HYNIX INC.
发明人： 李態浩 , LEE, TAE HO
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/41758 , H01L21/28273 , H01L27/11519 , H01L27/11521 , H01L29/42328 , H01L29/42332 , H01L29/788 , H01L29/7887
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公开(公告)号：TWI618072B
公开(公告)日：2018-03-11
申请号：TW106101257
申请日：2017-01-13
发明人： 黃智揚 , HUANG, CHIH YANG , 古惟銘 , KU, WEI MING
IPC分类号： G11C16/10
CPC分类号： G11C16/12 , G11C7/065 , G11C7/10 , G11C7/12 , G11C7/22 , G11C8/10 , G11C16/0408 , G11C16/0433 , G11C16/0458 , G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/14 , G11C16/16 , G11C16/24 , G11C16/26 , G11C16/30 , H01L23/528 , H01L27/0207 , H01L27/11517 , H01L27/11519 , H01L27/11521 , H01L27/11524 , H01L27/11526 , H01L27/11558 , H01L27/1203 , H01L29/0649 , H01L29/0847 , H01L29/1095 , H01L29/42328
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公开(公告)号：TWI613654B
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW106113346
申请日：2017-04-21
发明人： 羅俊元 , LO, CHUN-YUAN , 王世辰 , WANG, SHIH-CHEN , 景文澔 , CHING, WEN-HAO
IPC分类号： G11C16/02
CPC分类号： G11C16/12 , G11C7/065 , G11C7/10 , G11C7/12 , G11C7/22 , G11C8/10 , G11C16/0408 , G11C16/0433 , G11C16/0458 , G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/14 , G11C16/16 , G11C16/24 , G11C16/26 , G11C16/30 , H01L23/528 , H01L27/0207 , H01L27/11517 , H01L27/11519 , H01L27/11521 , H01L27/11524 , H01L27/11526 , H01L27/11558 , H01L27/1203 , H01L29/0649 , H01L29/0847 , H01L29/1095 , H01L29/42328
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公开(公告)号：TW201803030A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW106119372
申请日：2015-01-09
发明人： 坂本涉 , SAKAMOTO,WATARU , 鈴木亮太 , SUZUKI,RYOTA , 岡本達也 , OKAMOTO,TATSUYA , 加藤龍也 , KATO,TATSUYA , 荒井史隆 , ARAI,FUMITAKA
IPC分类号： H01L21/8239 , H01L21/98 , H01L27/115
CPC分类号： H01L27/11556 , G11C16/0408 , G11C16/24 , G11C16/30 , H01L23/528 , H01L27/11519 , H01L29/0649 , H01L29/66825 , H01L29/7926
摘要： 根據一項實施例，一種半導體記憶體裝置包括：一基板；一半導體支柱，其提供於該基板上以在一垂直方向上延伸；複數個第一電極膜，其提供於該半導體支柱側方以在一第一方向上延伸。該複數個第一電極膜經安置為沿著該垂直方向彼此分離。該半導體記憶體裝置進一步包括提供於該半導體支柱與該等第一電極膜之間的複數個第二電極膜。該複數個第二電極膜經安置為沿著該垂直方向彼此分離。該半導體記憶體裝置進一步包括：提供於該半導體支柱與該等第二電極膜之間的一第一絕緣膜；及提供於該第二電極膜與該第一電極膜之間的一第二絕緣膜。
简体摘要： 根据一项实施例，一种半导体内存设备包括：一基板；一半导体支柱，其提供于该基板上以在一垂直方向上延伸；复数个第一电极膜，其提供于该半导体支柱侧方以在一第一方向上延伸。该复数个第一电极膜经安置为沿着该垂直方向彼此分离。该半导体内存设备进一步包括提供于该半导体支柱与该等第一电极膜之间的复数个第二电极膜。该复数个第二电极膜经安置为沿着该垂直方向彼此分离。该半导体内存设备进一步包括：提供于该半导体支柱与该等第二电极膜之间的一第一绝缘膜；及提供于该第二电极膜与该第一电极膜之间的一第二绝缘膜。
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公开(公告)号：TWI611574B
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：TW102135662
申请日：2013-10-02
申请人： 愛思開海力士有限公司 , SK HYNIX INC.
发明人： 李起洪 , LEE, KI HONG , 皮昇浩 , PYI, SEUNG HO , 賓真戶 , BIN, JIN HO
CPC分类号： H01L23/53238 , H01L21/764 , H01L21/76816 , H01L21/7682 , H01L21/76877 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L23/53266 , H01L27/11517 , H01L27/11519 , H01L27/11556 , H01L27/11563 , H01L27/11565 , H01L27/11582 , H01L29/66825 , H01L29/66833 , H01L29/7889 , H01L29/7926 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
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公开(公告)号：TWI606576B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：TW104136616
申请日：2015-11-06
发明人： 吳常明 , WU, CHANG MING , 劉世昌 , LIU, SHIH CHANG
IPC分类号： H01L27/11517 , H01L27/115
CPC分类号： H01L27/11548 , H01L21/28273 , H01L27/11519 , H01L27/11521 , H01L27/11526 , H01L29/42328 , H01L29/66825
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公开(公告)号：TWI604453B
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：TW104137195
申请日：2015-11-11
发明人： 陳 曉萬 , TRAN, HIEU VAN , 阮 雄國 , NGUYEN, HUNG QUOC , 杜 恩漢 , DO, NHAN
IPC分类号： G11C16/10
CPC分类号： H01L27/11526 , G11C16/0408 , G11C16/14 , G11C16/26 , H01L27/11519 , H01L27/11521 , H01L29/42328 , H01L29/7881
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公开(公告)号：TW201735327A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW105141703
申请日：2016-12-16
申请人： 東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人： 山田有紀 , YAMADA, YUKI
IPC分类号： H01L27/115
CPC分类号： H01L27/11556 , H01L21/31144 , H01L21/32139 , H01L23/528 , H01L27/11519 , H01L27/11565 , H01L27/1157 , H01L27/11582
摘要： 根據一個實施例，一種半導體記憶裝置包括：堆疊本體，其包括沿著第一方向堆疊且彼此隔開之複數個電極膜；複數個柱狀結構，其在該第一方向上延伸、刺穿該堆疊本體且包括半導體層；電荷儲存膜，其提供於該等柱狀結構中之一者與該等電極膜之間；及絕緣膜，其分隔安置在該堆疊本體之上部部分中之該等電極膜中之一者，且不分隔安置在該堆疊本體之下部部分中之該等電極膜中之另一者。安置在該絕緣膜之一側上之該等柱狀結構之間的最短距離短於以在該等柱狀結構之間插置有該絕緣膜之方式安置之柱狀結構之間的最短距離。
简体摘要： 根据一个实施例，一种半导体记忆设备包括：堆栈本体，其包括沿着第一方向堆栈且彼此隔开之复数个电极膜；复数个柱状结构，其在该第一方向上延伸、刺穿该堆栈本体且包括半导体层；电荷存储膜，其提供于该等柱状结构中之一者与该等电极膜之间；及绝缘膜，其分隔安置在该堆栈本体之上部部分中之该等电极膜中之一者，且不分隔安置在该堆栈本体之下部部分中之该等电极膜中之另一者。安置在该绝缘膜之一侧上之该等柱状结构之间的最短距离短于以在该等柱状结构之间插置有该绝缘膜之方式安置之柱状结构之间的最短距离。
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公开(公告)号：TW201731029A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW105143172
申请日：2016-12-26
发明人： 劉鍵炫 , LIU, CHIEN-HSUAN , 莊強名 , CHUANG, CHIANG-MING , 李智銘 , LEE, CHIH-MING , 陳信吉 , CHEN, HSIN-CHI , 廖宏哲 , LIAO, HUNG-CHE , 莊坤蒼 , CHUANG, KUN-TSANG , 盤家銘 , PAN, CHIA-MING
IPC分类号： H01L21/8239 , H01L27/105
CPC分类号： H01L27/11521 , H01L21/28273 , H01L21/32135 , H01L27/11519 , H01L27/11531 , H01L29/42328 , H01L29/66825 , H01L29/7883
摘要： 闡述一種製造非揮發性記憶體的方法。提供包括第一區及位於所述第一區的周邊處的第二區的基底。在基底的第一區上形成多個堆疊結構。在基底的第二區上形成壁結構。在基底上形成導電層。在導電層上形成底部抗反射塗層。回蝕底部抗反射塗層及導電層以及圖案化導電層。
简体摘要： 阐述一种制造非挥发性内存的方法。提供包括第一区及位于所述第一区的周边处的第二区的基底。在基底的第一区上形成多个堆栈结构。在基底的第二区上形成壁结构。在基底上形成导电层。在导电层上形成底部抗反射涂层。回蚀底部抗反射涂层及导电层以及图案化导电层。
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公开(公告)号：TW201727651A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105121411
申请日：2016-07-06
发明人： 柏正豪 , PO, CHEN HAO
CPC分类号： G11C16/12 , G11C7/065 , G11C7/10 , G11C7/12 , G11C7/22 , G11C8/10 , G11C16/0408 , G11C16/0433 , G11C16/0458 , G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/14 , G11C16/16 , G11C16/24 , G11C16/26 , G11C16/30 , H01L23/528 , H01L27/0207 , H01L27/11517 , H01L27/11519 , H01L27/11521 , H01L27/11524 , H01L27/11526 , H01L27/11558 , H01L27/1203 , H01L29/0649 , H01L29/0847 , H01L29/1095 , H01L29/42328
摘要： 一種電壓切換電路，連接至一非揮發性記憶體的一記憶胞。於該非揮發性記憶體的一編程模式且該記憶胞為一選定記憶胞時，於二輸出端皆提供一高電壓。於該非揮發性記憶體的該編程模式且該記憶胞為一未選定記憶胞時，於二輸出端提供一中間電壓與一接地電壓。於該非揮發性記憶體的一抹除模式且該記憶胞為該選定記憶胞時，於二輸出端提供該高電壓與該接地電壓。於該非揮發性記憶體的該抹除模式且該記憶胞為該未選定記憶胞時，於二輸出端提供該接地電壓。於一讀取模式時，於二輸出端皆提供一讀取電壓。
简体摘要： 一种电压切换电路，连接至一非挥发性内存的一记忆胞。于该非挥发性内存的一编程模式且该记忆胞为一选定记忆胞时，于二输出端皆提供一高电压。于该非挥发性内存的该编程模式且该记忆胞为一未选定记忆胞时，于二输出端提供一中间电压与一接地电压。于该非挥发性内存的一抹除模式且该记忆胞为该选定记忆胞时，于二输出端提供该高电压与该接地电压。于该非挥发性内存的该抹除模式且该记忆胞为该未选定记忆胞时，于二输出端提供该接地电压。于一读取模式时，于二输出端皆提供一读取电压。
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