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公开(公告)号：TW200917594A
公开(公告)日：2009-04-16
申请号：TW097146970
申请日：2006-12-04
IPC分类号： H01R
摘要： 本發明的目的係為了要緩和從放電管用連接器傳達到引線的應力,並防止引線與玻璃管之間發生龜裂。金屬製的放電管用連接器具備有:筒體(1)、及從筒體(1)的其中一端(1a)向筒體(1)的軸方向外側延伸之帶狀的導出部(3)、從導出部(3)的前端(3a)開始彎曲形成之突起部(4);在構成放電管(20)之玻璃管(21)的端部(21a)安裝筒體(1)時,從玻璃管(21)的端部(21a)開始延伸的引線(22),被配置在突起部(4)的貫穿孔或是缺口部(13)內。形成為帶狀又具有彈力之導出部(3)和突起部(4),從筒體(1)承受到應力時容易變形,透過導出部(3)來緩和從筒體(1)傳達到引線(22)的應力。
简体摘要： 本发明的目的系为了要缓和从放电管用连接器传达到引线的应力,并防止引线与玻璃管之间发生龟裂。金属制的放电管用连接器具备有:筒体(1)、及从筒体(1)的其中一端(1a)向筒体(1)的轴方向外侧延伸之带状的导出部(3)、从导出部(3)的前端(3a)开始弯曲形成之突起部(4);在构成放电管(20)之玻璃管(21)的端部(21a)安装筒体(1)时,从玻璃管(21)的端部(21a)开始延伸的引线(22),被配置在突起部(4)的贯穿孔或是缺口部(13)内。形成为带状又具有弹力之导出部(3)和突起部(4),从筒体(1)承受到应力时容易变形,透过导出部(3)来缓和从筒体(1)传达到引线(22)的应力。
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公开(公告)号：TWI305944B
公开(公告)日：2009-02-01
申请号：TW091121033
申请日：2002-09-13
发明人： 櫻田將義 , 平田昭彥 , 岩昭夫 , 金子修一 SYUUICHI KANEKO
IPC分类号： H01L
摘要： 本發明之課題為:很難在接觸電阻低的狀態下,容易形成半導體元件之接觸電極。其解決手段為:在半導體基體10的表面上形成蝕刻率不同的第1、第2及第3絕緣膜11a或者11a'、11b或者11b'、12。利用蝕刻率的不同,貫穿第3絕緣膜12地形成第1孔14。加熱第3絕緣膜12,使第1孔14變形為漏斗狀孔14a。蝕刻第1及第2絕緣膜11a、11a'、11b或者11b',形成連接於漏斗狀孔14a之第2孔15,使半導體基體10的表面露出。在由漏斗狀孔14a與第2孔15所形成之接觸開口16形成階梯覆蓋率良好的電極17。
简体摘要： 本发明之课题为:很难在接触电阻低的状态下,容易形成半导体组件之接触电极。其解决手段为:在半导体基体10的表面上形成蚀刻率不同的第1、第2及第3绝缘膜11a或者11a'、11b或者11b'、12。利用蚀刻率的不同,贯穿第3绝缘膜12地形成第1孔14。加热第3绝缘膜12,使第1孔14变形为漏斗状孔14a。蚀刻第1及第2绝缘膜11a、11a'、11b或者11b',形成连接于漏斗状孔14a之第2孔15,使半导体基体10的表面露出。在由漏斗状孔14a与第2孔15所形成之接触开口16形成阶梯覆盖率良好的电极17。
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公开(公告)号：TWI305425B
公开(公告)日：2009-01-11
申请号：TW093131987
申请日：2004-10-21
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L21/42 , H01L33/46
摘要： 本發明之課題為,半導體發光元件的發光效率不易提昇。
本發明之解決手段為,半導體發光元件(1)具有半導體區域(2),而該半導體區域(2)包括:n型半導體層(15)、和活性層(16)、和p型半導體層(17)、和第1、第2及第3輔助層(13)、(14)(18)、和歐姆接觸層(19)。在半導體區域(2)具有光取出面功能之一邊主面(11)的中央,連接陰極電極(8)。在半導體區域(2)的另一邊主面(12),介著具有導電性的光透過膜(3)與金屬光反射膜(4)結合。在金屬光反射膜(4)上,介著第1及第2接合金屬層(5)(6,與矽支持基板(7)結合。矽支持基板(7)上連接有陽極電極(9)。光透過膜(3)得以抑制金屬光反射膜(4)和半導體區域(2)之間的合金化。藉此構成,金屬光反射膜(4)的反射率可保持優良,且陰極電極(8)和陽極電極(9)之間的順向電壓可降低。简体摘要： 本发明之课题为,半导体发光组件的发光效率不易提升。 本发明之解决手段为,半导体发光组件(1)具有半导体区域(2),而该半导体区域(2)包括:n型半导体层(15)、和活性层(16)、和p型半导体层(17)、和第1、第2及第3辅助层(13)、(14)(18)、和欧姆接触层(19)。在半导体区域(2)具有光取出面功能之一边主面(11)的中央,连接阴极电极(8)。在半导体区域(2)的另一边主面(12),介着具有导电性的光透过膜(3)与金属光反射膜(4)结合。在金属光反射膜(4)上,介着第1及第2接合金属层(5)(6,与硅支持基板(7)结合。硅支持基板(7)上连接有阳极电极(9)。光透过膜(3)得以抑制金属光反射膜(4)和半导体区域(2)之间的合金化。借此构成,金属光反射膜(4)的反射率可保持优良,且阴极电极(8)和阳极电极(9)之间的顺向电压可降低。
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公开(公告)号：TWI300577B
公开(公告)日：2008-09-01
申请号：TW094111360
申请日：2005-04-11
IPC分类号： H01J
CPC分类号： G02B6/0071 , H01J61/33
摘要： 本發明之課題在於,增加管電流的電流密度並提高放電管的發光亮度。
本發明之解決手段為一種放電管,於該放電管1當中設置燈管2,該燈管2係具備,配置有電極4且具備圓形環狀剖面之兩端部2a;及以非圓形環狀剖面而形成於兩端部2a之間,且徑方向的剖面積較兩端部2a還小之中間部2b;及連接兩端部2a與中間部2b之連接部2c。由於非圓形環狀剖面的中間部2b的剖面積,較圓形環狀剖面的兩端部2a還小,因此在電極4之間流通於中間部2b之管電流的電流密度,可較以往的燈管還增加,而可提升放電管1的發光亮度。此外,由於可在圓形環狀剖面的兩端
部2a內配置以往之圓形剖面的電極4,因此可使用較為低價且為一般之圓形剖面的電極4。简体摘要： 本发明之课题在于,增加管电流的电流密度并提高放电管的发光亮度。 本发明之解决手段为一种放电管,于该放电管1当中设置灯管2,该灯管2系具备,配置有电极4且具备圆形环状剖面之两端部2a;及以非圆形环状剖面而形成于两端部2a之间,且径方向的剖面积较两端部2a还小之中间部2b;及连接两端部2a与中间部2b之连接部2c。由于非圆形环状剖面的中间部2b的剖面积,较圆形环状剖面的两端部2a还小,因此在电极4之间流通于中间部2b之管电流的电流密度,可较以往的灯管还增加,而可提升放电管1的发光亮度。此外,由于可在圆形环状剖面的两端 部2a内配置以往之圆形剖面的电极4,因此可使用较为低价且为一般之圆形剖面的电极4。
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公开(公告)号：TW200824151A
公开(公告)日：2008-06-01
申请号：TW096126033
申请日：2007-07-17
IPC分类号： H01L
摘要： 本發明之發光效率高的半導體發光元件係具備:發光半導體區域、電流分散半導體層3、第1電極4及第2電極。複數的凹部13係形成於複數的第1假想直線A上,其係平面上來看,係由第1電極4的周緣朝向電流分散半導體層3的主面12的周緣來延伸;凹部並未形成於複數的第2假想直線B上,其係由第1電極4的周緣朝向電流分散半導體層3的主面12的周緣來延伸。對應至電流分散半導體層3的第2假想直線B之部分,其機能係作為用以使電流流至電流分散半導體層3的外周方向的通路,並且發光效率係提昇。
简体摘要： 本发明之发光效率高的半导体发光组件系具备:发光半导体区域、电流分散半导体层3、第1电极4及第2电极。复数的凹部13系形成于复数的第1假想直线A上,其系平面上来看,系由第1电极4的周缘朝向电流分散半导体层3的主面12的周缘来延伸;凹部并未形成于复数的第2假想直线B上,其系由第1电极4的周缘朝向电流分散半导体层3的主面12的周缘来延伸。对应至电流分散半导体层3的第2假想直线B之部分,其机能系作为用以使电流流至电流分散半导体层3的外周方向的通路,并且发光效率系提升。
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6.发明专利放電管用連接器,具連接器之放電管及面光源裝置 CONNECTOR FOR CCFL, CCFL WITH CONNECTOR AND SURFACE LIGHT SOURCE DEVICE 失效放电管用连接器,具连接器之放电管及面光源设备 CONNECTOR FOR CCFL, CCFL WITH CONNECTOR AND SURFACE LIGHT SOURCE DEVICE
公开(公告)号：TW200746568A
公开(公告)日：2007-12-16
申请号：TW095144984
申请日：2006-12-04
IPC分类号： H01R
摘要： 本發明的目的係為了要緩和從放電管用連接器傳達到引線的應力,並防止引線與玻璃管之間發生龜裂。金屬製的放電管用連接器具備有:筒體(1)、及從筒體(1)的其中一端(1a)向筒體(1)的軸方向外側延伸之帶狀的導出部(3)、從導出部(3)的前端(3a)開始彎曲形成之突起部(4);在構成放電管(20)之玻璃管(21)的端部(21a)安裝筒體(1)時,從玻璃管(21)的端部(21a)開始延伸的引線(22),被配置在突起部(4)的貫穿孔或是缺口部(13)內。形成為帶狀又具有彈力之導出部(3)和突起部(4),從筒體(1)承受到應力時容易變形,透過導出部(3)來緩和從筒體(1)傳達到引線(22)的應力。
简体摘要： 本发明的目的系为了要缓和从放电管用连接器传达到引线的应力,并防止引线与玻璃管之间发生龟裂。金属制的放电管用连接器具备有:筒体(1)、及从筒体(1)的其中一端(1a)向筒体(1)的轴方向外侧延伸之带状的导出部(3)、从导出部(3)的前端(3a)开始弯曲形成之突起部(4);在构成放电管(20)之玻璃管(21)的端部(21a)安装筒体(1)时,从玻璃管(21)的端部(21a)开始延伸的引线(22),被配置在突起部(4)的贯穿孔或是缺口部(13)内。形成为带状又具有弹力之导出部(3)和突起部(4),从筒体(1)承受到应力时容易变形,透过导出部(3)来缓和从筒体(1)传达到引线(22)的应力。
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公开(公告)号：TWI289367B
公开(公告)日：2007-11-01
申请号：TW095100183
申请日：2006-01-03
发明人： 佐藤純治 SATO, JUNJI , 田未來雄 TAZIMA, MIKIO , 哲次 MOKU, TETSUJI , 丹羽愛玲 NIWA, AREI , 神井康宏 KAMII, YASUHIRO
CPC分类号： H01L27/15 , H01L23/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 複合半導體裝置具有發光元件部1及保護元件部2。發光元件部1由p型半導體基板3、發光半導體區域7、及第1及第2電極8、9構成。保護元件部2由p型半導體基板3之外周部分及發光半導體區域7之側面17上介由絕緣膜10被配置的n型半導體薄膜11構成。n型半導體薄膜11係與p型半導體基板3呈pn接觸形成保護二極體。依此則，可達成具有發光元件與保護元件之複合半導體裝置之小型化。
简体摘要： 复合半导体设备具有发光组件部1及保护组件部2。发光组件部1由p型半导体基板3、发光半导体区域7、及第1及第2电极8、9构成。保护组件部2由p型半导体基板3之外周部分及发光半导体区域7之侧面17上介由绝缘膜10被配置的n型半导体薄膜11构成。n型半导体薄膜11系与p型半导体基板3呈pn接触形成保护二极管。依此则，可达成具有发光组件与保护组件之复合半导体设备之小型化。
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公开(公告)号：TWI284429B
公开(公告)日：2007-07-21
申请号：TW094131135
申请日：2005-09-09
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/155 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L29/2003 , H01L29/7783 , H01L33/007 , H01L33/12
摘要： 本發明可提供一種彎曲少的板狀半導體基體。此板狀半導體基體具有矽基板，及用以形成在此矽基板上經由氮化物半導體所構成的緩衝區域(3)來配置的半導體元件的主要部之主半導體區域。緩衝區域(3)是以多層構造的複數個第1緩衝區域(9)和單層構造的複數個第2緩衝區域(10)的交互積層體來形成。在第2緩衝區域(10)中含有空隙(15)。藉由在多層構造的第1緩衝區域(9)的相互間配置具有空隙(15)的第2緩衝區域(10)，可改善半導體基體的彎曲，以及半導體區域的結晶性。
简体摘要： 本发明可提供一种弯曲少的板状半导体基体。此板状半导体基体具有硅基板，及用以形成在此硅基板上经由氮化物半导体所构成的缓冲区域(3)来配置的半导体组件的主要部之主半导体区域。缓冲区域(3)是以多层构造的复数个第1缓冲区域(9)和单层构造的复数个第2缓冲区域(10)的交互积层体来形成。在第2缓冲区域(10)中含有空隙(15)。借由在多层构造的第1缓冲区域(9)的相互间配置具有空隙(15)的第2缓冲区域(10)，可改善半导体基体的弯曲，以及半导体区域的结晶性。
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公开(公告)号：TWI280598B
公开(公告)日：2007-05-01
申请号：TW094123234
申请日：2005-07-08
IPC分类号： H01J
摘要： 本發明的課題是提供當管電流或是放電管的管數增加時，抑制放電管的管壁溫度上升情形之冷陰極螢光放電管裝置。其解決手段：將散熱性較高的材料所形成之管座(1)、及具有利用管座(1)來支撐的兩端部(3)之放電管(2)、及裝配在延伸於放電管(2)的兩端部(3)之間之中間部(4)且緊貼於管座(1)之導熱性的托架(5)，設置在冷陰極螢光放電管裝置。從放電管(2)所產生的熱，是透過托架(5)以及導熱地連接到托架(5)之管座(1)，而導出到外部，阻止放電管(2)的溫度上升。
简体摘要： 本发明的课题是提供当管电流或是放电管的管数增加时，抑制放电管的管壁温度上升情形之冷阴极萤光放电管设备。其解决手段：将散热性较高的材料所形成之管座(1)、及具有利用管座(1)来支撑的两端部(3)之放电管(2)、及装配在延伸于放电管(2)的两端部(3)之间之中间部(4)且紧贴于管座(1)之导热性的托架(5)，设置在冷阴极萤光放电管设备。从放电管(2)所产生的热，是透过托架(5)以及导热地连接到托架(5)之管座(1)，而导出到外部，阻止放电管(2)的温度上升。
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公开(公告)号：TW200625687A
公开(公告)日：2006-07-16
申请号：TW094131135
申请日：2005-09-09
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/155 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L29/2003 , H01L29/7783 , H01L33/007 , H01L33/12
摘要： 本發明可提供一種彎曲少的板狀半導體基體。此板狀半導體基體具有矽基板，及用以形成在此矽基板上經由氮化物半導體所構成的緩衝區域(3)來配置時半導體元件的主要部之主半導體區域。緩衝區域(3)是以多層構造的複數個第1緩衝區域(9)和單層構造的複數個第2緩衝區域(10)的交互積層體來形成。在第2緩衝區域(10)中含有空隙(15)。藉由在多層構造的第1緩衝區域(9)的相互間配置具有空隙(15)的第2緩衝區域(10)，可改善半導體基體的彎曲，以及半導體區域的結晶性。
简体摘要： 本发明可提供一种弯曲少的板状半导体基体。此板状半导体基体具有硅基板，及用以形成在此硅基板上经由氮化物半导体所构成的缓冲区域(3)来配置时半导体组件的主要部之主半导体区域。缓冲区域(3)是以多层构造的复数个第1缓冲区域(9)和单层构造的复数个第2缓冲区域(10)的交互积层体来形成。在第2缓冲区域(10)中含有空隙(15)。借由在多层构造的第1缓冲区域(9)的相互间配置具有空隙(15)的第2缓冲区域(10)，可改善半导体基体的弯曲，以及半导体区域的结晶性。
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