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    用於加工半導體晶圓的方法、控制系統與工廠，以及半導體晶圓
    4.
    发明专利
    用於加工半導體晶圓的方法、控制系統與工廠，以及半導體晶圓 审中-公开
    用于加工半导体晶圆的方法、控制系统与工厂，以及半导体晶圆

    公开(公告)号：TW201910572A

    公开(公告)日：2019-03-16

    申请号：TW107120899

    申请日：2018-06-19

    申请人： 德商世創電子材料公司 ,  SILTRONIC AG

    发明人： 威爾斯雀 史丹芬 ,  WELSCH, STEFAN ,  偉伯 克利斯多福 ,  WEBER, CHRISTOF ,  貝爾 雅克瑟 ,  BEYER, AXEL

    IPC分类号： C30B33/08 ,  C30B29/00 ,  H01L21/02

    摘要： 本發明係關於一種加工半導體晶圓（600）的方法，該方法包括三個加工操作，即：第一拋光操作，其中對半導體晶圓（600）進行雙面拋光；隨後是第二拋光操作，其中對該半導體晶圓（600）進行化學機械拋光；隨後是塗布操作，其中對半導體晶圓（600）進行磊晶沉積一層。本發明還關於一種用於執行該方法的控制系統、一種包括該控制系統之用於加工半導體晶圓的工廠、以及一種半導體晶圓。該方法的特徵在於：用於該三個加工操作中的每個操作的至少一個操作參數係在相應的加工操作中被定義，具體地， 基於在待加工的半導體晶圓上確定的至少一個晶圓參數； 基於用於執行相應加工操作的加工裝置的實際狀態；以及 基於在經歷該三個加工操作之後對用於表徵平坦度的晶圓參數的條件優化，而不是基於在該三個加工操作的每個加工步驟之後對該等晶圓參數的條件優化。

    简体摘要： 本发明系关于一种加工半导体晶圆（600）的方法，该方法包括三个加工操作，即：第一抛光操作，其中对半导体晶圆（600）进行双面抛光；随后是第二抛光操作，其中对该半导体晶圆（600）进行化学机械抛光；随后是涂布操作，其中对半导体晶圆（600）进行磊晶沉积一层。本发明还关于一种用于运行该方法的控制系统、一种包括该控制系统之用于加工半导体晶圆的工厂、以及一种半导体晶圆。该方法的特征在于：用于该三个加工操作中的每个操作的至少一个操作参数系在相应的加工操作中被定义，具体地， 基于在待加工的半导体晶圆上确定的至少一个晶圆参数； 基于用于运行相应加工操作的加工设备的实际状态；以及 基于在经历该三个加工操作之后对用于表征平坦度的晶圆参数的条件优化，而不是基于在该三个加工操作的每个加工步骤之后对该等晶圆参数的条件优化。

    經磊晶塗布的單晶矽半導體晶圓以及其製造方法
    5.
    发明专利
    經磊晶塗布的單晶矽半導體晶圓以及其製造方法 审中-公开
    经磊晶涂布的单晶硅半导体晶圆以及其制造方法

    公开(公告)号：TW201910571A

    公开(公告)日：2019-03-16

    申请号：TW107124439

    申请日：2018-07-16

    申请人： 德商世創電子材料公司 ,  SILTRONIC AG

    发明人： 蕭爾 林哈德 ,  SCHAUER, REINHARD ,  哈伯卻特 約格 ,  HABERECHT, JOERG

    IPC分类号： C30B29/06 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02

    摘要： 本發明關於一種直徑不小於300毫米的單晶矽半導體晶圓，以及製造經塗布的單晶矽半導體晶圓的方法。該半導體晶圓包括單晶矽基板晶圓以及在該基板晶圓上之含有摻雜劑的單晶矽磊晶層，其中該磊晶層的厚度不均勻性為不大於0.5％，且該磊晶層的比電阻不均勻性為不大於2％。

    简体摘要： 本发明关于一种直径不小于300毫米的单晶硅半导体晶圆，以及制造经涂布的单晶硅半导体晶圆的方法。该半导体晶圆包括单晶硅基板晶圆以及在该基板晶圆上之含有掺杂剂的单晶硅磊晶层，其中该磊晶层的厚度不均匀性为不大于0.5％，且该磊晶层的比电阻不均匀性为不大于2％。

    在沉積室中製造具有磊晶層的半導體晶圓的方法、用於製造具有磊晶層的半導體晶圓的設備、及具有磊晶層的半導體晶圓
    9.
    发明专利
    在沉積室中製造具有磊晶層的半導體晶圓的方法、用於製造具有磊晶層的半導體晶圓的設備、及具有磊晶層的半導體晶圓 审中-公开
    在沉积室中制造具有磊晶层的半导体晶圆的方法、用于制造具有磊晶层的半导体晶圆的设备、及具有磊晶层的半导体晶圆

    公开(公告)号：TW201721718A

    公开(公告)日：2017-06-16

    申请号：TW105139026

    申请日：2016-11-28

    申请人： 世創電子材料公司 ,  SILTRONIC AG

    发明人： 慕斯 派翠克 ,  MOOS, PATRICK ,  蕭爾 林哈德 ,  SCHAUER, REINHARD

    IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/67

    CPC分类号： H01L21/67201 ,  C30B25/12 ,  H01L21/67346

    摘要： 在沉積室中製造具有磊晶層的半導體晶圓的方法，用於製造具有磊晶層的半導體晶圓的設備，及具有磊晶層的半導體晶圓。該方法包含將基板晶圓以基板晶圓的後側的邊緣區域放置到基座的放置區上； 藉由接觸該基座並將該基座及位於該基座上的基板晶圓從裝載鎖定室傳送到該沉積室中，使該沉積室裝載該基座及位於該基座上的基板晶圓； 在該基板晶圓上沉積一磊晶層； 藉由接觸該基座並且將該基座及具有磊晶層的半導體晶圓從該沉積室傳送到該裝載鎖定室中，卸載該沉積室，該半導體晶圓在沉積該磊晶層的過程中已經被製造並且位於該基座上。

    简体摘要： 在沉积室中制造具有磊晶层的半导体晶圆的方法，用于制造具有磊晶层的半导体晶圆的设备，及具有磊晶层的半导体晶圆。该方法包含将基板晶圆以基板晶圆的后侧的边缘区域放置到基座的放置区上； 借由接触该基座并将该基座及位于该基座上的基板晶圆从装载锁定室发送到该沉积室中，使该沉积室装载该基座及位于该基座上的基板晶圆； 在该基板晶圆上沉积一磊晶层； 借由接触该基座并且将该基座及具有磊晶层的半导体晶圆从该沉积室发送到该装载锁定室中，卸载该沉积室，该半导体晶圆在沉积该磊晶层的过程中已经被制造并且位于该基座上。