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    具有優化峰粗糙度的電解銅箔、包含其的電極、包含其的二次電池、及其製造方法
    1.
    发明专利
    具有優化峰粗糙度的電解銅箔、包含其的電極、包含其的二次電池、及其製造方法 审中-公开
    具有优化峰粗糙度的电解铜箔、包含其的电极、包含其的二次电池、及其制造方法

    公开(公告)号：TW201825716A

    公开(公告)日：2018-07-16

    申请号：TW107100167

    申请日：2018-01-03

    Applicant: 南韓商LS美創有限公司 ,  LS MTRON LTD.

    Inventor： 金星玟 ,  KIM, SEUNG MIN

    IPC: C25D3/38 ,  H01M4/13 ,  H01M4/38

    Abstract: 本發明關於提供一種具有優化峰值粗糙度的電解銅箔，以提高二次電池的電容量保留率、包含其的電極、包含其的二次電池、及其製造方法。電解銅箔具有一第一表面和相對於第一表面之一第二表面。其中第一表面和第二表面之的峰值粗糙度(Rp)的範圍為0.36μm至1.69 μm；以及該第一表面和該第二表面之峰值粗糙度的差值小於或等於0.6 μm。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明关于提供一种具有优化峰值粗糙度的电解铜箔，以提高二次电池的电容量保留率、包含其的电极、包含其的二次电池、及其制造方法。电解铜箔具有一第一表面和相对于第一表面之一第二表面。其中第一表面和第二表面之的峰值粗糙度(Rp)的范围为0.36μm至1.69 μm；以及该第一表面和该第二表面之峰值粗糙度的差值小于或等于0.6 μm。

    實質上沒有起皺缺陷的電解銅箔、包含其的電極、包含其的二次電池、及其製造方法
    3.
    发明专利
    實質上沒有起皺缺陷的電解銅箔、包含其的電極、包含其的二次電池、及其製造方法 审中-公开
    实质上没有起皱缺陷的电解铜箔、包含其的电极、包含其的二次电池、及其制造方法

    公开(公告)号：TW201825285A

    公开(公告)日：2018-07-16

    申请号：TW107101278

    申请日：2018-01-12

    Applicant: 南韓商LS美創有限公司 ,  LS MTRON LTD.

    Inventor： 金昇玟 ,  KIM, SEUNG-MIN ,  金善花 ,  JIN, SHAN HUA

    IPC: B32B15/01 ,  H01M4/13 ,  H01M4/38 ,  H01M10/052 ,  C25D7/06 ,  C25D3/38 ,  C25D5/12

    Abstract: 本發明提供實質上沒有起皺缺陷的電解銅箔、包含其的電極、包含其的二次電池、及其製造方法。電解銅箔具有一第一表面和相對於第一表面之一第二表面。該第一表面和該第二表面各具有4.8 至16.1的一輪廓最大比率(profile maximum ratio，PMR)，其中該輪廓最大比率的範圍為4.8 至16.1 (這裡，PMR為表示一最大高度粗糙度（Rmax）與一算術平均粗糙度（Ra）的一比率（Rmax/ /Ra）)；以及該電解銅箔的（220）面的織構係數[TC(220)]的範圍為0.49至1.28，降伏強度的範圍為35 kgf/mm2至58 kgf/mm2，以及重量偏差的範圍為等於小於3%。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明提供实质上没有起皱缺陷的电解铜箔、包含其的电极、包含其的二次电池、及其制造方法。电解铜箔具有一第一表面和相对于第一表面之一第二表面。该第一表面和该第二表面各具有4.8 至16.1的一轮廓最大比率(profile maximum ratio，PMR)，其中该轮廓最大比率的范围为4.8 至16.1 (这里，PMR为表示一最大高度粗糙度（Rmax）与一算术平均粗糙度（Ra）的一比率（Rmax/ /Ra）)；以及该电解铜箔的（220）面的织构系数[TC(220)]的范围为0.49至1.28，降伏强度的范围为35 kgf/mm2至58 kgf/mm2，以及重量偏差的范围为等于小于3%。

    易於加工的電解銅箔、電極、蓄電池、及其製造方法
    4.
    发明专利
    易於加工的電解銅箔、電極、蓄電池、及其製造方法 审中-公开
    易于加工的电解铜箔、电极、蓄电池、及其制造方法

    公开(公告)号：TW201814941A

    公开(公告)日：2018-04-16

    申请号：TW106134727

    申请日：2017-10-11

    Applicant: 南韓商LS美創有限公司 ,  LS MTRON LTD.

    Inventor： 金星玟 ,  KIM, SEUNG MIN

    IPC: H01M4/13 ,  H01M4/62 ,  H01M10/052

    CPC classification number: H01M4/661 ,  C25D1/04 ,  C25D1/20 ,  C25D3/38 ,  C25D3/58 ,  C25D7/00 ,  H01M4/0452 ,  H01M4/0471 ,  H01M4/133 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/667 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0525

    Abstract: 本發明關於提供一種易於加工的電解銅箔、電極、蓄電池、及其製造方法。電解銅箔包含一第一表面、和相對於第一表面之一第二表面、一銅層、和一第一保護層，銅層包含面向第一表面之一無光澤面和面向第二表面之一光澤面；第一保護層設置於銅層之無光澤面上，第二保護層設置於銅層之光澤面上，其中以5 °C/分鐘的速度從30 °C 至 190 °C加熱電解銅箔，使用熱機械分析儀(TMA)量測電解銅箔的熱膨脹係數，熱膨脹係數範圍為16μm/(m·°C) 至 22 μm/(m·°C)；在190 °C的溫度進行1小時的熱處理之後，所測得的拉伸強度範圍為21 kgf/mm2至 36 kgf/mm2；以及電解銅箔的重量偏差為小於或等於5%。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明关于提供一种易于加工的电解铜箔、电极、蓄电池、及其制造方法。电解铜箔包含一第一表面、和相对于第一表面之一第二表面、一铜层、和一第一保护层，铜层包含面向第一表面之一无光泽面和面向第二表面之一光泽面；第一保护层设置于铜层之无光泽面上，第二保护层设置于铜层之光泽面上，其中以5 °C/分钟的速度从30 °C 至 190 °C加热电解铜箔，使用热机械分析仪(TMA)量测电解铜箔的热膨胀系数，热膨胀系数范围为16μm/(m·°C) 至 22 μm/(m·°C)；在190 °C的温度进行1小时的热处理之后，所测得的拉伸强度范围为21 kgf/mm2至 36 kgf/mm2；以及电解铜箔的重量偏差为小于或等于5%。

    具有嵌入式天線之無線通訊晶片、用於無線通訊晶片之嵌入式天線及具有嵌入式天線之無線通訊晶片之製造方法
    6.
    发明专利
    具有嵌入式天線之無線通訊晶片、用於無線通訊晶片之嵌入式天線及具有嵌入式天線之無線通訊晶片之製造方法 审中-公开
    具有嵌入式天线之无线通信芯片、用于无线通信芯片之嵌入式天线及具有嵌入式天线之无线通信芯片之制造方法

    公开(公告)号：TW201911532A

    公开(公告)日：2019-03-16

    申请号：TW107128046

    申请日：2018-08-10

    Applicant: 南韓商LS美創有限公司 ,  LS MTRON LTD.

    Inventor： 金兌炯 ,  KIM, TAE HYUNG ,  李昇勳 ,  LEE, SEUNG HUN ,  阮 氏姮 ,  NGUYEN, HANGNGA ,  韓昇洙 ,  HAN, SEONG SOO ,  金暎昊 ,  KIM, YOUNG HO

    IPC: H01L25/10 ,  H01Q1/22 ,  H01L21/70

    Abstract: 本發明係關於具有嵌入式天線之無線通訊晶片。無線通訊晶片包含基板、無線通訊積體電路以及天線塊。基板包含第一安裝區域以及第二安裝區域。無線通訊積體電路安裝於第一安裝區域。天線塊安裝於第二安裝區域。其中天線塊包含第一天線、寄生元件、連接元件、絕緣層及第二天線。第一天線形成於基板上。寄生元件形成於基板上以與第一天線間隔，並用以引起與第一天線之耦合。連接元件連接於第一天線。絕緣層形成於第一天線、寄生元件以及連接元件上以覆蓋第一天線、寄生元件以及連接元件。第二天線形成於絕緣層且藉由連接元件電性連接第一天線。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于具有嵌入式天线之无线通信芯片。无线通信芯片包含基板、无线通信集成电路以及天线块。基板包含第一安装区域以及第二安装区域。无线通信集成电路安装于第一安装区域。天线块安装于第二安装区域。其中天线块包含第一天线、寄生组件、连接组件、绝缘层及第二天线。第一天线形成于基板上。寄生组件形成于基板上以与第一天线间隔，并用以引起与第一天线之耦合。连接组件连接于第一天线。绝缘层形成于第一天线、寄生组件以及连接组件上以覆盖第一天线、寄生组件以及连接组件。第二天线形成于绝缘层且借由连接组件电性连接第一天线。

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