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    轉移ＩｎＰ薄膜至加強基板上的方法
    7.
    发明专利
    轉移ＩｎＰ薄膜至加強基板上的方法 审中-公开
    转移ＩｎＰ薄膜至加强基板上的方法

    公开(公告)号：TW201415539A

    公开(公告)日：2014-04-16

    申请号：TW102129789

    申请日：2013-08-20

    申请人： 原子能與替代能源委員會 ,  COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

    发明人： 陶立恩 奧瑞利 ,  TAUZIN, AURELIE

    IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/76

    CPC分类号： H01L21/2654 ,  H01L21/76254

    摘要： 本發明涉及用於將InP薄膜轉移到加強基板上的方法，該方法包括由以下組成的步驟：a)提供一種結構，其包括InP表面層和在下面的摻雜InP薄層；b)通過表面層注入氫離子以在摻雜薄層中產生弱化平面，從而劃界包括表面層的薄膜；c)使表面層緊密接觸加強基板而設置；以及d)施加熱處理以在弱化平面處獲得分裂並將薄膜轉移到加強基板上。

    简体摘要： 本发明涉及用于将InP薄膜转移到加强基板上的方法，该方法包括由以下组成的步骤：a)提供一种结构，其包括InP表面层和在下面的掺杂InP薄层；b)通过表面层注入氢离子以在掺杂薄层中产生弱化平面，从而划界包括表面层的薄膜；c)使表面层紧密接触加强基板而设置；以及d)施加热处理以在弱化平面处获得分裂并将薄膜转移到加强基板上。