公开(公告)号：TWI692000B

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：TW105125994

申请日：2016-08-16

Applicant: 美商瓦里安半導體設備公司 ,  VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.

Inventor： 貝福 詹姆士 S. ,  BUFF, JAMES S. ,  本夫尼斯特 維克多 ,  BENVENISTE, VICTOR ,  辛克萊 法蘭克 ,  SINCLAIR, FRANK

IPC: H01J37/317

公开(公告)号：TW202015102A

公开(公告)日：2020-04-16

申请号：TW108120405

申请日：2019-06-13

Applicant: 美商應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

Inventor： 凡卡塔蘇巴拉馬尼恩 艾斯華倫納德 ,  VENKATASUBRAMANIAN, ESWARANAND ,  曼納 帕拉米特 ,  MANNA, PRAMIT ,  馬禮克 亞伯希吉特B ,  MALLICK, ABHIJIT B. ,  干德可塔 史林尼維斯 ,  GANDIKOTA, SRINIVAS

IPC: H01L21/033 ,  H01J37/317 ,  H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  H01L21/311

Abstract: 本揭示的實施例通常係關於沉積用於圖案化應用的高密度膜的技術。在一個實施例中，提供了一種處理基板的方法。該方法包括：在基板上形成的膜堆疊上方沉積碳硬遮罩，其中基板經定位在處理腔室中設置的靜電夾盤上；將離子植入碳硬遮罩，其中沉積碳硬遮罩及將離子植入碳硬遮罩係在相同處理腔室中執行；以及以循環方式重複沉積碳硬遮罩及將離子植入碳硬遮罩，直至達到預定厚度的碳硬遮罩。

Abstract in simplified Chinese: 本揭示的实施例通常系关于沉积用于图案化应用的高密度膜的技术。在一个实施例中，提供了一种处理基板的方法。该方法包括：在基板上形成的膜堆栈上方沉积碳硬遮罩，其中基板经定位在处理腔室中设置的静电夹盘上；将离子植入碳硬遮罩，其中沉积碳硬遮罩及将离子植入碳硬遮罩系在相同处理腔室中运行；以及以循环方式重复沉积碳硬遮罩及将离子植入碳硬遮罩，直至达到预定厚度的碳硬遮罩。

公开(公告)号：TWI686838B

公开(公告)日：2020-03-01

申请号：TW104143753

申请日：2015-12-25

Applicant: 美商艾克塞利斯科技公司 ,  AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.

Inventor： 梵德伯格 寶 ,  VANDERBERG, BO ,  芮 安迪 ,  RAY, ANDY

IPC: H01J37/317

公开(公告)号：TWI684197B

公开(公告)日：2020-02-01

申请号：TW106146133

申请日：2017-12-28

Applicant: 荷蘭商ASML荷蘭公司 ,  ASML NETHERLANDS B.V.

Inventor： 任偉明 ,  REN, WEIMING ,  劉學東 ,  LIU, XUEDONG ,  胡學讓 ,  HU, XUERANG ,  陳 仲瑋 ,  CHEN, ZHONGWEI

IPC: H01J37/141 ,  H01J37/145 ,  H01J37/317

公开(公告)号：TWI682420B

公开(公告)日：2020-01-11

申请号：TW104101458

申请日：2015-01-16

Applicant: 美商艾克塞利斯科技公司 ,  AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.

Inventor： 任 克川 ,  JEN,CAUSON KO-CHUAN ,  法雷 馬文 ,  FARLEY, MARVIN

IPC: H01J37/05 ,  H01J37/317 ,  H01L21/265

公开(公告)号：TWI680695B

公开(公告)日：2019-12-21

申请号：TW105143249

申请日：2016-12-26

Applicant: 美商恩特葛瑞斯股份有限公司 ,  ENTEGRIS, INC.

Inventor： 畢夏普 史帝文 E ,  BISHOP, STEVEN E.

IPC: H05H1/34 ,  H01J37/077 ,  H01J37/317

公开(公告)号：TW201946875A

公开(公告)日：2019-12-16

申请号：TW108111843

申请日：2019-04-03

Applicant: 美商恩特葛瑞斯股份有限公司 ,  ENTEGRIS, INC.

Inventor： 葉達夫 夏拉德 N ,  YEDAVE, SHARAD N. ,  拜 歐利格 ,  BYL, OLEG ,  唐 瀛 ,  TANG, YING ,  迪斯彼 約瑟夫 羅伯特 ,  DESPRES, JOSEPH ROBERT ,  史威尼 約瑟 D ,  SWEENEY, JOSEPH D.

IPC: C01G17/04 ,  C01B3/00 ,  H01L21/265 ,  H01J37/317

Abstract: 本發明係關於經組態以將四氟化鍺(GeF4)與氫(H2)氣體之混合物遞送至離子植入裝置之方法及總成，因此H2以該氣體混合物之25%至67% (體積)範圍內之量存在，或GeF4及H2以3:1至33:67範圍內之體積比(GeF4:H2)存在。該H2氣體在混合物中之使用量或相對於該GeF4氣體之使用量防止陰極材料揮發，藉此改良該離子植入裝置之效能及使用壽命。根據本發明之氣體混合物亦在離子植入程序期間產生顯著的Ge+電流增益及W+峰減小。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于经组态以将四氟化锗(GeF4)与氢(H2)气体之混合物递送至离子植入设备之方法及总成，因此H2以该气体混合物之25%至67% (体积)范围内之量存在，或GeF4及H2以3:1至33:67范围内之体积比(GeF4:H2)存在。该H2气体在混合物中之使用量或相对于该GeF4气体之使用量防止阴极材料挥发，借此改良该离子植入设备之性能及使用寿命。根据本发明之气体混合物亦在离子植入进程期间产生显着的Ge+电流增益及W+峰减小。

公开(公告)号：TWM587816U

公开(公告)日：2019-12-11

申请号：TW108212842

申请日：2019-09-27

Applicant: 建泓科技實業股份有限公司

Inventor： 余慶璋 ,  林子閔 ,  陳克民 ,  陳俊宇

IPC: H01J37/20 ,  H01J37/317

公开(公告)号：TWI679670B

公开(公告)日：2019-12-11

申请号：TW105105812

申请日：2016-02-25

Applicant: 美商艾克塞利斯科技公司 ,  AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.

Inventor： 法雷 馬文 ,  FARLEY, MARVIN ,  坂瀨 貴夫 ,  SAKASE, TAKAO ,  佛里 約瑟夫 ,  FOLEY, JOSEPH

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/304

公开(公告)号：TWI672723B

公开(公告)日：2019-09-21

申请号：TW104115249

申请日：2015-05-13

Applicant: 日商住友重機械離子技術有限公司 ,  SUMITOMO HEAVY INDUSTRIES ION TECHNOLOGY CO., LTD.

Inventor： 松下浩 ,  MATSUSHITA, HIROSHI ,  椛澤光昭 ,  KABASAWA, MITSUAKI ,  天野吉 ,  AMANO, YOSHITAKA ,  八木田貴典 ,  YAGITA, TAKANORI

IPC: H01J37/317