公开(公告)号：TW201801172A

公开(公告)日：2018-01-01

申请号：TW106108388

申请日：2017-03-14

申请人： 可汗 米迪 沙畢爾 阿邁德 ,  KHAN, MD SABBIR AHMED ,  桑魁維斯 喬納斯 ,  SUNDQVIST, JONAS ,  蘇亞亭 德米特里 ,  SUYATIN, DMITRY

发明人： 可汗 米迪 沙畢爾 阿邁德 ,  KHAN, MD SABBIR AHMED ,  桑魁維斯 喬納斯 ,  SUNDQVIST, JONAS ,  蘇亞亭 德米特里 ,  SUYATIN, DMITRY

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  B82B3/00 ,  B82Y40/00

CPC分类号： H01L21/3065 ,  B81C1/00626 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/3086 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/775

摘要： 本發明係關於一種選擇性蝕刻奈米結構(10)之方法。此方法包括：提供具有由相對於主要表面(12)之數個斜面(14)所界定出之主要表面(12)之奈米結構(10)；以及將此奈米結構(10)置於乾蝕刻中，其中此乾蝕刻包括：將奈米結構(10)置於具有垂直於主要表面(12)方向之低能量粒子束(20)下；從而於此奈米結構(10)內形成凹口(16)，此凹口(16)具有位於奈米結構(10)之主要表面(12)處的開口。

简体摘要： 本发明系关于一种选择性蚀刻奈米结构(10)之方法。此方法包括：提供具有由相对于主要表面(12)之数个斜面(14)所界定出之主要表面(12)之奈米结构(10)；以及将此奈米结构(10)置于干蚀刻中，其中此干蚀刻包括：将奈米结构(10)置于具有垂直于主要表面(12)方向之低能量粒子束(20)下；从而于此奈米结构(10)内形成凹口(16)，此凹口(16)具有位于奈米结构(10)之主要表面(12)处的开口。