公开(公告)号：TW201813054A

公开(公告)日：2018-04-01

申请号：TW106112760

申请日：2017-04-17

申请人： 格羅方德半導體公司 ,  GLOBALFOUNDRIES US INC.

发明人： 舒杰輝 ,  SHU, JIEHUI ,  傑格 丹尼爾 ,  JAEGER, DANIEL ,  戴德里安加羅 亞克 ,  DERDERIAN, GARO JACQUES ,  盛 海峰 ,  SHENG, HAIFENG ,  劉 金平 ,  LIU, JINPING

IPC分类号： H01L27/11

CPC分类号： H01L27/1116 ,  H01L21/3086 ,  H01L27/1104 ,  H01L28/00

摘要： 本發明提供一種製造具有降低單元高度的積體電路裝置的裝置以及方法。一種方法包括，例如：獲得具有包括一邏輯區域以及一SRAM區域的一基板，一鰭片材料層，以及一硬遮罩層的一中間半導體裝置；沉積一心軸於該邏輯區域的上方；沉積一犧牲間隔層；蝕刻該犧牲間隔層以定義一垂直間隔犧牲組；蝕刻該硬遮罩層；留下一垂直硬遮罩間隔組；沉積一第一間隔層；蝕刻該第一間隔層以定義一第一垂直間隔組於該邏輯區域的上方；沉積一SOH層；於該SRAM區域上方的該SOH層中蝕刻一開口；沉積一第二間隔層；以及蝕刻該第二間隔層以定義一第二間隔組於該SRAM區域的上方。

简体摘要： 本发明提供一种制造具有降低单元高度的集成电路设备的设备以及方法。一种方法包括，例如：获得具有包括一逻辑区域以及一SRAM区域的一基板，一鳍片材料层，以及一硬遮罩层的一中间半导体设备；沉积一心轴于该逻辑区域的上方；沉积一牺牲间隔层；蚀刻该牺牲间隔层以定义一垂直间隔牺牲组；蚀刻该硬遮罩层；留下一垂直硬遮罩间隔组；沉积一第一间隔层；蚀刻该第一间隔层以定义一第一垂直间隔组于该逻辑区域的上方；沉积一SOH层；于该SRAM区域上方的该SOH层中蚀刻一开口；沉积一第二间隔层；以及蚀刻该第二间隔层以定义一第二间隔组于该SRAM区域的上方。

公开(公告)号：TWI616933B

公开(公告)日：2018-03-01

申请号：TW105128508

申请日：2016-09-02

申请人： 美光科技公司 ,  MICRON TECHNOLOGY, INC.

发明人： 周國耀 ,  CHOU, KUO YAO

IPC分类号： H01L21/027

CPC分类号： H01L21/3086 ,  G03F1/38 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3081

公开(公告)号：TW201806131A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：TW106100050

申请日：2017-01-03

申请人： 格羅方德半導體公司 ,  GLOBALFOUNDRIES US INC.

发明人： 里考西 尼古拉斯 文森特 ,  LICAUSI, NICHOLAS VINCENT ,  柯爾斯 艾瑞克 史考特 ,  KOZARSKY, ERIC SCOTT ,  伯奇 古拉梅 ,  BOUCHE, GUILLAUME

IPC分类号： H01L27/11

CPC分类号： H01L27/1104 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0924

摘要： 半導體胞元包括基材、以及含至少五個實質平行鰭片之陣列，此等鰭片係以實質均等鰭寬布置於該基材上。陣列內至少一對相鄰鰭片間包括預定最小間隔距離。陣列具有用於n型半導體裝置之第一n型鰭片、及用於p型半導體裝置之第一p型鰭片。該第一p型鰭片係與該第一n型鰭片相鄰而置並且以預定第一n至p距離與該第一n型鰭片相隔。該第一n至p距離大於該最小間隔距離，並且小於該鰭寬加兩倍該最小間隔距離的總和。

简体摘要： 半导体胞元包括基材、以及含至少五个实质平行鳍片之数组，此等鳍片系以实质均等鳍宽布置于该基材上。数组内至少一对相邻鳍片间包括预定最小间隔距离。数组具有用于n型半导体设备之第一n型鳍片、及用于p型半导体设备之第一p型鳍片。该第一p型鳍片系与该第一n型鳍片相邻而置并且以预定第一n至p距离与该第一n型鳍片相隔。该第一n至p距离大于该最小间隔距离，并且小于该鳍宽加两倍该最小间隔距离的总和。

公开(公告)号：TWI610338B

公开(公告)日：2018-01-01

申请号：TW104119579

申请日：2015-06-17

申请人： 應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： 陳豪 ,  CHEN, HAO ,  殷正操 ,  YING, CHENTSAU ,  奈馬尼史林尼法斯D ,  NEMANI, SRINIVAS D. ,  葉怡利 ,  YIEH, ELLIE Y.

IPC分类号： H01L21/027 ,  H01L21/31 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/3086 ,  C23C16/04 ,  C23C16/34 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/50 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32082 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/28132 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67742

公开(公告)号：TW201801172A

公开(公告)日：2018-01-01

申请号：TW106108388

申请日：2017-03-14

申请人： 可汗 米迪 沙畢爾 阿邁德 ,  KHAN, MD SABBIR AHMED ,  桑魁維斯 喬納斯 ,  SUNDQVIST, JONAS ,  蘇亞亭 德米特里 ,  SUYATIN, DMITRY

发明人： 可汗 米迪 沙畢爾 阿邁德 ,  KHAN, MD SABBIR AHMED ,  桑魁維斯 喬納斯 ,  SUNDQVIST, JONAS ,  蘇亞亭 德米特里 ,  SUYATIN, DMITRY

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  B82B3/00 ,  B82Y40/00

CPC分类号： H01L21/3065 ,  B81C1/00626 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/3086 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/775

摘要： 本發明係關於一種選擇性蝕刻奈米結構(10)之方法。此方法包括：提供具有由相對於主要表面(12)之數個斜面(14)所界定出之主要表面(12)之奈米結構(10)；以及將此奈米結構(10)置於乾蝕刻中，其中此乾蝕刻包括：將奈米結構(10)置於具有垂直於主要表面(12)方向之低能量粒子束(20)下；從而於此奈米結構(10)內形成凹口(16)，此凹口(16)具有位於奈米結構(10)之主要表面(12)處的開口。

简体摘要： 本发明系关于一种选择性蚀刻奈米结构(10)之方法。此方法包括：提供具有由相对于主要表面(12)之数个斜面(14)所界定出之主要表面(12)之奈米结构(10)；以及将此奈米结构(10)置于干蚀刻中，其中此干蚀刻包括：将奈米结构(10)置于具有垂直于主要表面(12)方向之低能量粒子束(20)下；从而于此奈米结构(10)内形成凹口(16)，此凹口(16)具有位于奈米结构(10)之主要表面(12)处的开口。

公开(公告)号：TWI608312B

公开(公告)日：2017-12-11

申请号：TW105133089

申请日：2016-10-13

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 林胡偉 ,  LIN, HU WEI ,  許志賢 ,  HSU, CHIH HSIEN ,  邱昱瑋 ,  CHIU, YU WEI ,  陳海茵 ,  CHEN, HAI YIN ,  王英豪 ,  WANG, YING HAO ,  吳育恆 ,  WU, YU HEN

IPC分类号： G03F9/00 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC分类号： H01L23/544 ,  G03F7/70141 ,  G03F7/70541 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/67282 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54433

公开(公告)号：TWI606294B

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：TW103115847

申请日：2014-05-02

申请人： 應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： 班卻爾克里斯多夫丹尼斯 ,  BENCHER, CHRISTOPHER DENNIS ,  迪爾丹尼爾李 ,  DIEHL, DANIEL LEE ,  戴輝雄 ,  DAI, HUIXIONG ,  曹勇 ,  CAO, YONG ,  許廷軍 ,  XU, TINGJUN ,  曾爲民 ,  ZENG, WEIMIN ,  謝鵬 ,  XIE, PENG

IPC分类号： G03F1/68 ,  G03F1/76

CPC分类号： H01L21/0337 ,  C23C14/0042 ,  C23C14/06 ,  C23C14/14 ,  C23C14/351 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144

公开(公告)号：TW201735396A

公开(公告)日：2017-10-01

申请号：TW106123595

申请日：2013-08-22

申请人： 王子控股股份有限公司 ,  OJI HOLDINGS CORPORATION

发明人： 八田嘉久 ,  HATTA,YOSHIHISA ,  篠塚啟 ,  SHINOTSUKA,KEI ,  大紘太郎 ,  DAI,KOTARO ,  尾田康仁 ,  KAJITA,YASUHITO

IPC分类号： H01L33/22

CPC分类号： H01L33/20 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02285 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3086 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/007 ,  H01L33/50 ,  H01L2933/0025

摘要： 本發明之半導體發光元件之製造方法包括：粒子排列步驟，係使複數個粒子M以單層排列於基板S；粒子蝕刻步驟，係以粒子M被蝕刻且基板S實質上未被蝕刻之條件，對排列之複數個粒子M進行乾式蝕刻而於粒子M間設置間隙；以及基板蝕刻步驟，係將粒子蝕刻步驟後之複數個粒子M1作為蝕刻掩膜對基板S進行乾式蝕刻，而於基板S之一面X形成凹凸構造。

简体摘要： 本发明之半导体发光组件之制造方法包括：粒子排列步骤，系使复数个粒子M以单层排列于基板S；粒子蚀刻步骤，系以粒子M被蚀刻且基板S实质上未被蚀刻之条件，对排列之复数个粒子M进行干式蚀刻而于粒子M间设置间隙；以及基板蚀刻步骤，系将粒子蚀刻步骤后之复数个粒子M1作为蚀刻掩膜对基板S进行干式蚀刻，而于基板S之一面X形成凹凸构造。

公开(公告)号：TWI595322B

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：TW102128636

申请日：2013-08-09

申请人： 日產化學工業股份有限公司 ,  NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.

发明人： 西卷裕和 ,  NISHIMAKI, HIROKAZU ,  橋本圭祐 ,  HASHIMOTO, KEISUKE ,  新城徹也 ,  SHINJO, TETSUYA ,  遠藤貴文 ,  ENDO, TAKAFUMI ,  坂本力丸 ,  SAKAMOTO, RIKIMARU

IPC分类号： G03F7/11 ,  C08G61/10 ,  C08G61/12 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F7/11 ,  C08G8/04 ,  C09D161/12 ,  G03F7/094 ,  G03F7/16 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/32139

公开(公告)号：TWI594323B

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：TW102115892

申请日：2013-05-03

申请人： 信越半導體股份有限公司 ,  SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.

发明人： 阿賀浩司 ,  AGA, HIROJI ,  石塚徹 ,  ISHIZUKA, TORU

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/76254 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/265 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3226 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/76256