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公开(公告)号:TW200937221A
公开(公告)日:2009-09-01
申请号:TW097106964
申请日:2008-02-29
IPC分类号: G06F
摘要: 一種應用階層式倒傳遞演算法(Hierarchical BP Algorithm,HBP)之多層感知決策回授等化器,係利用結合階層式架構(Hierarchical Structure)及倒傳遞演算法(Back-Propagation Algorithm,BP)來實踐多層感知決策回授等化器(Multilayer Perceptron Decision Feedback Equalizer,MLP-DFE)。整個MLP-DFE被HBP演算法訓練時,係由輸入層至輸出層依序排成數個串接之次級等化器(Sub-Equalizer)。而且每一個次級等化器均為具有兩層(含一層隱藏層)神經元之多層感知器架構,並均由個別之BP演算法予以運算訓練,再由其輸出作為下一層次級等化器之輸入。因此該HBP演算法係由數個小型之BP演算法所組成,並由此數個獨立之BP演算法訓練整個MLP-DFE。
简体摘要: 一种应用阶层式倒传递算法(Hierarchical BP Algorithm,HBP)之多层感知决策回授等化器,系利用结合阶层式架构(Hierarchical Structure)及倒传递算法(Back-Propagation Algorithm,BP)来实践多层感知决策回授等化器(Multilayer Perceptron Decision Feedback Equalizer,MLP-DFE)。整个MLP-DFE被HBP算法训练时,系由输入层至输出层依序排成数个串接之次级等化器(Sub-Equalizer)。而且每一个次级等化器均为具有两层(含一层隐藏层)神经元之多层感知器架构,并均由个别之BP算法予以运算训练,再由其输出作为下一层次级等化器之输入。因此该HBP算法系由数个小型之BP算法所组成,并由此数个独立之BP算法训练整个MLP-DFE。
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公开(公告)号:TW200936575A
公开(公告)日:2009-09-01
申请号:TW097148638
申请日:2008-12-12
CPC分类号: C07F15/0053 , C09B19/00 , C09B21/00 , C09B23/105 , C09B57/00 , C09B57/008 , C09B57/10 , H01G9/2031 , H01G9/2059 , H01L51/0037 , H01L51/0068 , H01L51/0072 , H01L51/0086 , Y02E10/542 , Y02E10/549
摘要: 一種光敏染料,該光敏染料為一釕金屬錯合物,其是如式(1)所表示,
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其中,X1表示式(2)-(19)其中之一且X2表示氫,或者是X2與X1同為表示式(2)-(19)其中之一。
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其中,R1-R40分別獨立為H、CtH2t+1(t=1-15)、OCvH2v+1(v=1-15)、SCwH2w+1(w=1-15)或為表示式(36)~(37)其中之一。而其中,n為0-2,m為1-4。其中,Y1為硫(S)、甲烯基(CH2)、銨基(N-R)(R為H或CxH2x+1(x=1-15)其中之一)、氧(O)或硒(Se)其中之一。其中表示式(2)-(19)中之Y2則可分別獨立為式(20)-(37)其中之一。
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其中Z1為式(38)-(44)其中之一。其中Z2表示氫、或式(38)-(44)其中之一、又或者是Z2與Z1為相同之基團。
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其中A1表示氫、鋰、鈉、鉀或四級銨鹽(如式(45)所示)或其它任何帶正電荷的離子或基團。
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其中,R63、R64、R65與R66分別獨立為H或CyH2y+1(y=1-15)。但當Z1與Z2同為式(38)而X1為式(2)-(5)其中之一且式(2)-(5)中之n為0,且Y1為硫(S),且X2為氫時,式(2)-(5)中其中之Y2不為式(20)、式(21)或式(22)。當Z1與Z2同為式(38)而X1與X2同為式(2)-(5)其中之一且式(2)-(5)中之
n為0,且Y1為硫(S)時,式(2)-(5)中其中之Y2不為式(20)、式(21)或式(22)。简体摘要: 一种光敏染料,该光敏染料为一钌金属错合物,其是如式(1)所表示, 097148638P01.bmp 其中,X1表达式(2)-(19)其中之一且X2表示氢,或者是X2与X1同为表达式(2)-(19)其中之一。 097148638P06.bmp 097148638P07.bmp 097148638P08.bmp 097148638P09.bmp 097148638P10.bmp 其中,R1-R40分别独立为H、CtH2t+1(t=1-15)、OCvH2v+1(v=1-15)、SCwH2w+1(w=1-15)或为表达式(36)~(37)其中之一。而其中,n为0-2,m为1-4。其中,Y1为硫(S)、甲烯基(CH2)、铵基(N-R)(R为H或CxH2x+1(x=1-15)其中之一)、氧(O)或硒(Se)其中之一。其中表达式(2)-(19)中之Y2则可分别独立为式(20)-(37)其中之一。 097148638P11.bmp 097148638P12.bmp 097148638P13.bmp 097148638P14.bmp 097148638P15.bmp 其中Z1为式(38)-(44)其中之一。其中Z2表示氢、或式(38)-(44)其中之一、又或者是Z2与Z1为相同之基团。 097148638P16.bmp 097148638P17.bmp 其中A1表示氢、锂、钠、钾或四级铵盐(如式(45)所示)或其它任何带正电荷的离子或基团。 097148638P18.bmp 其中,R63、R64、R65与R66分别独立为H或CyH2y+1(y=1-15)。但当Z1与Z2同为式(38)而X1为式(2)-(5)其中之一且式(2)-(5)中之n为0,且Y1为硫(S),且X2为氢时,式(2)-(5)中其中之Y2不为式(20)、式(21)或式(22)。当Z1与Z2同为式(38)而X1与X2同为式(2)-(5)其中之一且式(2)-(5)中之 n为0,且Y1为硫(S)时,式(2)-(5)中其中之Y2不为式(20)、式(21)或式(22)。
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公开(公告)号:TW200922659A
公开(公告)日:2009-06-01
申请号:TW096144233
申请日:2007-11-22
IPC分类号: A63F
CPC分类号: A63H17/00 , G05D1/0261 , G05D1/028 , G05D2201/0214
摘要: 一種具自動定位功能之導覽玩具載具裝置,主要係以玩具設計及研發為出發點,實作一套以玩具車導覽系統為主,並針對數位導覽系統為學習之基礎。在前端環境中以智慧型地板(Smart Floor)環境來提供定位和導引該導覽玩具車(Guide Toy Car)行進,藉此增加該導覽玩具車之定位準確性,並且提供包含可自行維護學習教材及帳號管理等簡易之管理機制,由透過資料庫之設定,以達到容易管理之目的。藉此,使本發明在前端環境中可透過無線網路主動提供使用者導覽知識與資訊、提供數位載具給行動導覽學習系統使用、以及使用影音多媒體展示技術與趣味問答等不同之導覽模式吸引使用者之注意,讓使用者在導覽學習之過程中可提升學習之意願,並加深學習之效果,同時亦可在本發明提供兼具廣度與深度之學習效果下,進而讓使用者之學習可更廣泛、更方便且更有效率。
简体摘要: 一种具自动定位功能之导览玩具载具设备,主要系以玩具设计及研发为出发点,实作一套以玩具车导览系统为主,并针对数码导览系统为学习之基础。在前端环境中以智能型地板(Smart Floor)环境来提供定位和导引该导览玩具车(Guide Toy Car)行进,借此增加该导览玩具车之定位准确性,并且提供包含可自行维护学习教材及帐号管理等简易之管理机制,由透过数据库之设置,以达到容易管理之目的。借此,使本发明在前端环境中可透过无线网络主动提供用户导览知识与信息、提供数码载具给行动导览学习系统使用、以及使用影音多媒体展示技术与趣味问答等不同之导览模式吸引用户之注意,让用户在导览学习之过程中可提升学习之意愿,并加深学习之效果,同时亦可在本发明提供兼具广度与深度之学习效果下,进而让用户之学习可更广泛、更方便且更有效率。
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4.發光二極體結構及發光二極體陣列光源 LIGHT EMITTING DIODE AND LIGHT SOURCE COMPOSED OF LIGHT EMITTING DIODE ARRAY 审中-公开
简体标题: 发光二极管结构及发光二极管数组光源 LIGHT EMITTING DIODE AND LIGHT SOURCE COMPOSED OF LIGHT EMITTING DIODE ARRAY公开(公告)号:TW200921943A
公开(公告)日:2009-05-16
申请号:TW096143029
申请日:2007-11-14
摘要: 一種發光二極體結構,包括一基板、一第一型摻雜半導體層、一發光層、一第二型摻雜半導體層、一第一電極以及一第二電極。基板之一表面上具有多個向下凹陷或向上凸出的曲面結構。第一型摻雜半導體層配置於基板上,以覆蓋上述曲面結構。發光層配置於部分之第一型摻雜半導體層上。第二型摻雜半導體層配置於發光層上。第一電極配置於未被發光層所覆蓋之第一型摻雜半導體層上,且與第一型摻雜半導體層電性連接。第二電極配置於第二型摻雜半導體層上,且與第二型摻雜半導體層電性連接。其中,第一電極與第二電極電性絕緣。
简体摘要: 一种发光二极管结构,包括一基板、一第一型掺杂半导体层、一发光层、一第二型掺杂半导体层、一第一电极以及一第二电极。基板之一表面上具有多个向下凹陷或向上凸出的曲面结构。第一型掺杂半导体层配置于基板上,以覆盖上述曲面结构。发光层配置于部分之第一型掺杂半导体层上。第二型掺杂半导体层配置于发光层上。第一电极配置于未被发光层所覆盖之第一型掺杂半导体层上,且与第一型掺杂半导体层电性连接。第二电极配置于第二型掺杂半导体层上,且与第二型掺杂半导体层电性连接。其中,第一电极与第二电极电性绝缘。
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公开(公告)号:TW200920024A
公开(公告)日:2009-05-01
申请号:TW096140233
申请日:2007-10-26
IPC分类号: H04L
摘要: 一種網路服務推薦裝置,其包含一提供使用者上網之網路操作機構;一與網路操作機構連結之產品分類機構,其至少包含產品分群單元、自動分群單元及預測單元,係一屬性將產品分類,並尋找適當之推薦者;一與網路操作機構連結之使用者分類機構,用以計算使用者之間彼此的相似度;以及一與產品分類機構及使用者分類機構連結之推薦運算機構,可配合該產品分類機構及使用者分類機構達成找尋適合推薦者的功用。藉此,可利用自動分群演算法的概念來計算出使用者與產品之間的相似度,改良其冷啓動時無法找到推薦者的問題。
简体摘要: 一种网络服务推荐设备,其包含一提供用户上网之网络操作机构;一与网络操作机构链接之产品分类机构,其至少包含产品分群单元、自动分群单元及预测单元,系一属性将产品分类,并寻找适当之推荐者;一与网络操作机构链接之用户分类机构,用以计算用户之间彼此的相似度;以及一与产品分类机构及用户分类机构链接之推荐运算机构,可配合该产品分类机构及用户分类机构达成找寻适合推荐者的功用。借此,可利用自动分群算法的概念来计算出用户与产品之间的相似度,改良其冷启动时无法找到推荐者的问题。
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6.磊晶基板及其製造方法及發光二極體裝置之製造方法 EPITAXIAL SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF AND MANUFACTURING METHOD OF LIGHT EMITTING DIODE APPARATUS 失效
简体标题: 磊晶基板及其制造方法及发光二极管设备之制造方法 EPITAXIAL SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF AND MANUFACTURING METHOD OF LIGHT EMITTING DIODE APPARATUS公开(公告)号:TW200917520A
公开(公告)日:2009-04-16
申请号:TW096137372
申请日:2007-10-05
发明人: 陳世鵬 CHEN, SHIH PENG , 薛清全 SHIUE, CHING CHUAN , 陳朝旻 CHEN, CHAO MIN , 郭政煌 KUO, CHENG HUANG , 陳煌坤 CHEN, HUANG KUN
IPC分类号: H01L
CPC分类号: H01L33/0079 , B82Y20/00 , H01L33/12
摘要: 一種磊晶基板之製造方法係包括下列步驟:形成一犧牲層於一基板上,犧牲層具有一第一微奈米結構;以及形成一緩衝層於犧牲層上。本發明亦揭露一種磊晶基板及發光二極體裝置之製造方法。
简体摘要: 一种磊晶基板之制造方法系包括下列步骤:形成一牺牲层于一基板上,牺牲层具有一第一微奈米结构;以及形成一缓冲层于牺牲层上。本发明亦揭露一种磊晶基板及发光二极管设备之制造方法。
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7.防止管路內氣體洩漏之方法及其裝置 METHOD AND APPARATUS OF PREVENTING GAS LEAK IN PIPELINE 失效
简体标题: 防止管路内气体泄漏之方法及其设备 METHOD AND APPARATUS OF PREVENTING GAS LEAK IN PIPELINE公开(公告)号:TW200916683A
公开(公告)日:2009-04-16
申请号:TW096137558
申请日:2007-10-05
发明人: 李勝隆 LEE, SHENG LONG , 林景崎 LIN, JING CHIE , 許哲瑋 HSU, CHE WEI , 蔡宇洲 TSAI, YU CHOU , 許傅凱 HSU, FU KAI
IPC分类号: F16L
摘要: 本發明係揭示一種防止管路內氣體洩漏之方法及其裝置,其係利用一儲氫材料吸收氫氣時會膨脹之特性,將該儲氫材料設於第一管路與第二管路之接合處內,使得當該接合處之氫氣洩漏時,可被該儲氫材料吸收而造成膨脹現象,其膨脹壓力擠壓該接合處使其更緊密接合,有效達到防止洩漏閉鎖目的,且可彌補該第一管路與第二管路加工時因公差累積導致密合度不足之缺陷。
简体摘要: 本发明系揭示一种防止管路内气体泄漏之方法及其设备,其系利用一储氢材料吸收氢气时会膨胀之特性,将该储氢材料设于第一管路与第二管路之接合处内,使得当该接合处之氢气泄漏时,可被该储氢材料吸收而造成膨胀现象,其膨胀压力挤压该接合处使其更紧密接合,有效达到防止泄漏闭锁目的,且可弥补该第一管路与第二管路加工时因公差累积导致密合度不足之缺陷。
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公开(公告)号:TWM352998U
公开(公告)日:2009-03-21
申请号:TW097216888
申请日:2008-09-18
IPC分类号: A61B
摘要: 本創作係有關於一種具無線傳輸之肺活量計,包含一量測單元,用以測量使用者之次氣流速並產生一量測訊號,一運算處理單元與該量測單元連接,用於接收該量測單元產生之量測訊號,並運算該量測訊號,而產生表示使用者之肺活量的一輸出訊號,且透過一無線傳輸單元,將該輸出訊號傳輸至一可攜式行動裝置之一顯示單元,以顯示使用者之肺活量。本創作具無線傳輸之肺活量計,輕便可攜,以便利使用者測量追蹤自身之肺活量。
简体摘要: 本创作系有关于一种具无线传输之肺活量计,包含一量测单元,用以测量用户之次气流速并产生一量测信号,一运算处理单元与该量测单元连接,用于接收该量测单元产生之量测信号,并运算该量测信号,而产生表示用户之肺活量的一输出信号,且透过一无线传输单元,将该输出信号传输至一可携式行动设备之一显示单元,以显示用户之肺活量。本创作具无线传输之肺活量计,轻便可携,以便利用户测量追踪自身之肺活量。
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9.發光二極體裝置及其製造方法 LIGHT-EMITTING DIODE APPARATUS AND ITS MANUFACTURING METHOD 审中-公开
简体标题: 发光二极管设备及其制造方法 LIGHT-EMITTING DIODE APPARATUS AND ITS MANUFACTURING METHOD公开(公告)号:TW200913307A
公开(公告)日:2009-03-16
申请号:TW096134165
申请日:2007-09-13
发明人: 陳世鵬 CHEN, SHIH PENG , 詹佳樺 CHAN, CHIA HUA , 王宏洲 WANG, HORNG JOU , 林京亮 LIN, CHING LIANG , 陳啓昌 CHEN, CHII CHANG , 劉正毓 LIU, CHENG YI , 陳煌坤 CHEN, HUANG KUN
IPC分类号: H01L
CPC分类号: H01L33/44 , H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/405 , H01L2933/0091
摘要: 一種發光二極體裝置,係包括一導熱基板、一導熱黏貼層、一磊晶疊層、一電流擴散層以及一微奈米粗化結構。導熱黏貼層係設置於導熱基板上。磊晶疊層係與導熱黏貼層相對而設,且依序具有一第一半導體層、一發光層及一第二半導體層。電流擴散層係設置於磊晶疊層之第二半導體層與導熱黏貼層之間。微奈米粗化結構係設置於磊晶疊層之第一半導體層上。另外,本發明亦揭露一種發光二極體裝置的製造方法。
简体摘要: 一种发光二极管设备,系包括一导热基板、一导热黏贴层、一磊晶叠层、一电流扩散层以及一微奈米粗化结构。导热黏贴层系设置于导热基板上。磊晶叠层系与导热黏贴层相对而设,且依序具有一第一半导体层、一发光层及一第二半导体层。电流扩散层系设置于磊晶叠层之第二半导体层与导热黏贴层之间。微奈米粗化结构系设置于磊晶叠层之第一半导体层上。另外,本发明亦揭露一种发光二极管设备的制造方法。
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公开(公告)号:TWI305611B
公开(公告)日:2009-01-21
申请号:TW095129392
申请日:2006-08-10
发明人: 李正中 LEE, CHENG CHUNG , 吳鍇 , 郭倩丞
摘要: 一種高靈敏製鍍多層光學薄膜之監控方法,可經由一規則明確找出具有最高靈敏度之監控波長的方法,使監控圖在切點附近之穿透率隨厚度的變化最明顯。然後以監控圖上之穿透率(或反射率)之轉折點推算出對中心波長的誤差補償厚度,以此重新推判切點。最末層以離子蝕刻方式進行厚度之修正,使成品之光譜不偏移,例如帶通濾光片、帶止濾光片之中心波長,截止濾光片穿透率50%之波長位置,與理論設計値一致。
简体摘要: 一种高灵敏制镀多层光学薄膜之监控方法,可经由一守则明确找出具有最高灵敏度之监控波长的方法,使监控图在切点附近之穿透率随厚度的变化最明显。然后以监控图上之穿透率(或反射率)之转折点推算出对中心波长的误差补偿厚度,以此重新推判切点。最末层以离子蚀刻方式进行厚度之修正,使成品之光谱不偏移,例如带通滤光片、带止滤光片之中心波长,截止滤光片穿透率50%之波长位置,与理论设计値一致。
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