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    微細立體結構形成方法及微細立體結構
    8.
    发明专利
    微細立體結構形成方法及微細立體結構 审中-公开
    微细三維结构形成方法及微细三維结构

    公开(公告)号：TW201826375A

    公开(公告)日：2018-07-16

    申请号：TW106106787

    申请日：2017-03-02

    申请人： 國立研究開發法人產業技術總合研究所 ,  NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY

    发明人： 田中宏幸 ,  TANAKA, HIROYUKI ,  来見田淳也 ,  KURUMIDA, JUNYA ,  薰普昂 索馬萬 ,  KHUMPUANG, SOMMAWAN ,  原史朗 ,  HARA, SHIRO

    IPC分类号： H01L21/3065 ,  G03F7/20

    摘要： 本發明的課題在於廉價、迅速且忠實於設計地形成具有沿著垂直方向受到刻蝕的平滑側面的微細立體結構。作為解決手段，提供一種微細立體結構形成方法，其包括：步驟（1），其於基板上形成藉由無遮罩曝光而描繪出的抗蝕劑圖案；等向性蝕刻步驟（2A），其藉由等向性蝕刻而於所述基板形成凹陷；電漿沈積步驟（2B），其將保護膜堆積於所述凹陷的內壁與所述抗蝕劑圖案；除去步驟（2C），其藉由各向異性蝕刻來除去所述凹陷的底面的保護膜；以及步驟（2），其依序反覆地進行等向性蝕刻步驟（2A）、電漿沈積步驟（2B）及除去步驟（2C），藉此，於所述基板形成微細凹部。

    简体摘要： 本发明的课题在于廉价、迅速且忠实于设计地形成具有沿着垂直方向受到刻蚀的平滑侧面的微细三維结构。作为解决手段，提供一种微细三維结构形成方法，其包括：步骤（1），其于基板上形成借由无遮罩曝光而描绘出的抗蚀剂图案；等向性蚀刻步骤（2A），其借由等向性蚀刻而于所述基板形成凹陷；等离子沉积步骤（2B），其将保护膜堆积于所述凹陷的内壁与所述抗蚀剂图案；除去步骤（2C），其借由各向异性蚀刻来除去所述凹陷的底面的保护膜；以及步骤（2），其依序反复地进行等向性蚀刻步骤（2A）、等离子沉积步骤（2B）及除去步骤（2C），借此，于所述基板形成微细凹部。