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    反射型遮罩基底、反射型遮罩及其製造方法、以及半導體裝置之製造方法
    2.
    发明专利
    反射型遮罩基底、反射型遮罩及其製造方法、以及半導體裝置之製造方法 审中-公开
    反射型遮罩基底、反射型遮罩及其制造方法、以及半导体设备之制造方法

    公开(公告)号：TW202027130A

    公开(公告)日：2020-07-16

    申请号：TW108130563

    申请日：2019-08-27

    申请人： 日商HOYA股份有限公司 ,  HOYA CORPORATION

    发明人： 片岡瑞生 ,  KATAOKA, MIZUKI ,  池邊洋平 ,  IKEBE, YOHEI

    IPC分类号： H01L21/027 ,  G03F1/24 ,  G03F1/54

    摘要： 本發明係提供一種可降低反射型遮罩的陰影效應，且可形成微細且高精確度的吸收體圖案之反射型遮罩基底。 一種反射型遮罩基底，係具有基板、設置於該基板上之多層反射膜、以及設置於該多層反射膜上之吸收體膜；該吸收體膜係於該吸收體膜的至少一部分包含有選自鈷(Co)及鎳(Ni)所構成的群之至少1種高吸收係數元素，以及會加快乾蝕刻速度之元素；該吸收體膜係包含有含有基板側的表面之下面區域，以及含有與基板為相反側的表面之上面區域；該上面區域之該高吸收係數元素的濃度(原子%)係高於該下面區域之該高吸收係數元素的濃度(原子%)。

    简体摘要： 本发明系提供一种可降低反射型遮罩的阴影效应，且可形成微细且高精确度的吸收体图案之反射型遮罩基底。 一种反射型遮罩基底，系具有基板、设置于该基板上之多层反射膜、以及设置于该多层反射膜上之吸收体膜；该吸收体膜系于该吸收体膜的至少一部分包含有选自钴(Co)及镍(Ni)所构成的群之至少1种高吸收系数元素，以及会加快干蚀刻速度之元素；该吸收体膜系包含有含有基板侧的表面之下面区域，以及含有与基板为相反侧的表面之上面区域；该上面区域之该高吸收系数元素的浓度(原子%)系高于该下面区域之该高吸收系数元素的浓度(原子%)。

    遮罩基底、相移遮罩及半導體元件之製造方法
    9.
    发明专利
    遮罩基底、相移遮罩及半導體元件之製造方法 审中-公开
    遮罩基底、相移遮罩及半导体组件之制造方法

    公开(公告)号：TW202004328A

    公开(公告)日：2020-01-16

    申请号：TW108118000

    申请日：2019-05-24

    申请人： 日商HOYA股份有限公司 ,  HOYA CORPORATION

    发明人： 宍戸博明 ,  SHISHIDO, HIROAKI ,  前田仁 ,  MAEDA, HITOSHI ,  橋本雅廣 ,  HASHIMOTO, MASAHIRO

    IPC分类号： G03F1/32 ,  G03F1/58 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

    摘要： 本發明係提供一種具有內面反射率經降低後的相移膜之遮罩基底，該相移膜係兼具能夠讓ArF準分子雷射的曝光光線以特定穿透率穿透之功能，以及會使所穿透之該ArF準分子雷射的曝光光線產生特定相位差之功能。 相移膜係包含有從透光性基板側依序層積有第1層、第2層及第3層之構造。使第1層、第2層及第3層在ArF準分子雷射的曝光光線波長中之折射率分別為n1、n2、n3時，係滿足n1>n2及n2 k3的關係。使第1層、第2層及第3層的膜厚分別為d1、d2、d3時，係滿足d1

    简体摘要： 本发明系提供一种具有内面反射率经降低后的相移膜之遮罩基底，该相移膜系兼具能够让ArF准分子激光的曝光光线以特定穿透率穿透之功能，以及会使所穿透之该ArF准分子激光的曝光光线产生特定相位差之功能。 相移膜系包含有从透光性基板侧依序层积有第1层、第2层及第3层之构造。使第1层、第2层及第3层在ArF准分子激光的曝光光线波长中之折射率分别为n1、n2、n3时，系满足n1>n2及n2k3的关系。使第1层、第2层及第3层的膜厚分别为d1、d2、d3时，系满足d1