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    光罩基底、相移光罩及半導體裝置之製造方法
    1.
    发明专利
    光罩基底、相移光罩及半導體裝置之製造方法 审中-公开
    光罩基底、相移光罩及半导体设备之制造方法

    公开(公告)号：TW201730665A

    公开(公告)日：2017-09-01

    申请号：TW105129751

    申请日：2016-09-13

    申请人： HOYA股份有限公司 ,  HOYA CORPORATION

    发明人： 松本淳志 ,  MATSUMOTO, ATSUSHI ,  宍戸博明 ,  SHISHIDO, HIROAKI ,  打田崇 ,  UCHIDA, TAKASHI

    IPC分类号： G03F1/32 ,  G03F1/58 ,  G03F1/60

    CPC分类号： G03F1/32 ,  G03F1/58

    摘要： 於本發明之光罩基底10中，遮光膜4具有單層構造或複數層之積層構造，上述遮光膜4之至少1層係藉由含有過渡金屬及矽且不含有氮及氧之材料、或含有過渡金屬、矽及氮且滿足以下之式(1)之條件之材料之任一者而形成，相移膜2包含表層及表層以外之層，上述表層以外之層係由含有過渡金屬、矽、氮及氧，且氧之含量為3原子%以上，且滿足以下之式(A)之條件之材料而形成。 CN≦9.0×10-6×RM4-1.65×10-4×RM3-7.718×10-2×RM2＋3.611×RM-21.084・・・式(1) 0.04×AS-0.06×AM＞1・・・式(A)

    简体摘要： 于本发明之光罩基底10中，遮光膜4具有单层构造或复数层之积层构造，上述遮光膜4之至少1层系借由含有过渡金属及硅且不含有氮及氧之材料、或含有过渡金属、硅及氮且满足以下之式(1)之条件之材料之任一者而形成，相移膜2包含表层及表层以外之层，上述表层以外之层系由含有过渡金属、硅、氮及氧，且氧之含量为3原子%以上，且满足以下之式(A)之条件之材料而形成。 CN≦9.0×10-6×RM4-1.65×10-4×RM3-7.718×10-2×RM2＋3.611×RM-21.084・・・式(1) 0.04×AS-0.06×AM＞1・・・式(A)

    光罩基底、轉印用光罩之製造方法及半導體裝置之製造方法
    3.
    发明专利
    光罩基底、轉印用光罩之製造方法及半導體裝置之製造方法 审中-公开
    光罩基底、转印用光罩之制造方法及半导体设备之制造方法

    公开(公告)号：TW201903513A

    公开(公告)日：2019-01-16

    申请号：TW107135331

    申请日：2015-03-30

    申请人： 日商HOYA股份有限公司 ,  HOYA CORPORATION

    发明人： 宍戶博明 ,  SHISHIDO,HIROAKI ,  野澤順 ,  NOZAWA,OSAMU

    IPC分类号： G03F1/32 ,  G03F1/58 ,  G03F1/80

    摘要： 本發明係一種於透光性基板上依序積層有光半透過膜、遮光膜、及硬質光罩膜之光罩基底。光半透過膜含有矽，硬質光罩膜含有矽及鉭中之任一者或兩者。遮光膜呈底層及上層之積層構造且含有鉻。上層之鉻之含量為65原子%以上，且氧之含量未達20原子%，底層之鉻之含量未達60原子%，且氧之含量為20原子%以上。

    简体摘要： 本发明系一种于透光性基板上依序积层有光半透过膜、遮光膜、及硬质光罩膜之光罩基底。光半透过膜含有硅，硬质光罩膜含有硅及钽中之任一者或两者。遮光膜呈底层及上层之积层构造且含有铬。上层之铬之含量为65原子%以上，且氧之含量未达20原子%，底层之铬之含量未达60原子%，且氧之含量为20原子%以上。

    光罩基板及轉印用光罩
    6.
    发明专利
    光罩基板及轉印用光罩 审中-公开
    光罩基板及转印用光罩

    公开(公告)号：TW201516561A

    公开(公告)日：2015-05-01

    申请号：TW103145378

    申请日：2010-03-31

    申请人： HOYA股份有限公司 ,  HOYA CORPORATION

    发明人： 橋本雅廣 ,  HASHIMOTO, MASAHIRO ,  岩下浩之 ,  IWASHITA, HIROYUKI ,  大久保靖 ,  OKUBO, YASUSHI ,  野澤順 ,  NOZAWA, OSAMU

    IPC分类号： G03F1/60 ,  G03F1/58 ,  G03F1/46

    CPC分类号： G03F1/46 ,  G03F1/50 ,  G03F1/58

    摘要： 本發明係提供一種針對半導體設計規則之DRAM半間距(hp)32nm以後世代中會成為問題的電磁場(EMF)效果，而具有充分改善之效果且具實用性的光罩基板及轉印用光罩。本發明之光罩基板係用來製造適用於ArF曝光光線之轉印用光罩，其具備有由形成於透光性基板上之遮光層及表面反射防止層的層積構造所組成之遮光膜、以及形成於該遮光膜上方之輔助遮光膜，其中該遮光膜之膜厚為40nm以下，且光學濃度為2.0以上、2.7以下，該遮光膜與輔助遮光膜之層積構造的光學濃度為2.8以上。

    简体摘要： 本发明系提供一种针对半导体设计守则之DRAM半间距(hp)32nm以后世代中会成为问题的电磁场(EMF)效果，而具有充分改善之效果且具实用性的光罩基板及转印用光罩。本发明之光罩基板系用来制造适用于ArF曝光光线之转印用光罩，其具备有由形成于透光性基板上之遮光层及表面反射防止层的层积构造所组成之遮光膜、以及形成于该遮光膜上方之辅助遮光膜，其中该遮光膜之膜厚为40nm以下，且光学浓度为2.0以上、2.7以下，该遮光膜与辅助遮光膜之层积构造的光学浓度为2.8以上。

    反射型遮罩基底、反射型遮罩及反射型遮罩之製造方法
    8.
    发明专利
    反射型遮罩基底、反射型遮罩及反射型遮罩之製造方法 审中-公开
    反射型遮罩基底、反射型遮罩及反射型遮罩之制造方法

    公开(公告)号：TW201329612A

    公开(公告)日：2013-07-16

    申请号：TW101135468

    申请日：2012-09-27

    申请人： HOYA股份有限公司 ,  HOYA CORPORATION

    发明人： 酒井和也 ,  SAKAI, KAZUYA ,  大久保亮 ,  OHKUBO, RYO ,  野澤順 ,  NOZAWA, OSAMU ,  鈴木壽幸 ,  SUZUKI, TOSHIYUKI

    IPC分类号： G03F1/24 ,  G03F1/58 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

    CPC分类号： G03F1/24 ,  G03F1/58 ,  G03F1/80

    摘要： 本發明提供一種反射型遮罩基底，係使用層積有鉭系材料的吸收體膜及鉻系材料之蝕刻遮罩膜的反射型遮罩基底而可製作具有高精度轉印圖案，且具有良好光學特性之吸收體膜的反射型遮罩。該反射型遮罩基底係用以製作反射型遮罩所使用之反射型遮罩基底，為具有在基板上依序層積有多層反射膜、吸收體膜、蝕刻遮罩膜之結構的反射型遮罩基底，該蝕刻遮罩膜係由含鉻材料所構成，該吸收體膜係由含鉭材料所構成，該吸收體膜之基板側的相反側之表層形成有高氧化層，該高氧化層在進行X射線光電能譜分析時的Ta4f之化學鍵結狀態分析在較23eV要大的束縛能處有最大峰值。

    简体摘要： 本发明提供一种反射型遮罩基底，系使用层积有钽系材料的吸收体膜及铬系材料之蚀刻遮罩膜的反射型遮罩基底而可制作具有高精度转印图案，且具有良好光学特性之吸收体膜的反射型遮罩。该反射型遮罩基底系用以制作反射型遮罩所使用之反射型遮罩基底，为具有在基板上依序层积有多层反射膜、吸收体膜、蚀刻遮罩膜之结构的反射型遮罩基底，该蚀刻遮罩膜系由含铬材料所构成，该吸收体膜系由含钽材料所构成，该吸收体膜之基板侧的相反侧之表层形成有高氧化层，该高氧化层在进行X射线光电能谱分析时的Ta4f之化学键结状态分析在较23eV要大的束缚能处有最大峰值。

    遮罩基底、相移遮罩及半導體元件之製造方法
    9.
    发明专利
    遮罩基底、相移遮罩及半導體元件之製造方法 审中-公开
    遮罩基底、相移遮罩及半导体组件之制造方法

    公开(公告)号：TW202004328A

    公开(公告)日：2020-01-16

    申请号：TW108118000

    申请日：2019-05-24

    申请人： 日商HOYA股份有限公司 ,  HOYA CORPORATION

    发明人： 宍戸博明 ,  SHISHIDO, HIROAKI ,  前田仁 ,  MAEDA, HITOSHI ,  橋本雅廣 ,  HASHIMOTO, MASAHIRO

    IPC分类号： G03F1/32 ,  G03F1/58 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

    摘要： 本發明係提供一種具有內面反射率經降低後的相移膜之遮罩基底，該相移膜係兼具能夠讓ArF準分子雷射的曝光光線以特定穿透率穿透之功能，以及會使所穿透之該ArF準分子雷射的曝光光線產生特定相位差之功能。 相移膜係包含有從透光性基板側依序層積有第1層、第2層及第3層之構造。使第1層、第2層及第3層在ArF準分子雷射的曝光光線波長中之折射率分別為n1、n2、n3時，係滿足n1>n2及n2 k3的關係。使第1層、第2層及第3層的膜厚分別為d1、d2、d3時，係滿足d1

    简体摘要： 本发明系提供一种具有内面反射率经降低后的相移膜之遮罩基底，该相移膜系兼具能够让ArF准分子激光的曝光光线以特定穿透率穿透之功能，以及会使所穿透之该ArF准分子激光的曝光光线产生特定相位差之功能。 相移膜系包含有从透光性基板侧依序层积有第1层、第2层及第3层之构造。使第1层、第2层及第3层在ArF准分子激光的曝光光线波长中之折射率分别为n1、n2、n3时，系满足n1>n2及n2k3的关系。使第1层、第2层及第3层的膜厚分别为d1、d2、d3时，系满足d1

    半色調相位移型空白光罩
    10.
    发明专利
    半色調相位移型空白光罩 审中-公开
    半色调相位移型空白光罩

    公开(公告)号：TW201843522A

    公开(公告)日：2018-12-16

    申请号：TW107108026

    申请日：2018-03-09

    申请人： 日商信越化學工業股份有限公司 ,  SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.

    发明人： 稲月判臣 ,  INAZUKI, YUKIO ,  深谷創一 ,  FUKAYA, SOUICHI

    IPC分类号： G03F1/32 ,  G03F1/58 ,  G03F1/80

    摘要： [解決手段]一種半色調相位移型空白光罩，係在透明基板上具有：半色調相位移膜即第1膜；遮光膜即第2膜；硬遮罩膜即第3膜；及第4膜，第1膜及第3膜，係由「含有矽，對於氯系乾蝕刻具有耐性且可藉由氟系乾蝕刻加以去除」的材料所構成，第2膜及第4膜，係由「含有鉻而不含有矽，對於氟系乾蝕刻具有耐性且可藉由氯系乾蝕刻加以去除」的材料所構成。 　　[效果]以簡易之圖案形成工程，使含有矽的膜殘存於為了確保高遮光度而設置於外周緣部等之含有鉻的膜上，且可降低缺陷產生之可能性而精度良好地製造「未露出含有鉻之膜的膜面，並難以引起鉻之遷移」的半色調相位移型光罩。

    简体摘要： [解决手段]一种半色调相位移型空白光罩，系在透明基板上具有：半色调相位移膜即第1膜；遮光膜即第2膜；硬遮罩膜即第3膜；及第4膜，第1膜及第3膜，系由“含有硅，对于氯系干蚀刻具有耐性且可借由氟系干蚀刻加以去除”的材料所构成，第2膜及第4膜，系由“含有铬而不含有硅，对于氟系干蚀刻具有耐性且可借由氯系干蚀刻加以去除”的材料所构成。 　　[效果]以简易之图案形成工程，使含有硅的膜残存于为了确保高遮光度而设置于外周缘部等之含有铬的膜上，且可降低缺陷产生之可能性而精度良好地制造“未露出含有铬之膜的膜面，并难以引起铬之迁移”的半色调相位移型光罩。