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    觸覺感測器
    2.
    发明专利
    觸覺感測器 审中-公开
    触觉传感器

    公开(公告)号：TW202018252A

    公开(公告)日：2020-05-16

    申请号：TW107140113

    申请日：2018-11-12

    申请人： 國立中央大學 ,  NATIONAL CENTRAL UNIVERSITY

    发明人： 李朱育 ,  LEE, JU-YI ,  葉宏易 ,  YEH, HONG-YIH ,  徐英凱 ,  HSU, YING-KAI ,  韋安琪 ,  WEI, AN-CHI

    IPC分类号： G01B11/24 ,  B25J19/02

    摘要： 本發明提供一種觸覺感測器，其提供機器人之手指具有類似人類手掌之觸覺，藉由本發明提供機器人可精巧靈活抓取物體，亦或是提供可一種使用於生物醫學和機械人之觸覺感測；其為一種間接光學觸覺感測器，包括一感測件、一單光束光源、一影像擷取裝置和一光柵板，該單光束光源照射該光柵板，由該光柵板上之光柵和光柵的陰影產生數個疊紋，藉著該影像擷取裝置擷取一疊紋影像，通過一瞬時移相結構，使本發明之觸覺感測器無需使用任何機械相移裝置即可檢測物件。

    简体摘要： 本发明提供一种触觉传感器，其提供机器人之手指具有类似人类手掌之触觉，借由本发明提供机器人可精巧灵活抓取物体，亦或是提供可一种使用于生物医学和机器人之触觉传感；其为一种间接光学触觉传感器，包括一传感件、一单光束光源、一影像截取设备和一光栅板，该单光束光源照射该光栅板，由该光栅板上之光栅和光栅的阴影产生数个叠纹，借着该影像截取设备截取一叠纹影像，通过一瞬时移相结构，使本发明之触觉传感器无需使用任何机械相移设备即可检测对象。

    穿戴式裝置及其駕駛者之身分識別方法
    5.
    发明专利
    穿戴式裝置及其駕駛者之身分識別方法 审中-公开
    穿戴式设备及其驾驶者之身分识别方法

    公开(公告)号：TW202008198A

    公开(公告)日：2020-02-16

    申请号：TW107126008

    申请日：2018-07-27

    申请人： 國立中央大學 ,  NATIONAL CENTRAL UNIVERSITY

    发明人： 梁德容 ,  LIANG, DE-RON ,  楊青翰 ,  YANG, CHING-HAN ,  張欽圳 ,  CHANG, CHIN-CHUN

    IPC分类号： G06F21/31 ,  B60R25/00 ,  G06N3/02 ,  G06N3/08

    摘要： 本發明提供一種穿戴式裝置及其駕駛者之認證方法。穿戴式裝置係供駕駛者之手配戴，而此穿戴式裝置包括感測裝置、儲存器及處理器。感測裝置取得感測訊號。儲存器記錄感測訊號、以及數個模組。處理器耦接感測裝置及儲存器，並存取且載入儲存器所記錄的那些模組 。而那些模組包括感測訊號擷取模組及分析判斷模組。感測訊號擷取模組取得感測訊號以偵測駕駛者的運動狀態。而分析判斷模組依據此運動狀態判斷駕駛者是否符合合法駕駛者，並能將不符合情況通知給合法駕駛者。藉此，提供簡單又方便的安全認證機制。

    简体摘要： 本发明提供一种穿戴式设备及其驾驶者之认证方法。穿戴式设备系供驾驶者之手配戴，而此穿戴式设备包括传感设备、存储器及处理器。传感设备取得传感信号。存储器记录传感信号、以及数个模块。处理器耦接传感设备及存储器，并存取且加载存储器所记录的那些模块 。而那些模块包括传感信号截取模块及分析判断模块。传感信号截取模块取得传感信号以侦测驾驶者的运动状态。而分析判断模块依据此运动状态判断驾驶者是否符合合法驾驶者，并能将不符合情况通知给合法驾驶者。借此，提供简单又方便的安全认证机制。

    凸台狀累增光偵測器元件
    6.
    发明专利
    凸台狀累增光偵測器元件 审中-公开
    凸台状累增光侦测器组件

    公开(公告)号：TW201947748A

    公开(公告)日：2019-12-16

    申请号：TW107115246

    申请日：2018-05-04

    申请人： 國立中央大學 ,  NATIONAL CENTRAL UNIVERSITY

    发明人： 許晉瑋 ,  SHI, JIN-WEI

    IPC分类号： H01L27/14

    摘要： 一種凸台狀累增光偵測器元件，為新穎之砷化銦鋁累增崩潰光二極體結構，係採取陰極（累增層在底部）電極在下之磊晶層結構，讓累增層電場最強之區域包覆在元件內部底層以避免表面擊穿，本發明主要增厚i-本質層，僅使用一層光吸收層，並於N型歐姆接觸層下方加入DBR反射層，其材料可為InGaAsP/InP或InAlGaAs/InAlAs，至少5對以上，且使用第二帶溝漸變層蝕刻出一凸台形狀，透過此單一凸台結構即可使累增層中間的電場高，而其邊緣電場低，以達到累增層電場侷限之效果，且除了累增層會碰到崩潰使電場特別高之外，所有層的電場都會遠低於崩潰。藉此，本發明透過光吸收層的p型參雜把二次電洞變成二次電子，利用電子跑的比較快之特性，所以可以讓載子的速度變得更快，可以用比較厚的空乏區以降低接面電容與增加元件面積，而能具備快的響應速度並有效提升靈敏度。

    简体摘要： 一种凸台状累增光侦测器组件，为新颖之砷化铟铝累增崩溃光二极管结构，系采取阴极（累增层在底部）电极在下之磊晶层结构，让累增层电场最强之区域包覆在组件内部底层以避免表面击穿，本发明主要增厚i-本质层，仅使用一层光吸收层，并于N型欧姆接触层下方加入DBR反射层，其材料可为InGaAsP/InP或InAlGaAs/InAlAs，至少5对以上，且使用第二带沟渐变层蚀刻出一凸台形状，透过此单一凸台结构即可使累增层中间的电场高，而其边缘电场低，以达到累增层电场局限之效果，且除了累增层会碰到崩溃使电场特别高之外，所有层的电场都会远低于崩溃。借此，本发明透过光吸收层的p型参杂把二次电洞变成二次电子，利用电子跑的比较快之特性，所以可以让载子的速度变得更快，可以用比较厚的空乏区以降低接面电容与增加组件面积，而能具备快的响应速度并有效提升灵敏度。