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公开(公告)号：TW202027492A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108136805
申请日：2019-10-14
发明人： 朝倉 龍風 , ASAKURA, LUONGHUNG
IPC分类号： H04N5/374 , H01L27/146
摘要： 本揭示具備進行FD相加之第1、第2像素部。第1像素部具有：第1開關電晶體，其之一源極/汲極電極連接於FD；及重設電晶體，其連接於第1開關電晶體之另一源極/汲極電極與電源節點間。第2像素部具有：第2開關電晶體，其之一源極/汲極電極連接於FD；第3開關電晶體，其將一源極/汲極電極連接於第2開關電晶體之另一源極/汲極電極；及電容元件，其連接於第3開關電晶體之另一源極/汲極電極與基準電位節點間。且，第1開關電晶體及第2開關電晶體之各另一源極/汲極電極電性連接。
简体摘要： 本揭示具备进行FD相加之第1、第2像素部。第1像素部具有：第1开关晶体管，其之一源极/汲极电极连接于FD；及重设晶体管，其连接于第1开关晶体管之另一源极/汲极电极与电源节点间。第2像素部具有：第2开关晶体管，其之一源极/汲极电极连接于FD；第3开关晶体管，其将一源极/汲极电极连接于第2开关晶体管之另一源极/汲极电极；及电容组件，其连接于第3开关晶体管之另一源极/汲极电极与基准电位节点间。且，第1开关晶体管及第2开关晶体管之各另一源极/汲极电极电性连接。
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公开(公告)号：TW202027234A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108127418
申请日：2019-08-01
发明人： 冨田学 , TOMITA, MANABU
IPC分类号： H01L21/8244 , H01L21/28 , H01L21/8229 , H01L27/102 , H01L27/11 , H01L29/417
摘要： 本發明之記憶胞係由正反器電路及2個傳送電晶體TR5、TR6構成，該正反器電路由包含第1A電晶體TR1及第1B電晶體TR2之第1CMOS反相器電路、及包含第2A電晶體TR3及第2B電晶體TR4之第2反相器電路構成；第1A電晶體TR1及第2A電晶體TR2連接於共通之第1電源線91，第1B電晶體TR3及第2B電晶體TR4連接於共通之第2電源線92。
简体摘要： 本发明之记忆胞系由正反器电路及2个发送晶体管TR5、TR6构成，该正反器电路由包含第1A晶体管TR1及第1B晶体管TR2之第1CMOS反相器电路、及包含第2A晶体管TR3及第2B晶体管TR4之第2反相器电路构成；第1A晶体管TR1及第2A晶体管TR2连接于共通之第1电源线91，第1B晶体管TR3及第2B晶体管TR4连接于共通之第2电源线92。
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公开(公告)号：TW202023264A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：TW108117988
申请日：2019-05-24
发明人： 北野伸 , KITANO, SHIN , 土本航也 , TSUCHIMOTO, KOYA , 中川慶 , NAKAGAWA, KEI
IPC分类号： H04N5/335
摘要： 一種成像裝置包含將入射光轉換成電荷之一光電轉換區域。該成像裝置包含：一第一讀出電路，其在一第一位置處耦合至該光電轉換區域；及一第二讀出電路，其包含在一第二位置處耦合至該光電轉換區域之一部分。該第二讀出電路經組態以控制該第一讀出電路。該第一位置及該第二位置處於該光電轉換區域之同一側上。
简体摘要： 一种成像设备包含将入射光转换成电荷之一光电转换区域。该成像设备包含：一第一读出电路，其在一第一位置处耦合至该光电转换区域；及一第二读出电路，其包含在一第二位置处耦合至该光电转换区域之一部分。该第二读出电路经组态以控制该第一读出电路。该第一位置及该第二位置处于该光电转换区域之同一侧上。
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公开(公告)号：TW202019159A
公开(公告)日：2020-05-16
申请号：TW108135010
申请日：2019-09-27
发明人： 日野康史 , HINO, YASUFUMI
IPC分类号： H04N5/335 , H04N5/357 , H04N5/3745 , H01L27/146
摘要： 本揭示之固態攝像元件由於具備：像素陣列部(2)，其陣列狀地配置有進行光電轉換並分別輸出像素信號之複數個像素；前置放大器部(13)，其於輸入端子各自輸入前述像素信號及臨限值信號，將像素信號與臨限值信號之差放大並作為差動信號而輸出，且基於被輸入之第1控制信號(SEN)而被設為動作停止狀態；比較器部(14)，其進行差動信號與比較基準信號之比較並輸出比較結果資料；及前置放大器直通電路(SWGTM、SWT1～SWT8、SWTN、SWS1～SWS8)，其具有將前置放大器部(13)之輸入端子連接於比較器部(14)之輸入端子之複數個開關元件，基於在動作停止狀態下被輸入之第2控制信號(STM、SEL1～SEL8)將開關元件設為連接狀態；故藉由根據用途區分使用設置於動態比較器之前段之前置放大器之線性度及雜訊特性，而在能夠緩和對前置放大器部要求之特性之條件下可抑制電力消耗。
简体摘要： 本揭示之固态摄像组件由于具备：像素数组部(2)，其数组状地配置有进行光电转换并分别输出像素信号之复数个像素；前置放大器部(13)，其于输入端子各自输入前述像素信号及临限值信号，将像素信号与临限值信号之差放大并作为差动信号而输出，且基于被输入之第1控制信号(SEN)而被设为动作停止状态；比较器部(14)，其进行差动信号与比较基准信号之比较并输出比较结果数据；及前置放大器直通电路(SWGTM、SWT1～SWT8、SWTN、SWS1～SWS8)，其具有将前置放大器部(13)之输入端子连接于比较器部(14)之输入端子之复数个开关组件，基于在动作停止状态下被输入之第2控制信号(STM、SEL1～SEL8)将开关组件设为连接状态；故借由根据用途区分使用设置于动态比较器之前段之前置放大器之线性度及噪声特性，而在能够缓和对前置放大器部要求之特性之条件下可抑制电力消耗。
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公开(公告)号：TW202018930A
公开(公告)日：2020-05-16
申请号：TW109100757
申请日：2014-09-24
发明人： 押山到 , OSHIYAMA, ITARU , 高橋裕嗣 , TAKAHASHI, HIROTSUGU
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本揭示係關於一種可控制空乏層之厚度之固體攝像元件、其製造方法及電子機器。 本揭示之固體攝像元件係於半導體基板上具有積層有將入射光進行光電轉換之光電轉換膜、及具有特定之固定電荷之固定電荷膜之像素。本揭示之技術可應用於例如背面照射型之固體攝像元件、數位靜態相機或攝錄影機等攝像裝置、具有攝像功能之行動終端裝置、於圖像擷取部使用固體攝像元件之電子機器等。
简体摘要： 本揭示系关于一种可控制空乏层之厚度之固体摄像组件、其制造方法及电子机器。 本揭示之固体摄像组件系于半导体基板上具有积层有将入射光进行光电转换之光电转换膜、及具有特定之固定电荷之固定电荷膜之像素。本揭示之技术可应用于例如背面照射型之固体摄像组件、数码静态相机或摄录像机等摄像设备、具有摄像功能之行动终端设备、于图像截取部使用固体摄像组件之电子机器等。
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公开(公告)号：TW202015396A
公开(公告)日：2020-04-16
申请号：TW108127375
申请日：2019-08-01
发明人： 冨田和寿 , TOMITA, KAZUTOSHI , 江藤慎一郎 , ETOU, SHINICHIROU
摘要： 本發明抑制圖像中顯現具有行相關性及/或列相關性之固定圖案雜訊。實施形態之固態攝像裝置(10)具備：複數個單位像素(131)，其等排列於列方向及行方向；複數條垂直信號線(VSL)，其等各自連接於排列在前述行方向之複數個單位像素中之至少一者；複數個第1轉換器(15A～15Z)，其等各自連接於前述複數條垂直信號線各者，在排列於前述列方向之每單位像素之讀出中，將於前述垂直信號線出現之類比之像素信號轉換為數位之像素信號；初始化電壓產生器(161)，其輸出用於將前述複數個單位像素或前述複數個第1轉換器之輸入節點初始化之初始化電壓；及初始化電壓線(INT)，其連接前述初始化電壓產生器與前述複數個第1轉換器；且前述初始化電壓產生器就前述複數個第1轉換器作為處理對象之每一列及/或每一行使輸出之前述初始化電壓變化。
简体摘要： 本发明抑制图像中显现具有行相关性及/或列相关性之固定图案噪声。实施形态之固态摄像设备(10)具备：复数个单位像素(131)，其等排列于列方向及行方向；复数条垂直信号线(VSL)，其等各自连接于排列在前述行方向之复数个单位像素中之至少一者；复数个第1转换器(15A～15Z)，其等各自连接于前述复数条垂直信号线各者，在排列于前述列方向之每单位像素之读出中，将于前述垂直信号线出现之模拟之像素信号转换为数码之像素信号；初始化电压产生器(161)，其输出用于将前述复数个单位像素或前述复数个第1转换器之输入节点初始化之初始化电压；及初始化电压线(INT)，其连接前述初始化电压产生器与前述复数个第1转换器；且前述初始化电压产生器就前述复数个第1转换器作为处理对象之每一列及/或每一行使输出之前述初始化电压变化。
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公开(公告)号：TW202015207A
公开(公告)日：2020-04-16
申请号：TW108121595
申请日：2019-06-20
发明人： 羽根田雅希 , HANEDA, MASAKI
IPC分类号： H01L23/532 , H01L21/768
摘要： 本發明提供一種進一步降低以任意之配置設置之配線之配線間電容的半導體裝置。本發明之半導體裝置(1)具備：第1配線間絕緣層(120)，其設置於基板(100)上，且在與前述基板為相反側具有凹部；第1配線層(130)，其設置於前述第1配線間絕緣層之前述凹部之內部；密封膜(140)，其沿前述第1配線層及前述第1配線間絕緣層之凹凸形狀設置；第2配線間絕緣層(220)，其在前述第1配線間絕緣層上以覆蓋前述凹部之方式設置，且與前述凹部對向之面為平坦；及空隙(150)，其設置於前述第2配線間絕緣層與前述第1配線層及前述第1配線間絕緣層之間。
简体摘要： 本发明提供一种进一步降低以任意之配置设置之配线之配线间电容的半导体设备。本发明之半导体设备(1)具备：第1配线间绝缘层(120)，其设置于基板(100)上，且在与前述基板为相反侧具有凹部；第1配线层(130)，其设置于前述第1配线间绝缘层之前述凹部之内部；密封膜(140)，其沿前述第1配线层及前述第1配线间绝缘层之凹凸形状设置；第2配线间绝缘层(220)，其在前述第1配线间绝缘层上以覆盖前述凹部之方式设置，且与前述凹部对向之面为平坦；及空隙(150)，其设置于前述第2配线间绝缘层与前述第1配线层及前述第1配线间绝缘层之间。
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公开(公告)号：TWI686085B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：TW102137964
申请日：2013-10-21
发明人： 若林準人 , WAKABAYASHI, HAYATO
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公开(公告)号：TW202008465A
公开(公告)日：2020-02-16
申请号：TW108126257
申请日：2019-07-24
发明人： 清水完 , SHIMIZU, KAN , 末光 克巳 , SUEMITSU, KATSUMI
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522
摘要： 本發明提供一種適於高積體化之構造之半導體裝置。該半導體裝置具備：第1基板，其包含第1表面；及第2基板，其包含與第1表面接合之第2表面。第1基板具有自靠近第2基板之位置依序積層且包含第1配線之第1配線層及第1半導體層，第2基板包含自靠近第1基板之位置依序積層且包含記憶元件之記憶元件層及第2半導體層。
简体摘要： 本发明提供一种适于高积体化之构造之半导体设备。该半导体设备具备：第1基板，其包含第1表面；及第2基板，其包含与第1表面接合之第2表面。第1基板具有自靠近第2基板之位置依序积层且包含第1配线之第1配线层及第1半导体层，第2基板包含自靠近第1基板之位置依序积层且包含记忆组件之记忆组件层及第2半导体层。
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公开(公告)号：TW202005131A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108117812
申请日：2019-05-23
发明人： 齊藤陽介 , SAITO, YOSUKE , 宮地紗江 , MIYAJI, SAE , 菅野雅人 , KANNO, MASATO , 氏家康晴 , UJIIE, YASUHARU , 長谷川雄大 , HASEGAWA, YUTA , 榎修 , ENOKI, OSAMU , 根岸佑樹 , NEGISHI, YUKI
摘要： 本發明之一實施形態之第1光電轉換元件具備：第1電極；第2電極，其與第1電極對向配置；及光電轉換層，其設置於第1電極與第2電極之間，並且包含發色團、富勒烯或富勒烯衍生物及電洞傳輸性材料；發色團與富勒烯或富勒烯衍生物於光電轉換層內至少一部分經由交聯基相互鍵結。
简体摘要： 本发明之一实施形态之第1光电转换组件具备：第1电极；第2电极，其与第1电极对向配置；及光电转换层，其设置于第1电极与第2电极之间，并且包含发色团、富勒烯或富勒烯衍生物及电洞传输性材料；发色团与富勒烯或富勒烯衍生物于光电转换层内至少一部分经由交联基相互键结。
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