公开(公告)号：TWI326309B

公开(公告)日：2010-06-21

申请号：TW095114832

申请日：2006-04-26

申请人： 三井金屬鑛業股份有限公司

发明人： 占部宏成 ,  松浦宜範 ,  久保田高史

IPC分类号： C22C ,  G02F ,  G09F ,  C23C ,  H01L

CPC分类号： H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本發明提供一種於具備薄膜電晶體及透明電極層之顯示裝置中，可與ITO或IZO等透明電極層直接接合，且可與n+-Si等半導體層直接接合之Al系合金配線材料。本發明之Al-Ni-B合金配線材料係在將鎳含量設為鎳的原子百分比Xat%，將硼含量設為硼的原子百分比Yat%時，位於滿足各式0.5≦X≦10.0、0.05≦Y≦11.0、Y+0.25X≧1.0、Y+1.15X≦11.5之區域的範圍內，且剩餘部分為鋁。

简体摘要： 本发明提供一种于具备薄膜晶体管及透明电极层之显示设备中，可与ITO或IZO等透明电极层直接接合，且可与n+-Si等半导体层直接接合之Al系合金配线材料。本发明之Al-Ni-B合金配线材料系在将镍含量设为镍的原子百分比Xat%，将硼含量设为硼的原子百分比Yat%时，位于满足各式0.5≦X≦10.0、0.05≦Y≦11.0、Y+0.25X≧1.0、Y+1.15X≦11.5之区域的范围内，且剩余部分为铝。

公开(公告)号：TW201006937A

公开(公告)日：2010-02-16

申请号：TW098122724

申请日：2009-07-06

申请人： 三井金屬鑛業股份有限公司

发明人： 德地成紀 ,  附田龍馬 ,  矢野智泰 ,  松浦宜範 ,  久保田高史

IPC分类号： C22C ,  H05B ,  C23C

CPC分类号： C22C21/00 ,  C23C14/185 ,  H01B1/023

摘要： 本發明之目的在於提供一種鋁-鎳系合金配線電極材料，其具有適合於有機EL之柔軟性，可與ITO等透明電極層直接接合，且對於顯影液之耐蝕性佳。本發明係一種在鋁中含有鎳與硼之鋁-鎳系合金配線電極材料，其特徵為：鎳與硼之合計含量為0.35at％至1.2at％，且殘部由鋁所構成。再者，本發明之鋁-鎳系合金配線電極材料較宜為，鎳為0.3at％至0.7at％，硼為0.05at％至0.5at％。

简体摘要： 本发明之目的在于提供一种铝-镍系合金配线电极材料，其具有适合于有机EL之柔软性，可与ITO等透明电极层直接接合，且对于显影液之耐蚀性佳。本发明系一种在铝中含有镍与硼之铝-镍系合金配线电极材料，其特征为：镍与硼之合计含量为0.35at％至1.2at％，且残部由铝所构成。再者，本发明之铝-镍系合金配线电极材料较宜为，镍为0.3at％至0.7at％，硼为0.05at％至0.5at％。

公开(公告)号：TW201250865A

公开(公告)日：2012-12-16

申请号：TW101112966

申请日：2012-04-12

申请人： 三井金屬鑛業股份有限公司

发明人： 德地成紀 ,  石井林太郎 ,  附田龍馬 ,  久保田高史 ,  高橋廣己

IPC分类号： H01L ,  C23C ,  C04B

CPC分类号： C01G19/00 ,  C01G19/006 ,  C01P2002/52 ,  C01P2006/40 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/7869

摘要： 本發明之目的係提供包含Zn氧化物及Sn氧化物之氧化物型半導體材料(ZTO:Zn-Sn-O系氧化物),以作為IGZO的替代材料,其係成為與IGZO同等或以上之10cm2/Vs左右之高載體移動性,並且不需高溫熱處理者。本發明之特徵係含有Zn氧化物及Sn氧化物之氧化物型半導體材料,且含有Mg、Ca、La、Y中之任一種作為摻雜劑,該摻雜劑含量係相對於作為金屬元素之Zn、Sn、摻雜劑之各原子數合計之摻雜劑之原子比為0.09以下。

简体摘要： 本发明之目的系提供包含Zn氧化物及Sn氧化物之氧化物型半导体材料(ZTO:Zn-Sn-O系氧化物),以作为IGZO的替代材料,其系成为与IGZO同等或以上之10cm2/Vs左右之高载体移动性,并且不需高温热处理者。本发明之特征系含有Zn氧化物及Sn氧化物之氧化物型半导体材料,且含有Mg、Ca、La、Y中之任一种作为掺杂剂,该掺杂剂含量系相对于作为金属元素之Zn、Sn、掺杂剂之各原子数合计之掺杂剂之原子比为0.09以下。

公开(公告)号：TW201237199A

公开(公告)日：2012-09-16

申请号：TW100126732

申请日：2011-07-28

申请人： 三井金屬鑛業股份有限公司

发明人： 久保田高史

IPC分类号： C23C

CPC分类号： C23C14/3407 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631

摘要： 本發明提供一種分割濺鍍靶，其係在接合複數個氧化物半導體靶構件而得之分割濺鍍靶中，可有效地防止因被濺鍍而造成支承板構成材料混入於要形成之氧化物半導體的薄膜中。本發明係為藉由低熔點焊材將複數個由氧化物半導體所成之靶構件接合於支承板上而形成的分割濺鍍靶，其中，於所接合之靶構件間所形成之間隙存在有覆蓋挫曲板表面之低熔點焊材。此外，低熔點焊材之間隙內之厚度較佳為靶構件間所形成之間隙深度之10%至70%。

简体摘要： 本发明提供一种分割溅镀靶，其系在接合复数个氧化物半导体靶构件而得之分割溅镀靶中，可有效地防止因被溅镀而造成支承板构成材料混入于要形成之氧化物半导体的薄膜中。本发明系为借由低熔点焊材将复数个由氧化物半导体所成之靶构件接合于支承板上而形成的分割溅镀靶，其中，于所接合之靶构件间所形成之间隙存在有覆盖挫曲板表面之低熔点焊材。此外，低熔点焊材之间隙内之厚度较佳为靶构件间所形成之间隙深度之10%至70%。

公开(公告)号：TWI403605B

公开(公告)日：2013-08-01

申请号：TW100127169

申请日：2011-08-01

申请人： 三井金屬鑛業股份有限公司 ,  MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.

发明人： 久保田高史 ,  KUBOTA, TAKASHI ,  渡邊廣幸 ,  WATANABE, HIROYUKI

IPC分类号： C23C14/50 ,  C23C14/34 ,  H01L29/786

CPC分类号： C23C14/3414 ,  H01J37/3414 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3435 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631

公开(公告)号：TWI393785B

公开(公告)日：2013-04-21

申请号：TW098122724

申请日：2009-07-06

申请人： 三井金屬鑛業股份有限公司 ,  MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.

发明人： 德地成紀 ,  TOKUCHI, SHIGEKI ,  附田龍馬 ,  TSUKUDA, RYOMA ,  矢野智泰 ,  YANO, TOMOYASU ,  松浦宜範 ,  MATSUURA, YOSHINORI ,  久保田高史 ,  KUBOTA, TAKASHI

IPC分类号： C22C21/00 ,  H05B33/26 ,  C23C14/34

CPC分类号： C22C21/00 ,  C23C14/185 ,  H01B1/023

公开(公告)号：TW201219589A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：TW100126731

申请日：2011-07-28

申请人： 三井金屬鑛業股份有限公司

发明人： 久保田高史

IPC分类号： C23C

CPC分类号： C23C14/3414 ,  H01J37/3414 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3435 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02631

摘要： 本發明提供一種於接合複數個靶構件所得之分割濺鍍靶中，可有效地防止因被濺鍍而造成支承板構成材料混入於要成膜之薄膜中之技術。本發明係藉由低熔點焊材將複數個靶構件接合於支承板上而形成之分割濺鍍靶，其中，於接合之靶構件間所形成之間隙中充填有陶瓷材料或有機材料。此外，陶瓷材料較佳為與靶構件有相同組成之陶瓷粉或陶瓷纖維，有機材料較佳為高電阻物質。

简体摘要： 本发明提供一种于接合复数个靶构件所得之分割溅镀靶中，可有效地防止因被溅镀而造成支承板构成材料混入于要成膜之薄膜中之技术。本发明系借由低熔点焊材将复数个靶构件接合于支承板上而形成之分割溅镀靶，其中，于接合之靶构件间所形成之间隙中充填有陶瓷材料或有机材料。此外，陶瓷材料较佳为与靶构件有相同组成之陶瓷粉或陶瓷纤维，有机材料较佳为高电阻物质。

公开(公告)号：TWI579393B

公开(公告)日：2017-04-21

申请号：TW101115746

申请日：2012-05-03

申请人： 三井金屬鑛業股份有限公司 ,  MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.

发明人： 德地成紀 ,  TOKUCHI, SHIGEKI ,  石井林太郎 ,  ISHII, RINTARO ,  附田龍馬 ,  TSUKUDA, RYOMA ,  久保田高史 ,  KUBOTA, TAKASHI ,  高橋廣己 ,  TAKAHASHI, HIROKI

IPC分类号： C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  C04B35/453 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/24 ,  C04B35/453 ,  C04B35/6262 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6586 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/7869

公开(公告)号：TWI531009B

公开(公告)日：2016-04-21

申请号：TW101112966

申请日：2012-04-12

申请人： 三井金屬鑛業股份有限公司 ,  MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.

发明人： 德地成紀 ,  TOKUCHI, SHIGEKI ,  石井林太郎 ,  ISHII, RINTARO ,  附田龍馬 ,  TSUKUDA, RYOMA ,  久保田高史 ,  KUBOTA, TAKASHI ,  高橋廣己 ,  TAKAHASHI, HIROKI

IPC分类号： H01L21/363 ,  C23C14/34 ,  C04B35/453 ,  H01L29/786

CPC分类号： C01G19/00 ,  C01G19/006 ,  C01P2002/52 ,  C01P2006/40 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/7869

公开(公告)号：TW201303049A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：TW101115746

申请日：2012-05-03

申请人： 三井金屬鑛業股份有限公司 ,  MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.

发明人： 德地成紀 ,  TOKUCHI, SHIGEKI ,  石井林太郎 ,  ISHII, RINTARO ,  附田龍馬 ,  TSUKUDA, RYOMA ,  久保田高史 ,  KUBOTA, TAKASHI ,  高橋廣己 ,  TAKAHASHI, HIROKI

IPC分类号： C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  C04B35/453 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/24 ,  C04B35/453 ,  C04B35/6262 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6586 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/7869

摘要： 本發明之目的係提供一種由Zn氧化物與Sn氧化物所構成的氧化物型半導體材料(ZTO：Zn-Sn-O系氧化物)，以作為IGZO的代替材料，該氧化物型半導體材料係為與IGZO同等以上之10cm2/Vs左右之高載子遷移率，並且不須要高溫熱處理。本發明係為含有Zn氧化物與Sn氧化物之氧化物型半導體材料，其特徵係含有Zr以作為摻雜物，Zr含有量係為，相對於作為金屬元素之Zn、Sn、Zr之各原子數總和之摻雜物的原子比為0.005以下。

简体摘要： 本发明之目的系提供一种由Zn氧化物与Sn氧化物所构成的氧化物型半导体材料(ZTO：Zn-Sn-O系氧化物)，以作为IGZO的代替材料，该氧化物型半导体材料系为与IGZO同等以上之10cm2/Vs左右之高载子迁移率，并且不须要高温热处理。本发明系为含有Zn氧化物与Sn氧化物之氧化物型半导体材料，其特征系含有Zr以作为掺杂物，Zr含有量系为，相对于作为金属元素之Zn、Sn、Zr之各原子数总和之掺杂物的原子比为0.005以下。