公开(公告)号：TWI622174B

公开(公告)日：2018-04-21

申请号：TW106136965

申请日：2014-05-05

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  須澤英臣 ,  SUZAWA, HIDEOMI ,  岡崎豊 ,  OKAZAKI, YUTAKA

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L29/24 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78696

公开(公告)号：TWI622130B

公开(公告)日：2018-04-21

申请号：TW106100876

申请日：2010-12-01

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L21/822 ,  H01L27/092 ,  H01L27/04

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L23/528 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/092 ,  H01L27/1207 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/12 ,  H01L29/16 ,  H01L29/24 ,  H01L29/26 ,  H01L2924/0002 ,  H03K3/012 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TWI621121B

公开(公告)日：2018-04-11

申请号：TW105131329

申请日：2011-12-19

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 王丸拓郎 ,  OHMARU, TAKURO ,  遠藤正己 ,  ENDO, MASAMI

IPC分类号： G11C11/24 ,  G06F12/16

CPC分类号： H01L27/1052 ,  G06F1/3275 ,  G11C11/24 ,  G11C14/0009 ,  G11C19/184 ,  H01L23/5226 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/108 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/10897 ,  H01L28/20 ,  H01L28/40 ,  H01L29/24 ,  H01L29/26 ,  H01L29/7869 ,  Y02D10/13 ,  Y02D10/14

公开(公告)号：TWI619175B

公开(公告)日：2018-03-21

申请号：TW105110769

申请日：2010-11-01

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 一條充弘 ,  ICHIJO, MITSUHIRO ,  田中哲弘 ,  TANAKA, TETSUHIRO ,  保本清治 ,  YASUMOTO, SEIJI ,  真城瞬 ,  MASHIRO, SHUN ,  及川欣聰 ,  OIKAWA, YOSHIAKI ,  岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/316

CPC分类号： H01L21/44 ,  C23C16/308 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/34 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/67167 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

公开(公告)号：TW201810684A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：TW106128144

申请日：2010-05-11

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  秋元健吾 ,  AKIMOTO, KENGO

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/49 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/24 ,  H01L29/247 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/513 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

摘要： 對於包括電路的顯示裝置之性能而言，包括於電路中的薄膜電晶體之電特性的均勻性及穩定性是重要的。本發明之目的在於提供一種具有低的氫含量之氧化物半導體膜，其使用於具有良好界定的電特性之反交錯型的薄膜電晶體。欲達成此目的，在不暴露於空氣下，以濺射方法連續地形成閘極絕緣膜、氧化物半導體層及通道保護膜。在包括一部份的氧之氣圍中，形成氧化物半導體層，以限制氫污染。此外，使用矽、氧及/或氮的化合物，形成提供於氧化物半導體層的通道形成區域上方及下方的層。

简体摘要： 对于包括电路的显示设备之性能而言，包括于电路中的薄膜晶体管之电特性的均匀性及稳定性是重要的。本发明之目的在于提供一种具有低的氢含量之氧化物半导体膜，其使用于具有良好界定的电特性之反交错型的薄膜晶体管。欲达成此目的，在不暴露于空气下，以溅射方法连续地形成闸极绝缘膜、氧化物半导体层及信道保护膜。在包括一部份的氧之气围中，形成氧化物半导体层，以限制氢污染。此外，使用硅、氧及/或氮的化合物，形成提供于氧化物半导体层的信道形成区域上方及下方的层。

公开(公告)号：TW201810267A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：TW106112664

申请日：2017-04-14

申请人： 半導體能源硏究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 加藤清 ,  KATO, KIYOSHI ,  塩野入豊 ,  SHIONOIRI, YUTAKA ,  松嵜隆德 ,  MATSUZAKI, TAKANORI

IPC分类号： G11C11/4074 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L29/786

CPC分类号： H03K17/6871 ,  G11C5/025 ,  G11C7/06 ,  G11C11/404 ,  G11C11/405 ,  G11C11/4074 ,  G11C11/4091 ,  G11C11/4097 ,  H01L29/24 ,  H01L29/26 ,  H01L29/7782 ,  H01L29/7786 ,  H02M3/07 ,  H03K19/0944

摘要： 本發明的一個實施方式的目的是保持電位穩定、高精度地生成負電位或提供輸出電壓高的半導體裝置。一種包括第一電晶體、第二電晶體、電容器及比較器的半導體裝置。比較器包括非反相輸入端子、反相輸入端子及輸出端子，第一電晶體的源極和汲極中的一個與閘極電連接，第二電晶體的源極和汲極中的一個與比較器的非反相輸入端子、電容器的一個電極及第二電晶體的閘極電連接，第二電晶體的源極和汲極中的另一個與第一電晶體的源極和汲極中的一個電連接，第一電晶體及第二電晶體包含氧化物半導體。

简体摘要： 本发明的一个实施方式的目的是保持电位稳定、高精度地生成负电位或提供输出电压高的半导体设备。一种包括第一晶体管、第二晶体管、电容器及比较器的半导体设备。比较器包括非反相输入端子、反相输入端子及输出端子，第一晶体管的源极和汲极中的一个与闸极电连接，第二晶体管的源极和汲极中的一个与比较器的非反相输入端子、电容器的一个电极及第二晶体管的闸极电连接，第二晶体管的源极和汲极中的另一个与第一晶体管的源极和汲极中的一个电连接，第一晶体管及第二晶体管包含氧化物半导体。

公开(公告)号：TW201810237A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：TW106120033

申请日：2012-07-09

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 池田隆之 ,  IKEDA, TAKAYUKI

IPC分类号： G09G3/36 ,  G02F1/136

CPC分类号： H01L27/14605 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/14614 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14643 ,  H01L29/22 ,  H01L29/24 ,  H01L29/7869

摘要： 本發明提供一種能夠在一個圖框以上的期間內保持資料且使用少數的元件進行差分運算的影像感測器。在配置為矩陣狀的多個像素中設置光電感測器，該像素在一個圖框以上的期間內將電荷儲存在資料保持部，並根據儲存在該資料保持部的電荷使光電感測器的輸出變化。作為資料保持部的寫入切換元件，使用洩漏電流小(比1×10-14A十分小)的電晶體。作為洩漏電流小的電晶體，可以舉出在氧化物半導體層中形成通道的電晶體。

简体摘要： 本发明提供一种能够在一个图框以上的期间内保持数据且使用少数的组件进行差分运算的影像传感器。在配置为矩阵状的多个像素中设置光电传感器，该像素在一个图框以上的期间内将电荷存储在数据保持部，并根据存储在该数据保持部的电荷使光电传感器的输出变化。作为数据保持部的写入切换组件，使用泄漏电流小(比1×10-14A十分小)的晶体管。作为泄漏电流小的晶体管，可以举出在氧化物半导体层中形成信道的晶体管。

公开(公告)号：TW201807828A

公开(公告)日：2018-03-01

申请号：TW106126103

申请日：2010-11-04

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  小山潤 ,  KOYAMA, JUN ,  三宅博之 ,  MIYAKE, HIROYUKI

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L27/1225 ,  H01L21/02603 ,  H01L27/0883 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/127 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/045 ,  H01L29/24 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

摘要： 本質或大體上本質並且包括結晶區在該氧化物半導體層的表面部中之氧化物半導體層被用於該等電晶體。使用從氧化物半導體去除欲成為電子施體(施體)之雜質並且具有比矽半導體大的能帶隙之本質或大體上本質半導體。可藉由控制一對導電膜的該電位來控制該等電晶體的電特性，該對導電膜係設置在該氧化物半導體層的彼此相對側上，各具有絕緣膜配置在其間，使得形成在該氧化物半導體層中之通道的該位置被決定。

简体摘要： 本质或大体上本质并且包括结晶区在该氧化物半导体层的表面部中之氧化物半导体层被用于该等晶体管。使用从氧化物半导体去除欲成为电子施体(施体)之杂质并且具有比硅半导体大的能带隙之本质或大体上本质半导体。可借由控制一对导电膜的该电位来控制该等晶体管的电特性，该对导电膜系设置在该氧化物半导体层的彼此相对侧上，各具有绝缘膜配置在其间，使得形成在该氧化物半导体层中之信道的该位置被决定。

公开(公告)号：TWI615841B

公开(公告)日：2018-02-21

申请号：TW105135539

申请日：2012-05-16

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 加藤清 ,  KATO, KIYOSHI

IPC分类号： G11C11/41

CPC分类号： H01L27/124 ,  G06F1/32 ,  G06F7/5016 ,  G06F2207/3872 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/24 ,  H01L29/7869

公开(公告)号：TWI613818B

公开(公告)日：2018-02-01

申请号：TW102147521

申请日：2013-12-20

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  高橋正弘 ,  TAKAHASHI, MASAHIRO ,  廣橋拓也 ,  HIROHASHI, TAKUYA ,  津吹将志 ,  TSUBUKO, MASASHI ,  太田将志 ,  OOTA, MASASHI

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/24 ,  H01L29/247 ,  H01L29/26 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693