公开(公告)号：TW201248857A

公开(公告)日：2012-12-01

申请号：TW101110119

申请日：2012-03-23

申请人： 三星電子股份有限公司

发明人： 金志永 ,  吳容哲 ,  禹東秀 ,  鄭鉉雨 ,  秦教英 ,  崔成菅 ,  洪亨善 ,  黃有商

IPC分类号： H01L

CPC分类号： G11C11/4096 ,  G11C11/404 ,  G11C11/4085 ,  H01L21/823437 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10891 ,  H01L27/10894 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66484 ,  H01L29/66613 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7831

摘要： 一種半導體裝置可以包括一具有在它們之間界定一通道區域之第一和第二分隔源極/汲極區域的半導體基體及一在該等第一與第二分隔源極/汲極區域之間之該通道區域上的控制閘極結構。更特別地,該控制閘極結構可以包括一在該通道區域上相鄰於該第一源極/汲極區域的第一閘極電極,和一在該通道區域上相鄰於該第二源極/汲極區域的第二閘極電極。此外,該等第一和第二閘極電極可以是電氣地隔離。相關的裝置、結構、運作方法以及製造方法也被討論。

简体摘要： 一种半导体设备可以包括一具有在它们之间界定一信道区域之第一和第二分隔源极/汲极区域的半导体基体及一在该等第一与第二分隔源极/汲极区域之间之该信道区域上的控制闸极结构。更特别地,该控制闸极结构可以包括一在该信道区域上相邻于该第一源极/汲极区域的第一闸极电极,和一在该信道区域上相邻于该第二源极/汲极区域的第二闸极电极。此外,该等第一和第二闸极电极可以是电气地隔离。相关的设备、结构、运作方法以及制造方法也被讨论。